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公开(公告)号：CN101298322B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810081192.8
申请日：2008-03-14
申请人： 尼鲁工艺技术公司
发明人： 斯科尔斯·莱因哈德·尤威 , 路易麦科·雷·瑟西
IPC分类号： C01B25/234 , C03C15/00 , C09K13/04
CPC分类号： C01B25/234 , C01B25/238
摘要： 本发明涉及通过悬浮液基熔融结晶净化或回收富正磷酸液流的方法。正磷酸以半水合物的形式结晶，这类晶体随后在洗涤柱内被分离，生成高纯度酸/水溶液。该溶液已耗尽除水之外的大部分金属和杂质，由此将富正磷酸进料液分离成超纯正磷酸半水合物、以及含有几乎所有最初存在于进料中的杂质的母液。富正磷酸进料液典型地含有重量百分比不超过15％的水、以及重量百分比不超过1％的其他杂质。净化正磷酸产品中单独金属离子的含量范围为每种金属离子100ppb至1000ppb(parts per billion＝1/1000ppm)。因而生成的净化产品的金属离子含量典型地低于典型分析设备的探测界限。
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公开(公告)号：CN102509693A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110318209.9
申请日：2011-10-19
申请人： 广东步步高电子工业有限公司
摘要： 本发明涉及一种采用铝线连接的塑封电子元器件的化学开封方法。一种采用铝线作为连接线的塑封电子元器件的化学开封方法，其特征在于包括如下步骤：准备样品、用腐蚀液腐蚀样品、用清洗剂清洗样品，其中所述腐蚀液的配制方法为：将质量分数为98％的浓硫酸倒入耐酸耐高温容器，然后对耐酸耐高温容器进行加热制得，加热温度为180℃～250℃。本发明与现有技术相比，具有如下优点：实现对采用铝线作连接线的失效电子元器件的有效开封，保证电子元器件内部芯片表面整洁和铝连接线的完整。
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公开(公告)号：CN102369258A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201080015763.3
申请日：2010-03-25
申请人： 东丽株式会社
CPC分类号： H01J9/02 , B82Y10/00 , C09K13/04 , C09K13/06 , C23F1/02 , C23F1/18 , C23F1/30 , H01L31/1884 , H05K3/067 , H05K2201/026 , H05K2201/0323 , Y02E10/50
摘要： 本发明是一种导电膜去除剂以及使用该导电膜去除剂的导电膜去除方法，该导电膜去除剂中包含沸点在80℃以上的酸或沸点在80℃以上的碱或者在外部能量的作用下产生酸或碱的化合物、溶剂、树脂和均化剂。本发明提供一种能在面内均匀地去除导电膜的希望部分的导电膜去除剂及导电膜去除方法。
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公开(公告)号：CN101186827B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200710187095.2
申请日：2007-11-23
申请人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
发明人： A·阿巴迪
IPC分类号： C09K13/04 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/02019 , H01L21/32134
摘要： 本发明涉及一种新颖的适用于表征半导体表面(包括硅-锗表面)缺陷的刻蚀溶液，以及使用在这里公开的刻蚀溶液处理半导体表面的方法。这种新刻蚀溶液不含铬，而且能够提供足够高的刻蚀速度以及非常满意的刻蚀结果。
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公开(公告)号：CN101235290A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810026455.5
申请日：2008-02-20
申请人： 汕头超声印制板(二厂)有限公司
IPC分类号： C09K13/04
摘要： 一种酸性蚀刻液，其特征在于：包含二价铜离子和作为蚀刻速率促进剂的金属硝酸盐。所述金属硝酸盐优选为碱金属的硝酸盐，特别优选为硝酸钠或硝酸钾。所述酸性蚀刻液中金属硝酸盐的浓度优选在0.01－0.70g/L的范围内，更优选在0.1－0.5g/L的范围内。所述二价铜离子优选来源于氯化铜、溴化铜、硫酸铜、或氧化铜。本发明提供一种金属硝酸盐在用于制造印刷线路板的酸性蚀刻中作为蚀刻速率促进剂的用途。本发明对照现有技术的有益效果是，本发明的酸性蚀刻液速率促进剂可以有效的提高酸性蚀刻液的蚀刻速率、并且成本比较低。
