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公开(公告)号：CN1308771A
公开(公告)日：2001-08-15
申请号：CN99808278.3
申请日：1999-05-05
申请人： 东京电子亚利桑那公司 , 东京电子有限公司
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： C23C14/345 , C23C14/35 , C23C14/358 , H01J37/321 , H01J37/32477 , H01J37/3408 , H01J37/3429
摘要： 由装置(40)的方法提供了离子化物理气相淀积(IPVD),用于将导电金属涂层材料从一环形磁控管溅射靶(51)溅射出来。通过用从一线圈(65)耦合的能量在空间中产生一稠密等离子体,该溅射材料在一位于靶(51)与一基片之间的腔室41中的加工空间中被电离,该线圈(65)位于真空室外部和一介质窗孔(61,71,81)后面,该介质窗孔(61,71,81)在溅射靶(51)中的开口中心处位于腔室壁(42)中。法拉第型屏蔽件(66,67)物理地将窗孔与来自窗孔的涂层材料屏蔽开,同时使能量从线圈感应耦合到加工空间中。线圈(65)位于靶平面中或靶后面的位置使靶至晶片之间的间距可以选择,以优化薄膜淀积率和均匀度,还提供了这样的优点,即一种在靶中心开口中没有与不需要的淀积相关问题的环形源。
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公开(公告)号：CN103764868B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201180073202.3
申请日：2011-08-30
申请人： 株式会社EMD
CPC分类号： H01J37/3411 , C23C14/3471 , C23C14/358 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/3408 , H01J37/3417
摘要： 提供一种能够使制膜速度较快，并能够形成品质较高的薄膜的溅射薄膜形成装置。溅射装置（10）包括：靶座（14），其设置于真空容器（11）内；基板座（15），其设置成与靶座（14）相对；部件（19），其用于向真空容器（11）内导入等离子体产生气体；部件（161），其用于在包括靶（T）的表面在内的区域产生溅射用电场；高频天线配置室（182），其设置于真空容器（11）的壁的内表面与外表面之间，并且其与真空容器（11）的内部之间被介电体窗（183）隔开；以及高频天线（13），其配置于高频天线配置室（182）内，用于在包括被靶保持部件所保持的靶的表面在内的区域产生高频感应电场。
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公开(公告)号：CN1950538B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN200580013590.0
申请日：2005-05-20
申请人： 应用材料公司
发明人： 则敬·龚 , 付新宇 , 阿尔文德·森达娜简 , 爱德华·P·IV·哈蒙德 , 普拉巴拉姆·戈帕拉杰 , 约翰·C·福斯特 , 马克·A·佩林 , 安德鲁·S·吉拉德
CPC分类号： H01J37/3266 , C23C14/046 , C23C14/0641 , C23C14/165 , C23C14/358 , C23F4/00 , H01J37/321 , H01J37/32623 , H01J37/32688 , H01J37/3408 , H01L21/2855 , H01L21/76844 , H01L21/76846 , H01L21/76865
摘要： 一种溅射反应室(70)及在该反应室进行的多重步骤工艺。四重电磁体矩形阵列(72)与该反应室的轴线同轴，且最好设置在该反应室内的RF线圈(46)的后方。可分别控制线圈电流以产生不同的磁场分布，例如在溅射沉积模式与溅射蚀刻模式之间的不同磁场分布，其中在溅射沉积模式当中，对溅射靶材(38)施以电能而将靶材材料溅射在晶片(32)上，而在溅射蚀刻模式当中，RF线圈可支持氩气电镀等离子体。对靶材材料的RF线圈而言，线圈可接受DC偏压，线圈阵列则可当作磁控管。在上述等离子体溅射反应室内进行的多重步骤工艺可包含在不同条件下从靶材溅射沉积阻挡层材料，以及衬底的氩溅射蚀刻。首先，以高靶材功率和晶片偏压以溅射沉积一TaN/Ta或其它耐火金属阻挡层。并在更高的晶片偏压下进行氩蚀刻。快闪步骤在较低的靶材功率和晶片偏压下进行。
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公开(公告)号：CN103766004A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201180073203.8
申请日：2011-08-30
申请人： 株式会社EMD
