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公开(公告)号：CN113504268A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110647239.8
申请日：2021-06-10
Applicant: 上海大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 本发明公开了一种用于卤化物钙钛矿器件的系统级电学性能测试装置，提供真空测试条件，提供不同温度测试条件，减少器件的拆取，减少夹具对器件的损失，将测试系统与数据采集进行自动化处理。所述测试装置包括真空装置、夹具装置、测试仪器、控制程序。所述测试凹台由塑料材质与金属外壳进行绝缘处理，测试台上方铜制平台及上方铜制弹片通过铜丝导线与电学测试接口连接。本发明构建了一套完整的电学测试系统，解决了钙钛矿材料测试引起的材料水解、材料水氧反应等引起的测试不稳定问题，实现了低温下和变温条件下的电学测试，实现了电学测试金属屏蔽，实现了程序自动化测试，提高了电学测试的准确性。
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公开(公告)号：CN112786744A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110177271.4
申请日：2021-02-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种平面结构的二维全无机钙钛矿白光LED器件的制备方法，通过酸化学法、真空抽滤以及干法球磨工艺制备微米尺度的Cs3Sb2Cl9晶体粉末；使用真空沉积法，在石英衬底上制备得到大气环境稳定、结晶质量高、具有明显(110)取向生长的二维全无机钙钛矿Cs3Sb2Cl9薄膜；采用PMMA封装，制成含有TiO2/Cs3Sb2Cl9薄膜的石英基片和UVLED单元的平面结构的白光LED器件。本发明制备方法以步骤简单、成本低、过程可控为特点，可运用于大规模商业生产，具有显著的产业化推广价值。
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公开(公告)号：CN112557343A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011367161.6
申请日：2020-11-27
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种检测高阻半导体材料缺陷及电学性能的多功能集成系统及其测试方法，系统包括光生电流瞬态谱装置，能获取高阻半导体材料内缺陷精确表征和电阻率、迁移率寿命积等电学性能参数，进而研究不同缺陷对高阻半导体材料电学性能影响效应。系统基于光生电流瞬态谱测试方法，配备低温微电流输运恒温台，并利用LABVIEW等编程软件自主编制相应的接口程序、测量和数据采集处理程序，构建了计算机控制的光生电流瞬态谱测试平台，实现了半导体深能级缺陷表征功能。系统集成了低温光电导测试功能和可获取载流子俘获特性来分析缺陷行为功能。为研究半导体材料内部复杂的深能级缺陷及其对器件电学性能的影响机制提供关键可靠的表征手段。
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公开(公告)号：CN106283195A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610805277.0
申请日：2016-09-07
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种连续生长大尺寸钙钛矿单晶的装置及方法，基于环流和逆温结晶来连续生长具有高结晶质量的钙钛矿单晶，属于新型材料器件制造工艺领域。本发明装置利用钙钛矿晶体生长瓶和原料驱动瓶中的温度差使装置中的钙钛矿溶液环流，将原料驱动瓶中的过饱和的钙钛矿溶液源源不断的输运到钙钛矿晶体生长瓶中参与逆温结晶。并通过控制钙钛矿晶体生长瓶和原料驱动瓶的各自的温度T1、T2和相应的温度差T，整体钙钛矿单晶的生长时间t，以及通过原料驱动瓶加入装置的原料m来控制钙钛矿单晶的生长速度和生长大小。本发明可以连续并且快速的生长钙钛矿单晶，易于大规模生产。通过本发明晶体制备方法，可生长得到对角线长度为钙钛矿晶体生长瓶尺寸大小的钙钛矿单晶，最大生长速度为1厘米/天，具有显著的产业化推广价值。
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公开(公告)号：CN118604671A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410587956.X
申请日：2024-05-13
Applicant: 上海大学
IPC: G01R31/52 , G01R19/145 , G01R1/073 , G01R15/04
Abstract: 本发明公开了一种像素型碲锌镉探测器漏电流测试治具及其使用方法，属于像素型碲锌镉探测器电学性能测试领域。本发明包括探针卡盘、第一弹簧探针、第一接触电极、沉金PAD、转接板、第二弹簧探针，探针卡盘中间位置设置测试线缆接口、第一探针固定孔、采集信号输出口，探针卡盘外围设置第二探针固定孔，测试线缆接口通过分压电路与第一探针固定孔、第二探针固定孔电连接，第一弹簧探针、第二弹簧探针分别安装在第一探针固定孔中、第二探针固定孔中，第一探针固定孔、第二探针固定孔通过信号采集电路与采集信号输出口电连接。本发明通过分压电路使测试治具在同一时间对碲锌镉探测器各像素点进行加压，提高测试效率，提升测试结果可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113001376A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110212877.7
