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公开(公告)号：CN101764130B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN200910266326.8
申请日：2009-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L21/033 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/105 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L21/76229 , H01L27/0207 , H01L27/11519 , H01L27/11526
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及形成半导体器件的图案的方法，在半导体器件的图案的形成方法中，通过在一部分器件区中进行双重构图而使得图案密度加倍且不同宽度的图案被同时形成，具有可容易地应用该方法的结构的半导体器件。该半导体器件包括在第一方向上彼此平行地延伸的多个线图案。从多个线图案中在第二方向上间隔选出多个第一线图案，并且每个第一线图案具有靠近第一侧的第一端。从多个线图案中在第二方向上间隔选出的多个第二线图案，并且每个第二线图案具有靠近第一侧的第二端。第一线图案与第二线图案交替，每个第一线图案的第一端比每个第二线图案的第二端更远离第一侧。
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公开(公告)号：CN101211860B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200710305754.8
申请日：2007-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L21/768 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/11524 , H01L27/115 , H01L27/11521 , Y10S438/954
Abstract: 一种形成非易失性存储器件的方法，包括形成第一掩模图形，该第一掩模图形在其间可以具有相对大的距离。形成保形地覆盖第一掩模图形的距离调整层。在第一掩模图形之间的距离调整层上的沟槽中形成第二掩模图形。
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公开(公告)号：CN102024822A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010283670.0
申请日：2010-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L27/02 , H01L27/06 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11531 , H01L27/11526 , H01L28/20 , H01L28/24
Abstract: 本申请提供了一种包括电阻器的半导体器件及其制造方法的实施例。该半导体器件包括：模型图案，被布置在半导体衬底上以限定沟槽；电阻图案，包括本体区以及第一接触区和第二接触区，本体区覆盖沟槽的底部和侧壁，第一接触区和第二接触区分别在模型图案的上表面上从本体区开始延伸；以及第一线和第二线，分别接触第一接触区和第二接触区。
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公开(公告)号：CN101764130A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910266326.8
申请日：2009-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L21/033 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/105 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L21/76229 , H01L27/0207 , H01L27/11519 , H01L27/11526
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及形成半导体器件的图案的方法，在半导体器件的图案的形成方法中，通过在一部分器件区中进行双重构图而使得图案密度加倍且不同宽度的图案被同时形成，具有可容易地应用该方法的结构的半导体器件。该半导体器件包括在第一方向上彼此平行地延伸的多个线图案。从多个线图案中在第二方向上间隔选出多个第一线图案，并且每个第一线图案具有靠近第一侧的第一端。从多个线图案中在第二方向上间隔选出的多个第二线图案，并且每个第二线图案具有靠近第一侧的第二端。第一线图案与第二线图案交替，每个第一线图案的第一端比每个第二线图案的第二端更远离第一侧。
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公开(公告)号：CN101211860A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710305754.8
申请日：2007-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L21/768 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/11524 , H01L27/115 , H01L27/11521 , Y10S438/954
Abstract: 一种形成非易失性存储器件的方法，包括形成第一掩模图形，该第一掩模图形在其间可以具有相对大的距离。形成保形地覆盖第一掩模图形的距离调整层。在第一掩模图形之间的距离调整层上的沟槽中形成第二掩模图形。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117896984A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202310698983.X
申请日：2023-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体装置和包括该半导体装置的电子系统。所述半导体装置包括：第一栅极堆叠结构，包括彼此交替地堆叠的第一介电图案和第一导电图案；存储器沟道结构，包括穿透第一栅极堆叠结构的第一存储器部分；贯通接触件，包括在与第一存储器部分的水平相同的水平处的第一贯通部分；以及连接接触件，包括在与第一存储器部分的水平和第一贯通部分的水平相同的水平处的第一连接部分。第一存储器部分的最小宽度小于第一贯通部分的最小宽度和第一连接部分的最小宽度。
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公开(公告)号：CN117641920A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310489265.1
申请日：2023-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种三维半导体器件包括：源极结构，包括单元区和延伸区；栅极堆叠结构，设置在源极结构上，该栅极堆叠结构包括彼此交替地堆叠的绝缘图案和导电图案；绝缘结构，设置在栅极堆叠结构上，该绝缘结构包括多个绝缘层；存储沟道结构，穿透栅极堆叠结构，并电连接到单元区；分离结构，穿透栅极堆叠结构，并从单元区延伸到延伸区；以及穿透插塞，穿透栅极堆叠结构和延伸区，其中，穿透插塞包括：第一插塞部分，穿透栅极堆叠结构；以及第二插塞部分，在第一插塞部分上，其中，分离结构包括：第一分离部分，穿透栅极堆叠结构；以及第二分离部分，在第一分离部分上，并且其中，第一插塞部分的顶表面与第一分离部分的顶表面处于基本相同的高度处。
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公开(公告)号：CN117641916A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311099375.3
申请日：2023-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B41/27 , H10B41/30 , H10B41/40 , H10B43/27 , H10B43/30 , H10B43/40 , H10B51/20 , H10B51/30 , H10B51/40 , H10B63/10 , H10B63/00
Abstract: 示例实施方式提供半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统。该半导体器件可以包括第一结构、在第一结构上的第二结构以及穿过第一结构和第二结构的栅极接触插塞。第一结构可以包括：包括交替堆叠的第一栅极层和第一绝缘层的第一堆叠结构、穿过第一堆叠结构的至少第一部分的第一焊盘覆盖图案、以及穿过第一堆叠结构的至少第二部分并与第一焊盘覆盖图案间隔开的第一缓冲覆盖图案。第二结构可以包括：包括交替堆叠的第二栅极层和第二绝缘层的第二堆叠结构、以及穿过第二堆叠结构的至少一部分的第二焊盘覆盖图案。第一栅极层可以包括由第一焊盘覆盖图案覆盖的第一栅极焊盘。
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公开(公告)号：CN102024822B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201010283670.0
申请日：2010-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L27/02 , H01L27/06 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11531 , H01L27/11526 , H01L28/20 , H01L28/24
Abstract: 本申请提供了一种包括电阻器的半导体器件及其制造方法的实施例。该半导体器件包括：模型图案，被布置在半导体衬底上以限定沟槽；电阻图案，包括本体区以及第一接触区和第二接触区，本体区覆盖沟槽的底部和侧壁，第一接触区和第二接触区分别在模型图案的上表面上从本体区开始延伸；以及第一线和第二线，分别接触第一接触区和第二接触区。
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公开(公告)号：CN102024779B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201010282946.3
申请日：2010-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/0334 , H01L21/0337 , H01L21/3081 , H01L21/311 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L21/76816 , H01L23/528 , H01L27/11521 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件中的图案结构及其形成方法。该图案结构包括延伸线和与该延伸线的端部连接的焊垫。该焊垫可具有比该延伸线的宽度更大的宽度。该焊垫包括从该焊垫的侧部延伸的突出部分。该图案结构可通过简化的工艺形成且可用于需要微小图案和焊垫的各种半导体器件中。
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