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公开(公告)号：CN102066605A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200980123959.1
申请日：2009-06-23
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35 , H01L21/285
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/3407 , H01J37/3408 , H01J37/3452 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76873
Abstract: 本发明提供了一种建设装置，该装置结构简单，成本低廉，在该溅射装置中，可以对具有大高径比的微孔上以良好的覆盖特性成膜。该溅射装置具有设置在真空室2内的一靶3和衬底W，该靶与该衬底相对设置；在所述靶的溅射面3a前方产生隧道状磁场的磁铁组件4、将溅射气体导入于所述真空室内的气体导入装置7，以及对所述靶施加负的电位的溅射电源5。还具备有用以产生一垂直磁场的磁场产生装置11u，11d，该磁场的磁力线M垂直的通过所述靶的溅射面及整个衬底的表面，且磁力线之间有规定的间距。
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公开(公告)号：CN102066604A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200980123899.3
申请日：2009-06-23
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35 , H01L21/285
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3414 , H01J37/3423 , H01J37/3435 , H01J37/3452 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76873
Abstract: 本发明公开了一种阴极单元及具有该阴极单元的溅射装置，该阴极装置可在整个基板面上针对高纵横比的各个微孔被覆性良好地成膜，该阴极单元具有结构简单和制造成本低的特点。该阴极单元包括一托架(3)，托架的一侧表面上形成有至少一个凹部(4)；具有底部为筒状的靶部件(5)，该靶部件从其底部一侧装入与其分别对应的凹部中；以及，磁场发生装置(7)，其组装为在该靶部件的内部空间中产生磁场。
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公开(公告)号：CN101978094A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980109274.1
申请日：2009-03-10
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3444
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可以在长时间内生长具有均匀的膜厚分布的薄膜的磁控溅射技术。本发明的磁控溅射装置(1)具有：真空槽(2)；阴极部(6)，设置在真空槽2内，并且具有其正面侧支承标靶(7)、其背面侧支承多个磁体(12)的垫板(8)；和直流电源(30)，向阴极部(6)供给直流电。相对于垫板(8)，在标靶(7)侧的放电空间内设置有多个可以独立地进行电位控制的控制电极(21、22)。
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公开(公告)号：CN101091000B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680001458.2
申请日：2006-03-03
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/34 , H01L21/3205 , H01L21/285 , H01L23/52
CPC classification number: C23C16/34 , C23C16/45527 , C23C16/45553 , C23C16/54 , C23C16/56 , H01L21/28562 , H01L21/3215 , H01L21/76843 , H01L21/76859
Abstract: 本发明通过在真空室内导入含有在钽元素(Ta)的周围配位N＝(R，R′)(R及R′表示碳原子数1-6的烷基，各自可以是相同的基团，也可以是不同的基团)的配合物的原料气体，使其在基板上吸附后，导入含有氧原子的气体，生成TaOxNy(R，R′)z，然后导入活性化的反应气体，将Ta上键合的氧还原，并且，将N上键合的R(R′)基切断除去，形成富含钽的钽氮化物膜。由此，可提供具有C、N含量低、并且Ta/N组成比高，并且作为确保和Cu膜的密合性的阻挡膜有用的低电阻的钽氮化物膜。另外，对得到的膜中通过溅射打入钽粒子，使其进一步富含钽。
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公开(公告)号：CN101563737A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200780047143.6
申请日：2007-12-19
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: H01F1/0577 , H01F41/0293
Abstract: 能够以高生产效率及低成本制造出永磁铁，其使Dy、Tb附着到规定形状的铁—硼—稀土类系的烧结磁铁表面，并扩散到其晶界相中后形成。在处理室内配置铁—硼—稀土类系的烧结磁铁，加热到规定温度的同时，使配置在同一或另一处理室内的至少含有Dy及Tb中的一种的氟化物构成的蒸发材料V蒸发，使该蒸发的蒸发材料附着到烧结磁铁表面，使该附着的蒸发材料的Dy、Tb的金属原子在烧结磁铁表面上形成由蒸发材料构成的薄膜之前扩散到烧结磁铁的晶界相中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101517669A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200780034225.7
