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公开(公告)号：CN112820332A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110008817.3
申请日：2021-01-05
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及信息存储技术领域，特别涉及一种可控溶解混合存储器、制备方法及其信息读取方法。存储器具有光学衍射存储单元、电磁超材料存储单元和阻变存储单元；混合存储器包括依次设置的光学衍射层、第一金属层、绝缘层、电磁超材料层和第二金属层；光学衍射层构成光学衍射存储单元；第一金属层、绝缘层和电磁超材料层构成电磁超材料存储单元；第一金属层、绝缘层和第二金属层构成阻变存储单元。该可控溶解混合存储器能够将光学信息、电磁信息以及电学信息等同时存储在存储器中。通过多模式混合编码和可控溶解，能实现多层级可控降解，预设在存储器的信息能随着降解分层级显示，从而实现存储信息在物理层面的加密、解密以及销毁。
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公开(公告)号：CN110088836A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201780058313.4
申请日：2017-08-22
申请人： 合肥睿科微电子有限公司
IPC分类号： G11C11/4072 , G11C11/21 , G11C13/00
摘要： 本文中的实施方式描述了初始化电阻式存储装置(例如，非易失性和易失性存储装置)的技术。在一种方法中，在存储单元的变阻材料上施加第一电压以形成初始细丝，并且执行多个循环以调节所述初始细丝。所述多个循环中的每一个可包括：在所述变阻材料上施加具有第一极性的第二电压，以及在所述变阻材料上施加具有第二极性的第三电压。
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公开(公告)号：CN105474323B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201480047332.3
申请日：2014-08-26
申请人： 英特尔公司
CPC分类号： G11C13/0033 , G11C13/0004 , G11C2013/0076
摘要： 本文公开了包括与刷新存储器单元相关联的系统、方法和装置的实施例。在实施例中，存储器控制器可以被配置成执行诸如相变存储器（PCM）之类的交叉点非易失性存储器中的一个或多个存储器单元上的读取操作。一个或多个存储器单元可以具有分别被设置成第一阈值电压或第二阈值电压的电压值。基于读取，存储器控制器可以识别被设置成第二阈值电压的交叉点非易失性存储器中的存储器单元，并且刷新那些单元的电压值而不更改被设置成第一阈值电压的交叉点非易失性存储器中的存储器单元的电压值。可以描述或要求保护其它实施例。
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公开(公告)号：CN100419906C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN01823537.9
申请日：2001-08-13
申请人： 先进微装置公司
IPC分类号： G11C11/21
CPC分类号： G11C13/0064 , B82Y10/00 , G11C11/34 , G11C11/5664 , G11C13/0009 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C13/0069 , G11C13/04 , G11C2213/11 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/35 , G11C2213/52 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , H01L27/28 , H01L27/285 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/14 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1616 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/0041 , H01L51/0042 , H01L51/0051 , H01L51/0062 , H01L51/0077 , H01L51/0078 , H01L51/0094 , H01L51/0595
摘要： 发明涉及计算机工程领域并可用于不同种类计算机的存储器装置中，也可用于发展新世代的影像与声音设备，用于发展关联存储器系统，以及生成用于类神经网络之突触(synapses)(具有可编程的电子阻抗的电子电路组件)。本发明的存储器单元可提供存储数个数据位并具有高速切换。所述存储器单元包含二个连续的铝电极1与2，介于该铝电极1与2之间具有由作用层3、阻障层4以及被动层5所构成之多层功能区域。
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公开(公告)号：CN1343008A
公开(公告)日：2002-04-03
申请号：CN01131028.6
申请日：2001-09-04
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： G11C11/22
摘要： 本发明的半导体存储装置的驱动方法,其装置是由串联连接的铁电体电容器CF11、CF12、CF13、CF14和单元选择晶体管Q11、Q12、Q13、Q14构成的多个存储单元相互并联连接。第1共同节点N11与施加读出电压的第1置位线SET1连接,第2共同节点N12与第1复位线RST1和第1读出晶体管Q16的栅极连接。加到第1置位线SET1上的读出电压的大小设定为,在除去该读出电压时,读出数据的铁电体电容器的铁电体膜的极化偏移恢复到读出数据之前的偏移。在提高半导体存储装置的记忆特性的同时,谋求读出晶体管的动作的稳定性。
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公开(公告)号：CN1267389A
公开(公告)日：2000-09-20
申请号：CN98808217.9
申请日：1998-06-17
申请人： 薄膜电子有限公司
IPC分类号： G11C11/21 , G11C11/22 , G11C11/42 , G11C13/02 , H03K19/177
CPC分类号： G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/0016 , G11C13/04 , G11C17/00 , G11C17/14 , G11C17/16 , G11C17/165 , G11C2213/71 , G11C2213/77
摘要： 一种用于数据记录、存储和/或处理的电可寻址无源器件,包含一种如层状连续的或图形的结构(S)形式的可以产生物理或化学状态变化的功能媒质(1),功能媒质(1)由互相独立的可寻址单元(2)组成,其代表一个被记录的或被检测的值或是赋予单元的一个预置的逻辑值。单元(2)处于接触单元(2)中功能媒质的电极组(E)中的阳极(3)和阴极(4)之间并引起它们的电耦合,功能媒质具有非线性的阻抗特征,由此单元(2)能够直接地用影响单元状态变化的能量供给。在用于无源器件的电寻址方法中,其中寻址包含对指定给单元之逻辑值的写、读和开关的检测、记录和其它操作的操作,电能量直接加到单元的功能媒质,以便改变其状态并因此有效进行寻址操作。本发明用在光检测器件、体数据存储器件或数据处理器件中。
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公开(公告)号：CN113646840B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202080017482.5
申请日：2020-09-11
申请人： 合肥睿科微电子有限公司
发明人： 达努特·马内亚
IPC分类号： G11C11/21 , G11C11/4063 , G11C11/409 , G11C11/40 , G11C11/34 , G11C5/14
摘要： 所公开的电路和方法用于随机存取存储器单元的电压模式位线预充电。一种电路包括：随机存取存储器单元阵列；用于提供预充电电压的低阻抗电压源；控制电路，该控制电路用于在读取其中一个所述随机存取存储器单元之前，利用所述低阻抗电压源，将该其中一个所述随机存取存储器单元的位线预充电至所述预充电电压。
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公开(公告)号：CN105474323A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480047332.3
申请日：2014-08-26
申请人： 英特尔公司
CPC分类号： G11C13/0033 , G11C13/0004 , G11C2013/0076
摘要： 本文公开了包括与刷新存储器单元相关联的系统、方法和装置的实施例。在实施例中，存储器控制器可以被配置成执行诸如相变存储器（PCM）之类的交叉点非易失性存储器中的一个或多个存储器单元上的读取操作。一个或多个存储器单元可以具有分别被设置成第一阈值电压或第二阈值电压的电压值。基于读取，存储器控制器可以识别被设置成第二阈值电压的交叉点非易失性存储器中的存储器单元，并且刷新那些单元的电压值而不更改被设置成第一阈值电压的交叉点非易失性存储器中的存储器单元的电压值。可以描述或要求保护其它实施例。
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