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1.

发明公开
半导体封装体的接合结构、其制造方法及半导体封装体无效

公开(公告)号：CN102569239A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110463174.8

申请日：2011-12-01

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 金圣哲

IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/528 , H01L21/60

CPC分类号： H01L23/5384 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/17 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/0401 , H01L2224/05551 , H01L2224/0557 , H01L2224/05578 , H01L2224/05599 , H01L2224/05609 , H01L2224/05611 , H01L2224/05616 , H01L2224/05618 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/05671 , H01L2224/0568 , H01L2224/05684 , H01L2224/0603 , H01L2224/11312 , H01L2224/1132 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13018 , H01L2224/13025 , H01L2224/13027 , H01L2224/13028 , H01L2224/13078 , H01L2224/13082 , H01L2224/13099 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13118 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/13171 , H01L2224/1318 , H01L2224/13184 , H01L2224/1329 , H01L2224/133 , H01L2224/13339 , H01L2224/13355 , H01L2224/1339 , H01L2224/13393 , H01L2224/134 , H01L2224/1403 , H01L2224/1411 , H01L2224/16012 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/17106 , H01L2224/17107 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/01048 , H01L2224/05552

摘要： 本发明的实施例提供了一种半导体封装体的接合结构、其制造方法及半导体封装体。该半导体封装体的接合结构包括：配置为传输电信号的第一导电构件；以及配置为电连接至第一导电构件的表面并包括多个子接合垫的接合垫。

2.

发明公开
形成穿透硅通孔的方法有权

公开(公告)号：CN101740484A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910126308.X

申请日：2009-02-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林全益 , 李松柏 , 黄庆坤 , 林生元

IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/60 , H01L21/50

CPC分类号： H01L21/76898 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05184 , H01L2224/05568 , H01L2224/05609 , H01L2224/05616 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05684 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/013 , H01L2924/01029

摘要： 本发明提供了一种形成具有穿透硅通孔(TSV)的半导体器件的方法。包括以下步骤：提供在其上形成有第一电介质层的半导体器件。在该第一电介质层上形成一个或多个电介质层，由此，每一个电介质层具有一个堆叠结构，其中一个或多个电介质层中的堆叠结构的垂直对齐。堆叠结构可能是，例如，金属环。该堆叠结构然后被去除从而形成第一凹口。由第一凹口延伸到到衬底中形成第二凹口。在第二凹口中填充导电物质从而形成TSV。

3.

发明公开
半导体器件及半导体器件的制造方法失效转让

公开(公告)号：CN1375871A

公开(公告)日：2002-10-23

申请号：CN02118069.5

申请日：2002-03-01

申请人： 株式会社东芝

发明人： 丰田启 , 中尾光博 , 莲沼正彦 , 金子尚史 , 坂田敦子 , 小向敏章

IPC分类号： H01L23/532 , H01L23/48 , H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76846 , H01L21/76834 , H01L21/76849 , H01L21/76858 , H01L21/76886 , H01L21/76888 , H01L22/32 , H01L23/53233 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/02166 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05009 , H01L2224/05017 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05093 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05546 , H01L2224/05552 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/05559 , H01L2224/05567 , H01L2224/05605 , H01L2224/05611 , H01L2224/05613 , H01L2224/05616 , H01L2224/0562 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/13099 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/1312 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/45105 , H01L2224/45109 , H01L2224/45111 , H01L2224/45113 , H01L2224/45116 , H01L2224/4512 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/4807 , H01L2224/48453 , H01L2224/48463 , H01L2224/48505 , H01L2224/48611 , H01L2224/48616 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48711 , H01L2224/48716 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48747 , H01L2224/48799 , H01L2224/48805 , H01L2224/48811 , H01L2224/48813 , H01L2224/48816 , H01L2224/4882 , H01L2224/48824 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/85375 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01031 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01083 , H01L2924/01327 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2224/05609 , H01L2924/00 , H01L2224/48744 , H01L2224/48713 , H01L2224/48705 , H01L2224/4872 , H01L2224/48605 , H01L2224/48613 , H01L2224/4862 , H01L2924/00015

摘要： 提供一种具有在半导体衬底上形成的铜布线层,与上述铜布线层导通并包含铜和比铜更易氧化的金属的合金层形成至底面的焊盘电极层和备有到达上述焊盘电极层的开口部的绝缘性保护膜的半导体器件。

4.