申请日：2007-09-10
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: H01F7/0221 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C14/243 , C23C14/5806 , H01F1/0577 , H01F41/0293
Abstract: 本发明提供一种具有更高磁特性的永磁铁，以规定形状在铁－硼－稀土系烧结磁铁表面形成Dy、Tb膜，并使其向晶界相扩散。一种永磁铁的制造方法，包括：成膜工序，使至少含有Dy及Tb中的一种金属蒸发材料蒸发，使该蒸发的金属原子附着到该烧结磁铁表面；扩散工序，通过实施热处理，使附着在表面上的前述金属原子扩散到烧结磁铁的晶界相中；前述金属蒸发材料至少含Nd、Pr中的一种。
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公开(公告)号：CN101512036A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200780033699.X
申请日：2007-09-10
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/24 , H01F41/0293
Abstract: 本发明提供一种真空蒸气处理装置，其适于实施在处理室内形成金属蒸气气氛、该金属蒸气气氛中的金属附着到被处理物的表面，并且使附着到被处理物表面的金属原子扩散到其晶界内的处理。其具有处理炉11，设置在该处理炉内的至少一个处理箱，以及设置在处理炉内围绕该处理箱周围的加热手段2。当在处理箱内配置了被处理物S与金属蒸发材料V的状态下将其收容到处理炉中后，设置将处理炉和处理箱减压到规定压力并保持的真空排气手段，在减压状态下使加热手段动作，将被处理物加热到规定温度的过程中，一边升温一边使金属蒸发材料蒸发，并将该蒸发的金属原子提供到被处理物表面。
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公开(公告)号：CN101091005A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200680001475.6
申请日：2006-03-03
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/34 , H01L21/3205 , H01L21/285 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/28556 , C23C16/34 , H01L21/76843 , H01L21/76859 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明按照CVD法在成膜室内导入含有在Ta元素的周围配位了N＝(R，R′)(R及R′表示碳原子数1－6的烷基，各自可以是相同的基团，也可以是不同的基团)的配合物的原料气体以及卤素气体，形成TaNx(Hal)y(R，R′)z化合物膜(式中，Hal表示卤素原子)，然后导入含H原子的气体，与卤化生成物反应，形成富含钽的钽氮化物膜。由此，可提供作为C、N含量低、Ta/N组成比高，并且确保和Cu膜的密合性的阻挡膜有用的低电阻钽氮化物膜。另外，对得到的膜中通过溅射打入钽粒子，使其进一步富含钽。
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公开(公告)号：CN101091002A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200680001460.X
申请日：2006-03-03
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/34 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/76843 , C23C16/34 , C23C16/45525 , C23C16/45534 , C23C16/45536 , C23C16/4554 , C23C16/45553 , H01L21/28562
Abstract: 本发明通过在真空室内导入含有在钽元素(Ta)的周围配位了N＝(R，R′)(R及R′表示碳原子数1－6的烷基，各自可以是相同的基团，也可以是不同的基团)的配合物的原料气体，使其在基板上吸附后，导入卤素气体，生成TaNx(Hal)y(R，R′)z化合物(式中，Hal表示卤素原子)，然后导入活性化的反应气体，将Ta上键合的N、与N结合的Hal、与N结合的R(R′)基切断除去，形成富含钽的钽氮化物膜。由此，可提供C、N含量低、Ta/N组成比高，作为确保和Cu膜的密合性的阻挡膜有用的低电阻的钽氮化物膜。另外，对得到的膜中通过溅射打入钽粒子，使其进一步富含钽。
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公开(公告)号：CN101091001A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200680001459.7
申请日：2006-03-03
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/34 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: C23C16/34 , C23C14/18 , C23C14/48 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明按照CVD法在成膜室内导入含有在Ta元素的周围配位了N＝(R，R′)(R及R′表示碳原子数1－6的烷基，各自可以是相同的基团，也可以是不同的基团)的配合物的原料气体、以及含有氧原子的气体，使其在基板上反应，形成TaOxNy(R，R′)z，然后导入含有H原子的气体，形成富含钽的钽氮化物膜。由此，可提供C、N含量低、Ta/N组成比高，并且作为确保和Cu膜的密合性的阻挡膜有用的低电阻钽氮化物膜。另外，对得到的膜中通过溅射打入钽粒子，使其进一步富含钽。
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