公开(公告)号：CN104167406A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201410207047.5

申请日：2014-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安镇燦 ,  姜善远

IPC: H01L23/538

CPC classification number: H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48111 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明公开了一种半导体封装件，其包括：衬底；以及依次设置在衬底上的第一和第二半导体芯片，使得第一半导体芯片和第二半导体芯片的有源表面彼此面对，其中第一和第二半导体芯片是中央焊盘式半导体芯片，其各自具有邻近其中心线排列为两列的I/O焊盘，并且第二半导体芯片的I/O焊盘直接电连接至衬底而不与第二半导体芯片的中心线交叉。

公开(公告)号：CN103187376A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210583995.X

申请日：2012-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴徹 ,  姜善远 ,  金吉洙 ,  白中铉

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L23/4951 ,  H01L23/49531 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一种半导体封装件包括第一侧面、与第一侧面相对的第二侧面、以及与第一侧面和第二侧面垂直的第三侧面。该半导体封装件包括：第一引脚，设置成接近或靠近第一侧面；第二引脚，设置成接近或靠近第二侧面；半导体芯片堆叠件，设置在第一引脚和第二引脚之间且包括多个半导体芯片；再分布结构，设置在半导体堆叠件上。半导体堆叠件中的至少一个半导体芯片包括设置成接近或靠近第三侧面的多个第一芯片焊盘，再分布结构包括：第一再分布焊盘，设置成接近或靠近第一侧面且电连接到第一引脚；第二再分布焊盘，设置成接近或靠近第二侧面且电连接到第二引脚；第三再分布焊盘，设置成接近或靠近第三侧面且电连接到第一芯片焊盘中的第一个和第一再分布焊盘。

公开(公告)号：CN103035622A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210380798.8

申请日：2012-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜善远 ,  金致旭 ,  禹贤贞 ,  黄祥俊

IPC: H01L23/58 ,  H01L23/64 ,  G11C11/4063

CPC classification number: H01L23/642 ,  G11C11/4074 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种包括功率噪声降低的电压生成电路的半导体芯片封装件。所述半导体芯片封装件消除和最小化从半导体芯片封装件中的电压生成电路产生的功率噪声，所述半导体芯片封装件包括：集成电路芯片，具有电压生成电路和连接端子，其中，所述电压生成电路接收外部电压以生成用于内部电路的电源电压，所述连接端子连接到所述电压生成电路的输出节点；安装基底，包括电连接到所述连接端子以降低电源电压的功率噪声的噪声消除器，所述安装基底用于安装所述集成电路芯片以将所述集成电路芯片封装为半导体芯片封装件。