发明公开
具有铜-半导体化合物冶金材料的电子器件失效

公开(公告)号：CN1082770A

公开(公告)日：1994-02-23

申请号：CN93104636.X

申请日：1993-04-22

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 迈克尔·J·布雷迪 , 柯蒂斯·E·法雷尔 , 宋·K·坎 , 杰弗里·R·马里诺 , 唐纳德·J·米卡莱森 , 保罗·A·莫斯科维茨 , 尤金·J·奥沙利文 , 特雷塞·R·奥图尔 , 桑普阿西·帕鲁索塔曼 , 谢尔登·C·里利 , 乔治·F·沃克

IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/50 , H01L21/70

CPC分类号： H01L23/53271 , C23C18/50 , C25D3/54 , H01L21/288 , H01L21/2885 , H01L21/6835 , H01L21/76838 , H01L23/4951 , H01L23/4985 , H01L23/49872 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L2224/02126 , H01L2224/0347 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04073 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/0508 , H01L2224/051 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05572 , H01L2224/05609 , H01L2224/05611 , H01L2224/05616 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/10126 , H01L2224/1145 , H01L2224/13022 , H01L2224/13101 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13118 , H01L2224/1312 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/2919 , H01L2224/3015 , H01L2224/32245 , H01L2224/45101 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/4826 , H01L2224/48465 , H01L2224/4847 , H01L2224/48609 , H01L2224/48611 , H01L2224/48616 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48709 , H01L2224/48711 , H01L2224/48716 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48744 , H01L2224/48747 , H01L2224/48809 , H01L2224/48811 , H01L2224/48816 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/73215 , H01L2224/85001 , H01L2224/85201 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85214 , H01L2224/92147 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01058 , H01L2924/0106 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12032 , H01L2924/12033 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2924/3011 , Y10S428/901 , Y10T428/24917 , H01L2924/01048 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/48824 , H01L2224/05552 , H01L2224/05599

摘要： 在电子器件中将含硅和锗的材料用作导体的表面。焊料可以非熔化地焊接，而且导线可以焊接在这些表面上。在集成电路芯片的封装中，这些材料可以用作引线框架的表面涂层。这些材料可用移画印花工艺(decal)转印在导体的表面或者用非电的或电解的方法设置在导体的表面上。

5.

发明公开
具有电连接至导电结构的金属结构的半导体器件有权

公开(公告)号：CN106298730A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610365247.2

申请日：2016-05-27

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·施内甘斯 , F·黑林 , H-J·舒尔策 , B·魏德甘斯

IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48

CPC分类号： H01L24/05 , H01L21/76843 , H01L21/76858 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L24/03 , H01L29/407 , H01L29/417 , H01L29/41741 , H01L29/42376 , H01L29/45 , H01L29/6634 , H01L29/66348 , H01L29/7396 , H01L29/7397 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03848 , H01L2224/03912 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05572 , H01L2224/05582 , H01L2224/05583 , H01L2224/05611 , H01L2224/05616 , H01L2224/05618 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01013 , H01L2924/01074 , H01L23/49816 , H01L21/4889 , H01L23/49844 , H01L23/49894

摘要： 本发明的各个实施例涉及具有电连接至导电结构的金属结构的半导体器件。半导体器件(900)包括导电结构(150)。金属结构(350)电连接至导电结构(150)并且包含第一金属。辅助层堆叠(320)夹设在导电结构(150)与金属结构(350)之间，并且包括粘附层(325)，该粘附层(325)包括第二金属。辅助层堆叠(320)进一步包括金属扩散阻挡层(321)，该金属扩散阻挡层(321)在粘附层(325)与导电结构(150)之间。粘附层(325)包含该第一金属和第二金属。(500)包括半导体裸片(900)，该半导体裸片

6.

