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公开(公告)号：CN110838498B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201910724715.4
申请日：2019-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种图像传感器，其包括包含多个像素的第一基板、在每个像素处的第一基板中的光电转换区域、第一基板上的第一电容器、以及与第一电容器间隔开并围绕第一电容器的屏蔽结构。
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公开(公告)号：CN112397536A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010805347.9
申请日：2020-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。图像传感器包括：第一基板；多个光电转换单元，位于第一基板中；第一连接层，设置在第一基板上；多个第一像素焊盘，设置在第一连接层上；多个第一外围焊盘，设置在第一基板上；多个第二像素焊盘，分别位于多个第一像素焊盘上；多个第二外围焊盘，分别位于多个第一外围焊盘上；第二连接层，设置在多个第二像素焊盘和多个第二外围焊盘上；器件，设置在第二连接层上；以及第二基板，设置在第二连接层和器件上，其中，多个第一像素焊盘的间距与第一基板的多个像素区域的间距基本上相同。
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公开(公告)号：CN111081726A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910988523.4
申请日：2019-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明构思提供一种基于结构光(SL)的三维(3D)图像传感器，具有其中布线层的制造工艺的难度降低和/或电容器的底部焊盘的区域增加的结构。所述3D图像传感器包括：包括半导体衬底中的光电二极管和栅极组的像素区域，栅极组包括多个栅极；在像素区域的上部上的多重布线层，多重布线层包括至少两个布线层；以及位于作为多重布线层中的最低布线层的第一布线层和在第一布线层上的第二布线层之间的电容器结构，电容器结构包括底部焊盘、顶部焊盘和多个电容器，其中，底部焊盘连接至第一布线层。
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公开(公告)号：CN109585473A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811132946.8
申请日：2018-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种制造图像感测设备的方法，包含：形成包含像素区域的第一区域的第一衬底结构，第一衬底结构具有第一表面和第二表面；形成包含用于驱动像素区域的电路区域的第二衬底结构，第二衬底结构具有第三表面和第四表面；将第一衬底结构结合到第二衬底结构，以使得第一表面连接到第三表面；在第二表面上形成像素区域的第二区域；形成第一连接通孔，第一连接通孔从第二表面延伸以穿过第一衬底结构；使用导电凸块将半导体芯片安装在第四表面上；以及将第一衬底结构、第二衬底结构以及半导体芯片的堆叠结构分离成单元图像感测设备。
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公开(公告)号：CN107768388A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710700946.2
申请日：2017-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14683
Abstract: 一种配置为提供提高的可靠性的图像传感器可以包括含多种不同元素的电荷钝化层，不同元素的每种元素为金属元素或准金属元素。不同元素可以包括周期表元素的第一族的第一元素以及周期表元素的第二不同的族的第二元素。电荷钝化层可以包括非晶晶体结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101055917B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN200710001604.8
申请日：2007-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/32
Abstract: 多位存储单元，存储对应于高阻抗状态和低于高阻抗状态的多个其他阻抗状态的信息。通过将相应电流施加到存储元件，多位存储单元内的存储元件的阻抗从高阻抗状态切换到其他多个阻抗状态之一。
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公开(公告)号：CN101533848A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910118570.X
申请日：2009-03-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/00 , G11C13/0004 , G11C13/0011 , G11C13/003 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/78 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/249 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/1226 , H01L45/146 , H01L45/1633
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器器件及相关的方法和处理系统，即提供一种非易失性存储器器件、制造该非易失性存储器器件的方法以及包括该非易失性存储器器件的处理系统。非易失性存储器器件包括：多个内部电极，在与衬底的面基本垂直的方向上延伸；多个第一外部电极，与衬底的面基本平行地延伸；以及多个第二外部电极，也与衬底的面基本平行地延伸。每个第一外部电极位于相应的内部电极的第一侧，而每个第二外部电极位于相应的内部电极的第二侧。这些器件还包括：多个可变电阻器，与内部电极、第一外部电极和第二外部电极接触。
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公开(公告)号：CN101256831A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810004459.3
申请日：2008-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/15 , G11C11/005 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/5607 , G11C11/5678 , G11C13/00 , G11C13/0004 , G11C13/02 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/146 , H01L45/147 , Y10S977/754 , Y10S977/935
Abstract: 一种集成电路存储器装置可以包括集成电路基底，以及在所述集成电路基底上的多位存储器单元。所述多位存储器单元可以被配置为：通过改变所述多位存储器单元的第一特性来储存第一数据位，以及通过改变所述多位存储器单元的第二特性来储存第二数据位。此外，所述第一和第二特性可以不同。还描述了相关方法。
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公开(公告)号：CN1591673A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410056683.9
申请日：2004-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: B82Y25/00 , G11C11/15 , H01F10/3204 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3295 , H01L43/08
Abstract: 本发明公开了一种磁隧道结及包括它的存储器件。该磁隧道结器件包括磁可编程自由磁性层。该自由磁性层包含至少两层铁磁层和夹在该至少两层铁磁层之间的至少一中间层的叠层。
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公开(公告)号：CN110993629B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN201910706919.5
申请日：2019-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。一种图像传感器可以包括：基板，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；在基板中的光电转换层；以及在基板的第一表面上的下电容器连接图案。基板的第二表面可以被配置为接收入射光。下电容器连接图案可以包括电容器区域和从电容器区域突出的着陆区域。图像传感器还可以包括：电容器结构，包括顺序地堆叠在电容器区域上的第一导电图案、电介质图案和第二导电图案；第一布线，在电容器结构上并连接到第二导电图案；以及第二布线，连接到着陆区域。第一导电图案可以连接到下电容器连接图案。第一布线的面向基板的表面和第二线的面向基板的表面可以是共面的。
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