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公开(公告)号：CN1489248A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN03159420.4
申请日：2003-09-19
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0218 , H01S5/0425 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/32341 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供氮化物系半导体激光元件，能谋求激光的稳定化，同时抑制阈值电流和动作电流的增大。该氮化物系半导体激光元件包括由经掺杂的氮化物系半导体及硅化物系材料二者之一组成的基板，形成于基板上的n型包层，由形成于n型包层上的氮化物系半导体构成的活性层，形成于活性层上的p型包层，活性层，仅在n型包层及p型包层之间中的活性层与p型包层之间形成的光导层。
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公开(公告)号：CN101272035B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200810100306.9
申请日：2008-03-14
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置和其制造方法，该半导体激光装置包括：沿着共振器延伸的第一方向或与第一方向交叉的第二方向存在弯曲的半导体激光元件；和固定半导体激光元件的弯曲的凸出侧的基台，在第一方向和第二方向中弯曲较大的方向上的半导体激光元件的一个端部和基台之间的距离小于在第一方向和第二方向中弯曲较大的方向上的半导体激光元件的另一端部和基台之间的距离。
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公开(公告)号：CN102171899A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200980138656.7
申请日：2009-09-17
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/40
CPC classification number: H04N9/3161 , B82Y20/00 , H01L2224/48091 , H01S5/0216 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/02476 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/24 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/4043 , H01S5/4093 , H04N9/3105 , H04N9/3111 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种能够容易地得到所希望的色相的半导体激光装置。该半导体激光装置(100)具备：具有一个或多个激光发光部的绿色半导体激光元件(30)、具有一个或多个激光发光部的蓝色半导体激光元件(50)、具有一个或多个激光发光部的红色半导体激光元件(10)。而且，绿色半导体激光元件、蓝色半导体激光元件和红色半导体激光元件中的至少二个半导体激光元件具有如下关系，即，合计输出相对小的半导体激光元件的激光发光部的个数比合计输出相对大的具有多个激光发光部的半导体激光元件的激光发光部的个数、或输出相对大的具有一个激光发光部的半导体激光元件的个数多。
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公开(公告)号：CN102142659A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110035365.4
申请日：2006-03-27
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4043 , B82Y20/00 , G11B7/123 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/02212 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置和光学拾取装置，半导体激光装置的蓝紫色发光点、红色发光点和红外发光点，配置成按该顺序沿Y方向大致排列在直线上。从蓝紫色发光点发射的蓝紫色激光和从红色发光点发射的红色激光，通过由偏振光束分离器、准直透镜、光束扩展器、λ/4片、物镜、柱面透镜和光轴校正元件构成的光学系统入射到光盘上，从光盘返回后被导向同一个光检测器。从红外发光点发射的红外激光，通过上述光学系统入射到光盘上，从光盘返回后被导向光检测器。
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公开(公告)号：CN101459318B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200910000559.3
申请日：2005-02-21
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L21/0243 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L33/0075 , H01L33/025
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件的制造方法，在具有从表面贯通到背面的条状的位错集中区域的GaN基板的表面上将氮化物系半导体各层以均匀的膜厚进行层叠。氮化物系半导体基板，例如，沿GaN基板表面的位错集中区域，在位错集中区域附近的非位错集中区域形成槽。在形成了该槽的GaN基板的表面上形成氮化物系半导体的各层，作为结晶成长层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101361238B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200780001734.X
申请日：2007-07-31
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/02
CPC classification number: H01S5/0425 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件及其制造方法，能够得到能够抑制光波导的损伤的半导体激光元件。该GaN类半导体激光芯片(半导体激光元件)包括：由氮化物类半导体构成的n型GaN基板；和形成在n型GaN基板上，由形成有构成在F方向延伸的光波导的脊部的氮化物类半导体构成的半导体层。此外，脊部(光波导)形成在从半导体层的中央部向一侧偏移的区域中。此外，在与脊部(光波导)的一侧相反的一侧的区域中，以在与脊部(光波导)延伸的F方向交叉的方向延伸的方式，从半导体层侧形成有解理导入用台阶。
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公开(公告)号：CN100533794C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200710147743.1
申请日：2004-02-06
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
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公开(公告)号：CN100511742C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200710147742.7
申请日：2004-02-06
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
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公开(公告)号：CN101272035A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810100306.9
申请日：2008-03-14
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置和其制造方法，该半导体激光装置包括：沿着共振器延伸的第一方向或与第一方向交叉的第二方向存在弯曲的半导体激光元件；和固定半导体激光元件的弯曲的凸出侧的基台，在第一方向和第二方向中弯曲较大的方向上的半导体激光元件的一个端部和基台之间的距离小于在第一方向和第二方向中弯曲较大的方向上的半导体激光元件的另一端部和基台之间的距离。
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