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公开(公告)号：CN101047109B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200710086947.9
申请日：2007-03-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/3213 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/66 , G03F1/00 , G03F1/14
Abstract: 本发明是有关于一种使用频谱检测的关键尺寸控制方法。本发明揭露一种图案化一基材的方法，至少包括形成一材料层于基材上；进行一第一蚀刻步骤于材料层上，以形成一图案；使用一光学频谱量测工具，量测材料层的图案：判别量测步骤是否指出第一蚀刻步骤达到一预先定义结果；以及若未达到预先定义结果，则产生一蚀刻配方，并利用此蚀刻配方，对材料层进行一第二蚀刻步骤。本发明使用光学关键尺寸量测工具，可以在一蚀刻制程后，量测图案化特征的关键尺寸与轮廓，并调整此蚀刻制程及/或其他蚀刻制程的蚀刻配方，非常适于实用。
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公开(公告)号：CN1945440A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610140407.X
申请日：2006-09-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/70625 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 本发明是有关于一种用以监测图案尺寸的系统与方法，其是用于具有一透明层以及一非透明图案的物件，该透明层是裸露于该图案，该非透明图案是与该透明层层压。根据此方法，其是将一第一光束投射于该图案上。侦测一第二光束，该第二光束是该第一光束通过裸露于该图案的该透明层所产生，或是该第一光束由该图案的非透明层反射所产生。由测得的第二光束获得一预先设定属性的值。监测该值的变化，用以鉴别该图案的尺寸。此系统与方法是以替代的方案，借由计算在一监测区域内透射能量与反射能量的比例，来收集关于尺寸与相位的资讯。由于这些方案经久耐用且易于整合在一蚀刻室内，因此可以在一蚀刻制程中提供同步量测。
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公开(公告)号：CN109307989B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201810847468.2
申请日：2018-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种光刻工艺方法，包括：形成一抗蚀剂层于一基板上；执行一第一曝光工艺以将一第一光罩的一第一子区域的一第一图案成像至一次场中的一抗蚀剂层；执行一第二曝光工艺以将第一光罩的一第二子区域的一第二图案成像至次场中的上述抗蚀剂层；以及执行一第三曝光工艺以将一第二光罩的第一子区域的一第三图案成像至次场中的抗蚀剂层。其中，第二图案以及第三图案与第一图案相同；以及第一曝光工艺、第二曝光工艺以及第三曝光工艺共同于次场中的抗蚀剂层上形成第一图案的一潜像(latent image)。
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公开(公告)号：CN106019821B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201510784303.1
申请日：2015-11-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/00 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供了电子束(e‑束)光刻工艺的方法。该方法包括将衬底装载至电子束(e‑束)系统，从而使得限定在衬底上的场的第一子集沿着第一方向排列在衬底上。该方法也包括定位多个电子束柱，多个电子束柱具有沿着第一方向排列的电子束柱的第一子集。将电子束柱的第一子集的电子束柱导向至场的第一子集的不同的场。该方法也包括以扫描模式实施第一曝光工艺，从而使得多个电子束柱沿着第一方向扫描衬底。本发明的实施例还涉及具有多个柱的电子束光刻工艺。
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公开(公告)号：CN107463065A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710358246.X
申请日：2017-05-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/72
CPC classification number: G06T7/0004 , G03F1/24 , G03F1/26 , G03F1/72 , G03F1/84 , G06T7/001 , G06T7/11 , G06T2207/10004 , G06T2207/10056 , G06T2207/30148 , H01L21/0273
Abstract: 本发明的实施例提供了一种修复掩模的方法，包括检查掩模以定位掩模的缺陷的缺陷区域。获取缺陷区域的空中影像的相位分布。确定成像系统的点扩散函数。基于缺陷区域的空中影像的相位分布和点扩散函数来确认掩模的一个或多个修复区域。对掩模的一个或多个修复区域执行修复工艺以形成一个或多个修复部件。
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公开(公告)号：CN103454853B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201210451288.5
申请日：2012-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/78 , G03F1/56 , H01L21/027 , H01L21/311
CPC classification number: G03F1/56 , G03F1/78 , G03F7/2063 , H01L21/0276 , H01L21/0277
Abstract: 一种用于电子束图案化的方法，包括：在衬底上形成导电材料层；在导电材料层上形成底部抗反射涂覆(BARC)层；在BARC层上形成抗蚀剂层；以及将电子束(电子束)引导至感光抗蚀剂层以用于电子束图案化工艺。设计BARC层，使得在电子束图案化工艺期间抗蚀剂层的顶部电势基本为零。
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公开(公告)号：CN105809720A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201510434808.5
申请日：2015-07-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06T9/00
Abstract: 本发明公开了用于无掩模直写光刻的系统和方法。该方法包括：接收表示集成电路(IC)布局的多个像素；识别适合于第一压缩方法的像素的第一子集；以及识别适合于第二压缩方法的像素的第二子集。该方法还包括分别使用第一压缩方法和第二压缩方法压缩第一子集和第二子集，从而产生压缩数据。该方法还包括将压缩数据传输至无掩模直写器，以用于制造衬底。在实施例中，第一压缩方法使用行程编码，并且第二压缩方法使用基于词典的编码。由于混合压缩方法，压缩数据能够以足够用于大批量IC制造的数据速率膨胀比率进行解压缩。
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公开(公告)号：CN105205201A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510344663.X
申请日：2015-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G03F1/36 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , G06F2217/12 , H01L21/76229 , H01L27/0203 , H01L27/0207
Abstract: 本发明提供了集成电路(IC)方法的实施例，该方法包括接收IC设计布局，IC设计布局具有多个主要部件和多个空间块。该IC方法也包括计算最优化的块伪密度比率r0以使图案密度均匀性(UPD)最优化，确定目标块伪密度比率R，确定不可印刷的伪部件的尺寸、节距和类型，生成不可印刷的伪部件的图案以及将不可印刷的伪部件添加在IC设计布局中。
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公开(公告)号：CN103454853A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201210451288.5
申请日：2012-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/78 , G03F1/56 , H01L21/027 , H01L21/311
CPC classification number: G03F1/56 , G03F1/78 , G03F7/2063 , H01L21/0276 , H01L21/0277
Abstract: 一种用于电子束图案化的方法，包括：在衬底上形成导电材料层；在导电材料层上形成底部抗反射涂覆(BARC)层；在BARC层上形成抗蚀剂层；以及将电子束(电子束)引导至感光抗蚀剂层以用于电子束图案化工艺。设计BARC层，使得在电子束图案化工艺期间抗蚀剂层的顶部电势基本为零。
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公开(公告)号：CN100529968C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610140407.X
申请日：2006-09-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/70625 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 本发明是有关于一种用以监测图案尺寸的系统与方法，其是用于具有一透明层以及一非透明图案的物件，该透明层是裸露于该图案，该非透明图案是与该透明层层压。根据此方法，其是将一第一光束投射于该图案上。侦测一第二光束，该第二光束是该第一光束通过裸露于该图案的该透明层所产生，或是该第一光束由该图案的非透明层反射所产生。由测得的第二光束获得一预先设定属性的值。监测该值的变化，用以鉴别该图案的尺寸。此系统与方法是以替代的方案，借由计算在一监测区域内透射能量与反射能量的比例，来收集关于尺寸与相位的资讯。由于这些方案经久耐用且易于整合在一蚀刻室内，因此可以在一蚀刻制程中提供同步量测。
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