发明公开
半导体装置、传感器以及电子设备有权

公开(公告)号：CN102651357A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210034217.5

申请日：2012-02-15

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 今井英生

IPC分类号： H01L23/48 , H01L25/065

CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L23/562 , H01L25/0657 , H01L25/074 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05553 , H01L2224/05567 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05609 , H01L2224/05611 , H01L2224/05613 , H01L2224/05616 , H01L2224/05618 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/06181 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/13007 , H01L2224/13017 , H01L2224/13022 , H01L2224/13144 , H01L2224/16146 , H01L2224/16147 , H01L2224/16237 , H01L2224/8114 , H01L2224/81191 , H01L2224/81895 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/01327 , H01L2924/00

摘要： 本发明提供半导体装置、传感器以及电子设备，该传感器具有该半导体装置。在形成有突起电极的第二基板上层叠形成有贯通电极的第一基板，在贯通电极中具有凹部，突起电极进入并层叠在凹部，突起电极的顶端宽度比凹部的开口宽度小。

7.

发明公开
半导体装置及其制造方法有权

公开(公告)号：CN102576684A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080045152.3

申请日：2010-10-07

申请人： 日亚化学工业株式会社

发明人： 濑野良太

IPC分类号： H01L21/60 , H01L33/62

CPC分类号： H01L24/85 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L25/0753 , H01L33/62 , H01L2224/05616 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45169 , H01L2224/4809 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48465 , H01L2224/48479 , H01L2224/48599 , H01L2224/48669 , H01L2224/48699 , H01L2224/48769 , H01L2224/48869 , H01L2224/4911 , H01L2224/49426 , H01L2224/49429 , H01L2224/78301 , H01L2224/85051 , H01L2224/85181 , H01L2224/85186 , H01L2224/85191 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85469 , H01L2924/00014 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/20751 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20752 , H01L2224/48471 , H01L2924/00 , H01L2224/4554

摘要： 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置具备焊接有多个接合线的半导体元件，且接合线的接合强度高，并能够实现充分的接合可靠性。所述半导体装置，其特征在于，包括：第一接合线，其一端被焊接在电极上，另一端被焊接在所述电极外的第二焊接点；和第二接合线，其一端被焊接在所述电极上的所述第一接合线上，另一端被焊接在所述电极外的第三焊接点。并且，所述第二接合线的所述一端的焊接部，覆盖所述第一接合线的上面及侧面的至少一部分。

8.

发明公开
芯片尺寸封装方法及封装结构有权

公开(公告)号：CN102543920A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010599212.8

申请日：2010-12-21

申请人： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

发明人： 王津洲

IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/50

CPC分类号： H01L24/06 , H01L23/3114 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L2224/0345 , H01L2224/036 , H01L2224/0361 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/05611 , H01L2224/05616 , H01L2224/05647 , H01L2224/0603 , H01L2224/1134 , H01L2224/1181 , H01L2224/1308 , H01L2224/1403 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/013 , H01L2924/00

摘要： 一种芯片尺寸封装方法及封装结构，其中芯片尺寸封装结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上设置有接触焊盘，所述接触焊盘与半导体器件电连接；分别附着于各接触焊盘上的凸点；所述半导体衬底根据离中心点的不同距离分为若干区域，其中离中心点最近的区域内的接触焊盘及凸点尺寸最小，离中心点最远区域内的接触焊盘及凸点尺寸最大。本发明有效改善了芯片边缘凸点易脱落的情况；另外，避免了凸点间产生桥接而导致短路的现象。