申请日：2021-02-25
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种CH3NH3PbI3(MAPbI3)晶体的抛光方法，涉及抛光领域，包括以下步骤：准备好待抛光的晶体，对待抛光的晶体表面进行细砂纸的打磨处理；配制抛光液，通过煤油与硅油以1:9的体积比进行混合，配制抛光液溶剂；将25mL溶剂与2g氧化镁抛光粉混合后超声均匀分散，形成所用的抛光液；将抛光液均匀倾倒至金相绒布抛光垫上，对待抛光的晶体进行抛光；通过煤油对晶体进行清洗，得到理想的晶体表面。MAPbI3晶体通过此方法抛光后，表面缺陷显著减少，电学性质明显提高。
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公开(公告)号：CN111312857A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010126593.1
申请日：2020-02-28
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/0236 , H01L31/032 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种利用有机高分子材料降低钙钛矿探测器暗电流的方法，通过对关键材料，特别是有机材料的具体种类及用量的调控，并对相应辐射探测器制备的工艺流程及关键步骤所使用的参数条件进行了一定的改进，对热喷涂工艺所采用的温度及时间进行设置，达到能够满足商业需求的多晶卤化物钙钛矿光电探测器，其结构为ITO/多晶CsPbBr3/Au电极。本发明制作的无机钙钛矿CsPbBr3探测器具有较低的暗电流数量级，较高的信噪比以及优异的水氧稳定性。该半导体探测器的制备方法步骤简单，成本低廉，过程低温可控，且所制备的CsPbBr3材料抗水氧能力优异，可将本发明方法运用于大规模商业生产，具有显著的产业化推广价值。
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公开(公告)号：CN110565165A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201810568142.6
申请日：2018-06-05
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于溶液的碘化铯单晶薄片的生长方法，将碘化铯在二甲基亚砜(DMSO)中，溶解度会随着温度的上升而呈现降低的趋势，对碘化铯溶液加热可以得到籽晶，然后把籽晶放进特殊的玻璃装置里面生长可以得到质量较好的碘化铯单晶薄片。本发明操作方便，所用原料成本低廉，能够从碘化铯溶液来析出高质量的碘化铯单晶薄片。本发明采用溶液析出法和模具约束调控法相结合，能够制备出尺寸可控、透光度和出光效率优异的碘化铯单晶薄片。本发明生长出来的碘化铯单晶薄片质量高，透明度高且具备独特的光致发光性能，该制备方法制备出来的单晶薄片可搭配硅基光电二极管可制作出优异性能的平板X射线探测器。
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公开(公告)号：CN107779953A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710821497.7
申请日：2017-09-13
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于溶液的无机卤化物闪烁晶体的生长方法，属于晶体材料制造技术领域，其步骤：(a).将有机溶剂N,N-二甲基甲酰胺(DMF)加入到平底烧瓶中，再加入无机卤化物晶体粉末，放在磁力搅拌机上搅拌，使其完全溶解,直至饱和；溶解后，将其过滤，得到长晶的无机卤化物溶液；(b).将步骤(a)的长晶的溶液放置在加热台上进行油浴加热，生长出正方体的无机卤化物单晶晶体；取出上述无机卤化物单晶晶体，对其进行抛光，用乙醇擦洗干净，获得无机卤化物闪烁晶体。该方法操作方便，所用原料成本低廉，能够从无机卤化物的溶液来析出高质量的单晶晶体。
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公开(公告)号：CN106249403A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610813342.4
申请日：2016-09-10
Applicant: 上海大学
IPC: G02B26/08
CPC classification number: G02B26/0833
Abstract: 本发明涉及一种增强MEMS微镜抗变能力的方法，属于微机电系统器件制造领域。本方法采用在微镜背部增加圆环结构的方法降低微镜振动时的动态变形，来保证微镜对光束的正常偏转。具有成本更低、系统更加简单、体积更加精巧、可操作性更强的特点。通过比对三种不同背部结构，圆环形结构在降低动态变形的同时，可以减少工艺步骤，节省工艺成本。
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