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公开(公告)号：CN107546304A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710133334.X
申请日：2017-03-08
申请人： 晶元光电股份有限公司
CPC分类号： H01L33/387 , F21K9/232 , F21K9/237 , F21V3/02 , F21V5/04 , F21V23/06 , F21V29/77 , F21Y2115/10 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2224/16245 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2933/0066
摘要： 本发明公开一种发光元件，包含一半导体叠层具有一第一半导体层，一第二半导体层，以及一活性层位于第一半导体层及第二半导体层之间；一第一焊垫与第一半导体层电连接；一第二焊垫与第二半导体层电连接；以及一金属层位于半导体叠层上，其中金属层环绕第二焊垫的多个侧壁，金属层与第二焊垫相隔一间距。
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公开(公告)号：CN107452848A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710166369.3
申请日：2013-06-14
申请人： 首尔伟傲世有限公司
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/005 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/486 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066
摘要： 提供一种其中通过保护绝缘层限定的构造成包围反射金属层的导电阻挡层的发光二极管(LED)及其制造方法。包括反射金属层和导电阻挡层的反射图案形成在其中形成有第一半导体层、活性层和第二半导体层的发光结构上。在形成工艺过程中，导电阻挡层防止反射金属层的扩散，并且延伸至凹进到具有外伸结构的光刻胶图案下方的保护绝缘层。由此防止导电阻挡层与具有外伸结构的光刻胶图案的侧壁形成接触以及反射金属层形成尖端的现象。由此可以制造出具有各种不同形状的LED模块。
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公开(公告)号：CN105449061B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201410442016.8
申请日：2014-09-02
申请人： 展晶科技(深圳)有限公司 , 荣创能源科技股份有限公司
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/005 , H01L33/382 , H01L2933/0016
摘要： 一种发光二极管晶粒，包括基板、依次形成在基板上表面的第一半导体层、有源层、第二半导体层及透明导电层，第一电极以及第二电极分别形成在第一半导体层及透明导电层上，所述第一半导体层上开设有多个间隔的凹槽，所述凹槽的深度随着与第一电极之间的距离变大而变浅，所述透明导电层包括多个穿设在第二半导体层中、且分别与第一半导体层的凹槽对应的间隔设置的延伸部，所述延伸部的导电能力沿靠近第二电极的方向依次变小。本发明还涉及所述发光二极管晶粒的制造方法。
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公开(公告)号：CN107431103A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680016088.3
申请日：2016-03-16
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/62 , H01L33/14
摘要： 根据实施例的发光二极管封装包括：衬底；发光结构，该发光结构被布置在衬底下方并且包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；第一结合焊盘，该第一结合焊盘与第一导电类型半导体层连接同时被嵌入在穿过有源层和第二导电类型半导体层形成的通孔中，第一导电类型半导体层通过通孔被暴露；第二结合焊盘，该第二结合焊盘被布置在第二导电类型半导体层下方同时与第一结合焊盘被分隔开并且与第二导电类型半导体层连接；第一绝缘层，该第一绝缘层被布置在通孔中的发光结构的横向部上和发光结构的下内边缘上；以及第二绝缘层，该第二绝缘层被布置在第一绝缘层和通孔中的第一结合焊盘之间。
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公开(公告)号：CN104350616B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201380030123.3
申请日：2013-05-24
发明人： 丁焕熙
IPC分类号： H01L33/36 , G02F1/13357
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014
摘要： 根据一个实施方式的一种发光器件，所述发光器件包含：发光结构，所述发光结构包含第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层；在所述发光结构下的反射电极；和电极，所述电极设置在所述第一导电半导体层内并包含导电离子植入层。
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公开(公告)号：CN102983129B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201210125520.6
申请日：2012-04-25
申请人： LG伊诺特有限公司
发明人： 黄盛珉
CPC分类号： H01L27/15 , H01L25/0756 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L2224/48091 , H01L2924/12032 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 公开了一种发光器件。发光器件包括：第一段和第二段，其中第一段包括掺杂有第一掺杂剂的第一半导体层、掺杂有第二掺杂剂的第二半导体层、以及在第一半导体层与第二半导体层之间的第一有源层，其中第二段包括：设置在第一段上的具有暴露出的区域的第三半导体层、设置在第三半导体层的除了暴露出的区域之外的区域上的第四半导体层、以及在第三半导体层与第四半导体层之间的第二有源层；设置在第一半导体层上的第一电极；设置在第四半导体层上的第二电极、以及插入到暴露出的区域中的孔中以设置在暴露出的区域和第二半导体层上的第三电极，第三电极电连接至第二半导体层和第三半导体层。
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公开(公告)号：CN104303323B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201380025710.3
申请日：2013-05-10
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 根据本发明的发光器件包含：发光结构，所述发光结构包含第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层；反射电极，所述反射电极布置在所述发光结构下并具有在所述第二导电半导体层下的第一区域和从所述第一区域延伸并穿过所述第二导电半导体层和所述有源层的第二区域；以及电连接到所述第一导电半导体层的电极。
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公开(公告)号：CN105575951B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201510987688.1
申请日：2015-12-25
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
CPC分类号： H01L23/60 , H01L27/15 , H01L27/153 , H01L33/00 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/62 , H01L33/648
摘要： 一种高压发光二极管及其制作方法，包括：提供衬底，并在所述衬底上形成发光外延叠层；图形化所述发光外延叠层并制作沟道直至裸露出衬底表面，从而将发光外延叠层分隔为多个发光二极管单元，且所述发光二极管单元至少组成两个行列；制作电极互联线，横跨于所述沟道上，相邻的两个发光二极管单元通过所述电极互联线连接；制作电极焊盘，形成于所述高压发光二极管的最外围的发光二极管单元上；其特征在于：在所述任意相邻的两个发光二极管电势差≥单个发光二极管的正向电压3倍的沟道处设置绝缘保护层开口，用于避免绝缘保护层被介电击穿时产生的热量诱使发光外延叠层被击穿。
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公开(公告)号：CN104851952B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201510229202.8
申请日：2011-05-18
申请人： 首尔伟傲世有限公司
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265
摘要： 本发明的示例性实施例涉及一种高效发光二极管(LED)。根据示例性实施例的LED包括：基底；半导体堆叠件，布置在基底上，其中，半导体堆叠件具有p型半导体层、有源层和n型半导体层；第一金属层，设置在基底和半导体堆叠件之间，第一金属层与半导体堆叠件欧姆接触；第一电极焊盘，布置在半导体堆叠件上；电极延伸件，从第一电极焊盘延伸，其中，电极延伸件具有与n型半导体层接触的接触区；第一绝缘层，设置在基底和半导体堆叠件之间，其中，第一绝缘层覆盖p型半导体层的在电极延伸件的接触区下方的表面区域；第二绝缘层，设置在第一电极焊盘和半导体堆叠件之间。
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公开(公告)号：CN107134520A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710165552.1
申请日：2013-06-14
申请人： 首尔伟傲世有限公司
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/005 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/486 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066 , H01L33/145
摘要： 提供一种其中通过保护绝缘层限定的构造成包围反射金属层的导电阻挡层的发光二极管(LED)及其制造方法。包括反射金属层和导电阻挡层的反射图案形成在其中形成有第一半导体层、活性层和第二半导体层的发光结构上。在形成工艺过程中，导电阻挡层防止反射金属层的扩散，并且延伸至凹进到具有外伸结构的光刻胶图案下方的保护绝缘层。由此防止导电阻挡层与具有外伸结构的光刻胶图案的侧壁形成接触以及反射金属层形成尖端的现象。由此可以制造出具有各种不同形状的LED模块。
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