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/44 , C23C16/509 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32651 , C23C14/358 , C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J2237/0266 , H05H1/46 , H05H2001/4667
摘要： 本发明提供一种即使薄膜材料附着于表面，也能够抑制高频感应电场的屏蔽或强度的衰减的高频天线。高频天线（10）包括：线状的天线导体（13）；介电体制保护管（14），其设置于天线导体（13）的周围；以及堆积物屏（15），其是设置于介电体制保护管（14）的周围的屏，在天线导体（13）的长度方向的任意的线上，覆盖介电体制保护管（14）的至少1处且具有至少1个开口（153）。虽然薄膜材料附着于保护管及堆积物屏的表面，但是在天线导体的长度方向的至少1处中断。因此，在薄膜材料具有导电性的情况下，能够防止高频感应电场被屏蔽，在不具有导电性的情况下，能够抑制高频感应电场的强度衰减。
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公开(公告)号：CN102046837B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200980119324.4
申请日：2009-06-04
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： C23C14/35 , H01L21/285
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/3457 , C23C14/358 , H01J37/32633 , H01J37/3266 , H01J37/3408 , H01J37/3458 , H01L21/2855
摘要： 本发明提供一种低成本的溅射装置，其可促进从靶上飞溅的原子的离子化以进行稳定的自溅射。其包括：与在真空腔(2)内应处理的基板W相对配置的靶(3)，在靶的溅射面的前方形成磁场的磁铁组合件(4)，以及向靶施加负的直流电位的DC电源(5)。在靶的溅射面的背面一侧的中央区域设置第一线圈(6)，所述第一线圈电连接在所述第一电源和所述靶的输出之间；当由所述溅射电源向所述靶施加负电位时，所述第一线圈被通电并在溅射面的前方产生磁场。
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公开(公告)号：CN102758171A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210229792.0
申请日：2006-01-30
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： H01J37/3408 , C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/358 , H01J37/32082 , H01J37/32706 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76844
摘要： 一种物理气相沉积反应器包含一真空腔室、一耦接到腔室上的真空泵、一耦接到腔室的工艺气体入口以及一耦接到工艺气体入口的工艺气体源；其中该真空腔室包含一侧壁、一顶板与接近腔室底面的一晶片支撑底座。金属溅射靶材位于顶板上且高压直流源耦接到溅射靶材上。射频等离子体源功率产生器耦接到金属溅射靶材上，且具有适合激发运动电子的频率。优选地，晶片支撑底座包含静电吸盘，以及耦接到晶片支撑底座上的一射频等离子体偏压功率产生器，所述射频等离子体偏压功率产生器具有适于将能源耦合到等离子体离子的频率。优选地，具有直径超过约0.5英寸的固体金属射频馈入杆(feed rod)与金属靶材啮合，此射频馈入杆轴向延伸于靶材上方，并且所述射频馈入杆穿过顶板并耦接到射频等离子体源功率产生器上。
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公开(公告)号：CN101124350B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200680000183.0
申请日：2006-01-30
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： H01J37/3408 , C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/358 , H01J37/32082 , H01J37/32706 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76844
