公开(公告)号：CN101330121A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810125316.8

申请日：2008-06-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小河淳 ,  驹田聪 ,  高冈宏树 ,  中津弘志

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光装置的制造方法，在包括夹置于衬底(101)上的n型氮化物半导体层(103、104)和p型氮化物半导体层(106至108)之间的氮化物半导体有源层(105)的氮化物半导体发光装置的制造方法中，n型层、有源层和p型层的至少任何之一包括多层膜结构，并且表面活性剂材料在包括在多层膜结构中的层的晶体生长之前、期间或者之后提供到晶体生长表面。

公开(公告)号：CN100420110C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200610091605.1

申请日：2006-06-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 石田真也 ,  小河淳 ,  花冈大介

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明公开了一种制造激光器件的方法，其包括在高于具有低熔点的金属的熔点的温度下使金属熔化，从而通过金属将激光器芯片固定到支架上，在低于所述熔点的加热温度下加热固定了激光器芯片的支架，之后，采用管壳覆盖固定了激光器芯片的支架，由此密封激光器芯片。可以在产生臭氧的环境内，或者产生氧等离子体的环境下执行加热步骤。此外，在干空气或惰性气体中采用管壳覆盖固定了激光器芯片的支架，从而制作密封封闭封装，之后在加热的同时向封装内照射紫外线。本发明在不劣化激光器芯片所采用的焊料和电极的情况下去除附着在包括激光器芯片、芯柱和管壳的封装元件上的污染物，并在激光器芯片工作时抑制光化学反应物质在发光端面上沉积。

公开(公告)号：CN101242077A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810004004.1

申请日：2006-06-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 石田真也 ,  小河淳 ,  花冈大介

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明公开了一种制造激光器件的方法，其包括将激光器芯片固定到具有光透射窗的封装的内部；密封地封闭所述封装的内部；以及通过所述光透射窗向所述封装的内部照射具有420nm或更短波长的光，同时在70℃或更高的温度下加热所述激光器件。本发明在不劣化激光器芯片所采用的焊料和电极的情况下去除附着在包括激光器芯片、芯柱和管壳的封装元件上的污染物，并在激光器芯片工作时抑制光化学反应物质在发光端面上沉积。

公开(公告)号：CN1816952A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200480018816.1

申请日：2004-06-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山本秀一郎 ,  小河淳 ,  石田真也 ,  神川刚

IPC: H01S5/022

CPC classification number: H01S5/02272 ,  H01L24/45 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/05114 ,  H01L2224/05117 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05138 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/0517 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05172 ,  H01L2224/05178 ,  H01L2224/05179 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05605 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05617 ,  H01L2224/05618 ,  H01L2224/0562 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/12041 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/32341 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01062 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2224/43 ,  H01L2924/01006

Abstract: 公开了一种具有出色可靠性和长寿命的氮化物半导体发光器件及制造这样的氮化物半导体发光器件的方法。氮化物半导体发光芯片安装在次底座(103)上，该芯片中，氮化物半导体层和第一电极(211)形成在导电衬底的前面上，第二电极(212)形成在导电衬底的背面上。安装有氮化物半导体发光芯片的次底座(103)安装在管座(105)上，由此形成氮化物半导体发光器件。