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    粘片检测系统及方法、反应腔室、半导体加工设备
    12.
    发明公开
    粘片检测系统及方法、反应腔室、半导体加工设备 有权

    公开(公告)号：CN108807216A

    公开(公告)日：2018-11-13

    申请号：CN201710291629.X

    申请日：2017-04-28

    申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

    发明人： 李玉站

    IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/66

    CPC分类号： H01L21/67253 ,  H01L22/12

    摘要： 本发明提供一种粘片检测系统，包括：输气管路，与气源和静电卡盘的冷媒气体通道相连，用于将气源提供的气体经过所述输气管路和冷媒气体通道向晶片背吹；在所述输气管路上还设置有检测模块；所述检测模块，与控制模块相连，用以在所述输气管路内输送的气体的流量和压力中一个设置为定值时检测另一个对应的数值并发送至控制模块；所述控制模块，用于判断所述检测模块发送的所述流量值是否小于流量阈值，若是，则确定发生粘片；或者，判断所述检测模块发送的所述压力值是否大于压力阈值，若是，则确定发生粘片。还提供一种粘片检测方法、反应腔室和半导体加工设备。本发明可以防止碎片和撞片问题的发生。

    电池片黑心检测方法
    13.
    发明公开
    电池片黑心检测方法 无效

    公开(公告)号：CN108807206A

    公开(公告)日：2018-11-13

    申请号：CN201810232650.7

    申请日：2018-03-20

    申请人： 苏州巨能图像检测技术有限公司

    发明人： 李华超 ,  王小彬

    IPC分类号： H01L21/66

    CPC分类号： H01L22/12 ,  H01L22/20

    摘要： 本发明电池片黑心检测方法，包括如下步骤：S1)对准：将电池片移到图像中心；S2)剔除其他干扰；S3)圆环投影；S4)特征曲线提取；S5)分类。先对电池片进行定位，将电池片中心和图像中心重合，便于投影以及罩mask(罩板)图像。为了使投影后的曲线更能体现黑心的特征，需要将其他缺陷屏蔽掉，即不参加投影。然后以电池片中心为圆心，进行“圆环投影”，将二维的信号转成一维的曲线进行分析；接着针对曲线进行特征提取。最后分析特征，判断是否存在黑心缺陷。

    制造半导体器件的方法
    15.
    发明公开
    制造半导体器件的方法 有权

    公开(公告)号：CN108735755A

    公开(公告)日：2018-11-02

    申请号：CN201710968649.6

    申请日：2017-10-18

    申请人： 爱思开海力士有限公司

    发明人： 卢侑炫

    IPC分类号： H01L27/11556

    CPC分类号： H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L22/12 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/544 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578 ,  H01L2223/54426

    摘要： 本文可提供一种制造半导体器件的方法。该方法可包括以下步骤：形成第一堆叠，在第一堆叠中依次限定第一焊盘区域、第二焊盘区域和第一虚拟区域；在第一堆叠上形成第二堆叠；通过对第二堆叠进行构图来形成第一焊盘结构和第一基准图案，第一焊盘结构设置在第一堆叠的第一焊盘区域上并具有阶梯形状，第一基准图案设置在第一堆叠的第一虚拟区域上；在第一堆叠上形成第一焊盘掩模图案，第一焊盘掩模图案覆盖第一焊盘区域和第二焊盘区域，并且通过测量从第一基准图案到第一焊盘掩模图案的距离使第一焊盘掩模图案对齐；以及在使第一焊盘掩模图案缩小的同时，通过对第一堆叠的第二焊盘区域进行构图来形成具有阶梯形状的第二焊盘结构。

    一种光伏组件自动修边方法以及修边机
    16.
    发明公开
    一种光伏组件自动修边方法以及修边机 无效

    公开(公告)号：CN108598214A

    公开(公告)日：2018-09-28

    申请号：CN201810343595.9

    申请日：2018-04-17

    申请人： 江苏绿能电力科技有限公司

    发明人： 陈庆宫 ,  谢涛 ,  姚铭

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/66 ,  B26D1/08

    CPC分类号： H01L31/186 ,  B26D1/08 ,  H01L22/12

    摘要： 本发明公开了一种光伏组件自动修边方法以及修边机，包括裁剪部和清洁框，所述裁剪部包括围成框形的四根导向轴，每根导向轴上安装一个可移动刮刀器，刮刀器面向待修组件的端部安装两把相向的裁刀，所述清洁框位于裁剪部下方。本发明将产线自动化，提高了组件生产的效率；机械削边整齐美观，使外观达到A级要求；杜绝人工削边带来的安全隐患；可以自动检测削边是否平整并能够重复削剪操作，提高产品精度；多余的背板及EVA膜削去后掉落在机械设备下方的清洁框内，方便清理。

    镜面研磨晶圆的制造方法
    19.
    发明授权
    镜面研磨晶圆的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN105612605B

    公开(公告)日：2018-08-21

    申请号：CN201480049474.3

    申请日：2014-08-20

    申请人： 信越半导体株式会社

    发明人： 桥本浩昌 ,  宇佐美佳宏 ,  青木一晃 ,  大葉茂

    IPC分类号： H01L21/304

    CPC分类号： H01L21/02024 ,  B24B37/08 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/304 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26

    摘要： 本发明是一种镜面研磨晶圆的制造方法，其对于从硅晶棒切片而成的多片硅晶圆，以批次方式分别实施下述各工序来制造多片镜面研磨晶圆，这些工序包含：切片歪斜除去工序，其除去因切片所产生的表面的歪斜；蚀刻工序，其除去在切片歪斜除去工序中所产生的歪斜；以及，双面研磨工序，其将蚀刻后的硅晶圆的双面进行镜面研磨；其特征在于，从在切片歪斜除去工序中的同一批次内已处理的硅晶圆当中，选择要在双面研磨工序中以批次方式处理的硅晶圆，且将该选择的硅晶圆的数量设定为与在切片歪斜除去工序中已处理的硅晶圆的数量相同或其约数。由此，提供一种镜面研磨晶圆的制造方法，其能够制造平坦度良好的镜面研磨晶圆。