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公开(公告)号：CN101529596A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780039256.1
申请日：2007-11-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/28 , H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/10 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/105 , G11C13/0016 , G11C13/004 , H01L27/283 , H01L51/006 , H01L51/0591
Abstract: 在用于制造柔性存储器件和半导体器件的方法中，在具有分离层的衬底上形成包括元件层和封闭元件层的绝缘层的叠层，并且从分离层分离该叠层。元件层包括存储器元件，存储器元件具有在一对电极之间的包含有机化合物的层、第一电极层和第二电极层，并且使用包含锡的合金层形成一对电极层的至少一层。柔性存储器件和半导体器件包括存储器元件，存储器元件具有在一对电极之间的包含有机化合物的层、第一电极层和第二电极层，并且使用包含锡的合金层形成一对电极层的至少一层。
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公开(公告)号：CN119096716A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202380036410.9
申请日：2023-04-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种能够得到高清晰、具有高可靠性且制造成本低的发光装置的发光器件。提供包括第一电极、第二电极以及位于其间的第一层及第二层的发光器件，所述第一层位于比所述第二层更靠近的第一电极一侧，所述第一电极及第一层为在各发光器件中独立的层，所述第二电极及第二层为多个发光器件共用的连续的层，所述第一层包括包含发光物质的发光层及第一电子传输层，所述第二层包括第二电子传输层，所述第一电子传输层位于所述发光层与所述第二电子传输层间，所述第一电子传输层包含具有电子传输性且玻璃转化温度为110℃以上的第一化合物，所述第二电子传输层包含具有电子传输性的第二化合物。
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公开(公告)号：CN118216228A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202280074267.8
申请日：2022-11-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K50/816 , G09F9/00 , G09F9/30 , H05B33/10 , H05B33/12 , H05B33/14 , H05B33/22 , H05B33/26 , H05B33/28 , H10K50/10 , H10K50/82 , H10K59/10 , H10K59/122 , H10K59/30 , H10K71/16 , H10K71/20 , H10K71/60 , H10K102/10
Abstract: 提供一种可靠性高的显示装置的制造方法。其中，形成第一导电层及第二导电层，在第一导电层及第二导电层上形成第一导电膜，在第一导电膜上形成第一膜，在第一膜上形成第一掩模膜，对第一膜及第一掩模膜进行加工来在重叠于第一导电层的第一导电膜上形成第一层及第一掩模层，去除第一导电膜的露出的部分，在重叠于第一导电层、第一层、第一掩模层的区域中形成第三导电层，在第一掩模层及第二导电层上形成第二导电膜，在第二导电膜上形成第二膜，在第二膜上形成第二掩模膜，对第二膜及第二掩模膜进行加工来在重叠于第二导电层的第二导电膜上形成第二层及第二掩模层，去除第二导电膜的露出的部分，在重叠于第二导电层、第二层、第二掩模层的区域中形成第四导电层。
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公开(公告)号：CN118202813A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202280073307.7
申请日：2022-11-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/122 , G09F9/00 , G09F9/30 , H10K50/84 , H10K50/844 , H10K59/38 , H10K71/00
Abstract: 提供一种显示质量高的显示装置。本发明是一种显示装置，该显示装置包括第一有机绝缘层、第一有机绝缘层上的第一无机绝缘层及第二无机绝缘层、第一发光元件、第二发光元件以及第二有机绝缘层。第一发光元件包括第一无机绝缘层上的第一像素电极、第一像素电极上的第一EL层以及第一EL层上的公共电极。第二发光元件包括第二无机绝缘层上的第二像素电极、第二像素电极上的第二EL层以及第二EL层上的公共电极。第二有机绝缘层设置在第一EL层与第二EL层之间，公共电极设置在第二有机绝缘层上。第一有机绝缘层在与第二有机绝缘层重叠的区域中具有凹部，第一无机绝缘层具有与凹部重叠的第一突出部，第二无机绝缘层具有与凹部重叠的第二突出部。
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公开(公告)号：CN118102525A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410097869.6
申请日：2018-11-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/26 , H05B33/28 , G06F1/16 , G09F9/30 , H10K59/35 , H10K59/12 , H10K59/131 , H10K59/18 , H10K71/16 , H10K71/60 , H10K77/10 , H10K50/15 , H10K50/16 , H10K50/17 , H10K50/18
Abstract: 本公开的发明名称是“显示面板、显示装置、显示模块、电子设备及显示面板的制造方法”。抑制显示面板的显示不均匀。提供一种像素的开口率高的显示面板。该显示面板包括第一像素电极、第二像素电极、第三像素电极、第一发光层、第二发光层、第三发光层、第一公共层、第二公共层、公共电极以及辅助布线。第一公共层位于第一像素电极及第二像素电极上。第一公共层具有与第一发光层重叠的部分以及与第二发光层重叠的部分。第二公共层位于第三像素电极上。第二公共层具有与第三发光层重叠的部分。公共电极具有隔着第一公共层及第一发光层与第一像素电极重叠的部分、隔着第一公共层及第二发光层与第二像素电极重叠的部分、隔着第二公共层及第三发光层与第三像素电极重叠的部分、以及与辅助布线的顶面接触的部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107111997B