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公开(公告)号：CN101110376A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200610099256.8
申请日：2006-07-21
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/28 , H01L23/485 , C09K13/04 , C23F1/16
CPC分类号： H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/11 , H01L2224/1147 , H01L2924/00012
摘要： 本发明公开了一种形成焊接凸块的方法及其刻蚀剂，该方法首先提供一表面形成有一黏着层、一阻障层与一湿润层的基底。然后形成一图案化的光阻层，并且其至少包含一个暴露部分湿润层的开口。接着在开口中填入焊料，再除去光阻层。随后利用一包含硫酸、磷酸、氯化铁、过硫酸铵或过硫酸氢钾的刻蚀剂刻蚀部分湿润层与阻障层。接着用第二刻蚀剂刻蚀部分黏着层，最后再进行回焊制程。
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公开(公告)号：CN101103089A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200680002121.3
申请日：2006-01-10
申请人： 克莱麦克斯工程材料有限公司
IPC分类号： C09K13/00 , C09K13/04 , C09K13/06 , H01L21/302
CPC分类号： C09K3/1463 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C23F3/04 , C23F3/06 , H01L21/3212
摘要： 本发明提供了用于化学机械抛光的水性抛光浆液，可有效地在高抛光速率下对铜进行抛光。本发明的水性浆液可以包含溶解在氧化剂中的可溶性钼盐和溶解在氧化剂中的钼酸。通过化学机械平坦化对铜进行抛光的方法包括在低压力下用抛光垫和水性浆液对铜进行抛光，所述水性浆液包含溶解在氧化剂中的可溶性钼盐和溶解在氧化剂中的钼酸、溶解在氧化剂中的MoO3颗粒和溶解在氧化剂中的MoO2颗粒。
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公开(公告)号：CN1346864A
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：CN01142051.0
申请日：2001-09-07
申请人： 关东化学株式会社
IPC分类号： C09K13/04
CPC分类号： H01L31/1884 , C09K13/00 , H01L21/32134 , Y02E10/50
摘要： 本发明提供一种蚀刻液组合物,该组合物含有透明导电膜用蚀刻液,以及从聚磺酸化合物和聚氧化乙烯－聚氧化丙烯嵌段共聚物构成的物质组中选取的一种或两种以上的化合物。该蚀刻液对发泡性具有抑制作用,而且蚀刻后不产生残渣。
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公开(公告)号：CN1216059A
公开(公告)日：1999-05-05
申请号：CN98800045.8
申请日：1998-01-21
申请人： 李起元
发明人： 李起元
IPC分类号： C09K13/04 , C03C15/00 , C23F1/24 , H01L21/306 , H01L21/465
CPC分类号： C23F1/20 , C03C15/00 , C09K13/04 , C23G1/125 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/32134
摘要： 本发明涉及的是一种用于清洗和腐蚀加工各类电子显示器及其衬片表面的组合物。本发明涉及的这种组合物,通过清洗,特别有效地去除表面上的各种沾污物;腐蚀电子显示器、石英装置、晶片及半导体晶片加工过程的SiO2和Si衬片。按照本发明,更有效更方便的清洗和腐蚀是可能的。也能使其表面的粗糙度得以改进。另外,本发明的这种组合物,可以制成适当的粉末,以便用于制备一定量的溶液。这为运输、处理和储存提供了方便。
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公开(公告)号：CN117987144A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311359079.2
申请日：2023-10-19
申请人： 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC分类号： C09K13/06 , C09K13/04 , H01L21/311 , H10B41/27 , H10B43/27
摘要： 本发明公开了一种适用于深沟槽蚀刻的氮化硅选择性蚀刻液，该蚀刻液包括硅烷偶联剂改性的胶体二氧化硅、磷酸和水。本发明所述的氮化硅蚀刻液可提高氮化硅和氧化硅的蚀刻选择比，选择性去除氮化硅层，延长蚀刻液寿命，适应层叠结构的蚀刻。
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