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公开(公告)号：CN106575695A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580043739.3
申请日：2015-09-18
Applicant: 东芝北斗电子株式会社
Inventor： 卷圭一
Abstract: 发光组件具备：第1透光性绝缘体、设置于第1透光性绝缘体的表面上的导电电路层、与导电电路层相对配置的第2透光性绝缘体、配置在第1透光性绝缘体与第2透光性绝缘体之间且与导电电路层连接的发光元件、和配置在第1透光性绝缘体与第2透光性绝缘体之间的具有热固性的第3透光性绝缘体。
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公开(公告)号：CN105706257A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201480060916.4
申请日：2014-10-21
Applicant: 东芝北斗电子株式会社
Inventor： 卷圭一
IPC: H01L33/54 , F21S2/00 , H01L33/38 , F21Y115/10
CPC classification number: H01L33/62 , H01L24/01 , H01L25/0753 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/36 , H01L33/44 , H01L33/52 , H01L2924/0002 , H01L2933/0025 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
Abstract: 实施方式的发光装置(1)具备第1透光性支承基体(2)以及第2透光性支承基体(3)，在上述两个透光性支承基体之间配置有发光二极管(8)。发光二极管(8)具有设置于衬底(9)的第1面(面积S1)上的第1半导体层(14)、发光层(面积S2)(16)、半导体层(15)，在第2半导体层(15)形成有焊盘状的第1电极(11)。在将从衬底(9)的第1面到第1电极(11)的表面的距离设为H时，发光二极管(8)具有满足“1≤S1/S2≤-(3.46/H)+2.73”的关系的形状。
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公开(公告)号：CN105518884A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480048553.2
申请日：2014-12-01
Applicant: 东芝北斗电子株式会社
Inventor： 卷圭一
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/62 , H01L24/81 , H01L25/0753 , H01L33/52 , H01L33/56 , H01L2224/14 , H01L2924/00011 , H01L2924/01322 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066 , H01L2224/81805
Abstract: 一种发光装置，具备：第1透光性支撑基体，具备第1透光性绝缘体和设置在所述第1透光性绝缘体的表面上的导电电路层；第2透光性支撑基体，具备第2透光性绝缘体，以所述第2透光性绝缘体的表面与所述导电电路层相对置的方式与所述第1透光性支撑基体之间隔开规定的间隙而配置；发光二极管，具有二极管主体和第1及第2电极，该第1及第2电极设置在所述二极管主体的一个面上，经由导电性凸起与所述导电电路层电连接，该发光二极管配置在所述第1透光性支撑基体与所述第2透光性支撑基体之间的间隙；以及第3透光性绝缘体，被埋入到所述第1透光性支撑基体与所述第2透光性支撑基体之间的空间。
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公开(公告)号：CN105122482A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201480018999.0
申请日：2014-03-27
Applicant: 东芝北斗电子株式会社
Inventor： 卷圭一
CPC classification number: H01L33/54 , B32B17/10036 , H01L25/0753 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2224/16225 , H01L2924/07811 , H01L2933/005 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/12041
Abstract: 本发明的发光装置的特征在于：在被一对分别具备透光性导电层的透光性绝缘体薄板、或者被具备多个透光性导电层的透光性绝缘体薄板和不具备透光性导电层的透光性绝缘体薄板夹住的区域中，填充有一个以上的分别具备与所述各个透光性导电层个别地电连接的阴极电极和阳极电极的发光二极管和透光性弹性材料，且在所述发光二极管的阳极电极及阴极电极与所述透光性导电层的界面中至少部分地存在所述透光性弹性材料，在所述阳极电极及阴极电极表面上的凹部中也填充有所述透光性弹性材料。该发光装置在制造时及使用时的耐弯曲性及热循环特性优异，相对于强弯曲或热负荷能够维持亮灯。此外，还公开了上述发光装置的制造方法，其特征在于：在与透光性弹性材料的维卡软化温度同等或比其高一些的温度下进行真空热压。