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201580061300.3
申请日：2015-11-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供一种适于大型化的显示系统或显示装置。该显示系统包括第一显示面板、第二显示面板、检测装置以及补偿装置。第一显示面板包括第一显示区域。第二显示面板包括第二显示区域。第一显示区域与第二显示区域包括它们彼此重叠的第一区域。检测装置具有检测第一区域的尺寸的功能。补偿装置具有根据第一区域的尺寸变化补偿第一显示区域上显示的图像的功能。
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公开(公告)号：CN110534546A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910661794.9
申请日：2015-08-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供一种适合于大型化的显示装置、一种显示不均匀得到抑制的显示装置、或者一种能够在曲面上显示图像的显示装置。该显示装置包括第一显示面板、第二显示面板、第一粘合层以及衬底。第一和第二显示面板包括第一区域、第二区域以及阻挡层。阻挡层包括与第一区域重叠的部分以及与第二区域重叠的部分。第一区域包括使可见光透过的区域。第二区域能够显示图像。阻挡层包含无机绝缘材料且包括与第一粘合层接触的区域以及厚度为10nm至2μm的区域。该显示装置包括衬底、第一粘合层、第二显示面板的第一区域和第一显示面板的第二区域彼此重叠的区域。
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公开(公告)号：CN106537486A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580041378.9
申请日：2015-07-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/40 , G02F1/1333 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L27/32 , H01L51/50 , H04M1/02 , H05B33/02 , H05B33/06 , H05B33/14 , G02F1/1345
Abstract: 提供一种能沿着弯曲表面显示图像的显示装置。在该显示装置中，第一显示面板及第二显示面板隔着光透射层(103)相互重叠。光透射层二显示面板的与显示表面相对的一侧。光透射层(103)具有的对于波长范围450nm至700nm的光的平均透射率为80％或更大，并且其折射率高于空气的折射率。第一显示面板的显示区域(101a)与第二面板的可见光透射区域(110b)隔着光透射层(103)相互重叠。(103)位于第一显示面板的显示表面一侧以及第
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公开(公告)号：CN102148229B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201110026947.6
申请日：2007-07-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/112 , H01L27/12 , G11C13/00 , H01L21/8246 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/112 , B82Y10/00 , G11C11/5664 , G11C13/0014 , G11C13/004 , G11C2013/0054 , G11C2213/33 , G11C2213/34 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L21/84 , H01L24/12 , H01L24/28 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L27/11206 , H01L27/1203 , H01L2223/6677 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/81801 , H01L2224/83851 , H01L2924/00011 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01025 , H01L2924/01037 , H01L2924/01055 , H01L2924/01063 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/07811 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/29075 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种存储元件、半导体装置。其目的在于减少每个存储元件中的写入工作的不均匀性，其目的还在于提供安装有所述存储元件且写入特性优良的半导体装置。本发明的存储元件包括第一导电层、金属氧化物层、半导体层、有机化合物层、第二导电层，并且金属氧化物层、半导体层、以及有机化合物层被第一导电层和第二导电层夹持，金属氧化物层与第一导电层接触，与金属氧化物层接触地设置半导体层。通过采用这种结构，减少了每个存储元件中的写入动作的不均匀性。
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公开(公告)号：CN102222765B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110081481.X
申请日：2007-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/13 , H01L27/101
Abstract: 存储元件以及半导体器件。本发明提供一种在两个电极之间具有有机化合物层的有机存储器。本发明的存储元件在其结构中包括第一导电层、半导体层、有机化合物层、以及第二导电层，其中半导体层和有机化合物层夹在第一导电层和第二导电层之间，且半导体层被形成为与第一导电层和/或第二导电层相接触。使用这种结构，导电层表面上电场的局部集中可被设置成与导电层相接触的半导体层所抑制。
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