摘要： 一种物理气相沉积反应器包含一真空腔室、一耦接到腔室上的真空泵、一耦接到腔室的工艺气体入口以及一耦接到工艺气体入口的工艺气体源；其中该真空腔室包含一侧壁、一顶板与接近腔室底面的一晶片支撑底座。金属溅射靶材位于顶板上且高压直流源耦接到溅射靶材上。射频等离子体源功率产生器耦接到金属溅射靶材上，且具有适合激发运动电子的频率。优选地，晶片支撑底座包含静电吸盘，以及耦接到晶片支撑底座上的一射频等离子体偏压功率产生器，所述射频等离子体偏压功率产生器具有适于将能源耦合到等离子体离子的频率。优选地，具有直径超过约0.5英寸的固体金属射频馈入杆(feed rod)与金属靶材啮合，此射频馈入杆轴向延伸于靶材上方，并且所述射频馈入杆穿过顶板并耦接到射频等离子体源功率产生器上。
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公开(公告)号：CN1425187B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN00818496.8
申请日：2000-11-17
申请人： 东京电子有限公司
发明人： 约翰·斯蒂芬·德勒沃瑞 , 约瑟夫·布拉卡 , 格林·雷诺兹 , 米尔科·武科维奇 , 德里克·安德鲁·拉塞尔 , 迈克尔·詹姆斯·格拉佩豪斯 , 小弗兰克·迈克尔·切里奥 , 布鲁斯·戴维·吉特尔曼
CPC分类号： C23C14/358 , C23C14/345 , C23C14/35 , H01J37/321 , H01J37/32477 , H01J37/3408 , H01J37/3429
摘要： 装置(500)的一个方法提供离子化物理汽相沉积(IPVD)，该装置对从一个环形磁控管溅射靶(10)溅射导电金属镀膜材料特别有用。该被溅射材料在靶(10)与一个片基(100)之间的某个处理空间内被离子化，方法是利用位于真空室(501)外部、溅射靶开孔(421)中心处室壁(502)中绝缘窗(33)后面的某个线圈(39)耦合的能量在该空间生成一个稠密等离子体。一个法拉第型保护屏(26)物理屏蔽该窗口以防止镀膜材料覆盖该窗口，但允许能量从该线圈感应耦合到该处理空间。该线圈在该靶平面上或靶后的位置可以允许对靶到晶片的间距进行选择来优化薄膜的沉积率和均匀性，也提供了一个环形源的优点，即它不存在那些与该靶中心开孔内不希望的沉积有关的问题。
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公开(公告)号：CN1795287A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200480014403.6
申请日：2004-05-31
申请人： 株式会社新柯隆
CPC分类号： C23C14/0036 , C23C14/0078 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/352 , C23C14/358 , C23C14/564 , C23C14/568 , C23C14/5853 , C23C16/4404 , H01J37/32082 , H01J37/32467 , H01J37/32477 , H01L21/318 , H05H1/46
摘要： 本发明的薄膜形成装置(1)具有：把反应性气体导入到真空容器(11)内的气体导入单元；以及在真空容器(11)内产生反应性气体的等离子体的等离子体发生单元(61)。等离子体发生单元(61)构成为具有电介质壁(63)和涡状天线(65a、65b)。天线(65a、65b)相对于高频电源(69)并联连接，在与天线(65a、65b)的涡形成面的垂线相垂直的方向上以相邻的状态设置。
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公开(公告)号：CN1619011A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410068244.X
申请日：2004-08-25
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 尤里·N·托尔马切夫 , 马东俊 , 瑟格里·Y·纳瓦拉 , 金大一
IPC分类号： C23C14/35 , H01J37/32 , H01L21/203
CPC分类号： H01J37/321 , C23C14/358 , H01J37/3408
摘要： 本发明提供一个有螺旋自谐振线圈的电离物理汽相沉积(IPVD)装置。IPVD装置包括一个处理腔，内有基体保持器支撑处理的基体；一个沉积材料源，面朝基体保持器，向处理腔内提供沉积在基体上的材料；一个气体喷射单元，朝处理腔内喷射处理气体；一个偏压电源，向基体保持器施加偏置电压；一个螺旋自谐振线圈，在处理腔内产生电离沉积材料的等离子体，其一端是接地的，另一端电开放；和一个射频发生器，提供射频电力给螺旋自谐振线圈。使用螺旋自谐振线圈使得IPVD装置能够在非常低的真空室压力——如接近0.1mTorr下激发和操作，并更有效的产生比常规IPVD装置更高浓度的等离子体。相应的，可以获得很高的沉积材料电离效率。
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