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公开(公告)号：CN105051923A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480017609.8
申请日：2014-03-27
Applicant: 东芝北斗电子株式会社
Inventor： 卷圭一
CPC classification number: H01L33/56 , H01L24/18 , H01L24/19 , H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/24137 , H01L2224/2518 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/12041 , H01L2924/15788 , H01L2933/005 , H01L2924/00
Abstract: 实施方式的发光装置1具备第一以及第二透光性绝缘体(4、6)以及配置于它们之间的发光二极管(8)。发光二极管(8)的第一电极以及第二电极(9、10)，与设置于第一以及第二透光性绝缘体(4、6)的至少一方的表面的导电电路层(5、7)电连接。在第一透光性绝缘体(4)与第二透光性绝缘体(6)之间，埋入有第三透光性绝缘体(13)，该第三透光性绝缘体(13)具有80℃以上160℃以下的维卡软化温度以及0.01GPa以上10GPa以下的拉伸储存弹性模量的至少一方。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100583369C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200710006187.6
申请日：2007-01-29
Applicant: 东芝北斗电子株式会社
Abstract: 提供一种磁控管，具有抑制用高次模式传播的高次谐波分量、或者抑制夹在具有基波的整数倍的频率的2个高次谐波之间的中间频带的不需要的辐射的λ/4型抗流结构。该磁控管具有：生成高频波的高频波生成部(11)、取出高频波的天线(24)、包围天线(24)的筒状金属容器(18)、以及抑制用基本模式在金属容器(18)内传播的高次谐波分量的λ/4型抗流结构(C2)，在该磁控管中设置抑制用高次模式在金属容器内传播的高次谐波分量的其它λ/4型抗流结构(C1)。
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公开(公告)号：CN101568402A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200880001242.5
申请日：2008-09-08
Applicant: 东芝北斗电子株式会社 , 东芝高新材料公司
CPC classification number: H01J23/05 , B23K1/0008 , B23K1/19 , C22C1/02 , C22C27/04 , H01J1/13 , H01J25/587
Abstract: 本发明获得不使用作为稀有金属的Ru的以Mo为主要成分的钎料。以(1～3.5)wt％C－(1～3.5)wt％B－其余Mo形成的钎料(26、27)。
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公开(公告)号：CN100511565C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200410055802.9
申请日：2004-07-30
Applicant: 东芝北斗电子株式会社
Inventor： 东正寿
CPC classification number: H01J23/40 , H01J25/587
Abstract: 本发明提供确保钎焊部分的可靠性，且高次谐波抑效果优异的微波炉用磁控管。微波炉用磁管具备形成具有筒形的双重壁构造部分的高频扼流圈的金属封结体(19)、接合于该金属封结体(19)的绝缘圆筒(20)、以及通过金属封结体(19)和绝缘圆筒(20)的内侧的天线引线(22)。在金属封结体(19)的与绝缘圆筒(20)的环形接合区域设置环形平坦面(19d)，并且对作为金属封结体(19)的双重壁构造部分的内侧壁构造部分(19c)，将内径慢慢变化，靠近天线引线的斜面部(191)连续地设于环形平坦面(19d)上。
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公开(公告)号：CN1577701A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410055802.9
申请日：2004-07-30
Applicant: 东芝北斗电子株式会社
Inventor： 东正寿
CPC classification number: H01J23/40 , H01J25/587
Abstract: 本发明提供确保钎焊部分的可靠性，且高次谐波抑效果优异的微波炉用磁控管。微波炉用磁管具备形成具有筒形的双重壁构造部分的高频扼流圈的金属封结体(19)、接合于该金属封结体(19)的绝缘圆筒(20)、以及通过金属封结体(19)和绝缘圆筒(20)的内侧的天线引线(22)。在金属封结体(19)的与绝缘圆筒(20)的环形接合区域设置环形平坦面(19d)，并且对作为金属封结体(19)的双重壁构造部分的内侧壁构造部分(19c)，将内径慢慢变化，靠近天线引线的斜面部(191)连续地设于环形平坦面(19d)上。
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