公开(公告)号：CN107430983B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201680017633.0

申请日：2016-07-26

申请人： 赛普拉斯半导体公司

发明人： 赖玉清 ,  帕哈特·普豪哈鲁汗 ,  冯银利

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/52 ,  H01L21/58 ,  H01L23/48 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/49513 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49558 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29014 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83868 ,  H01L2224/83871 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/00012

摘要： 根据多种实施例，提供了用于封装半导体器件的系统和方法。本公开讨论了设置在引线框架上的具有顶侧和底侧的半导体晶片。然后施加粘合剂糊剂以将半导体晶片附接到引线框架，使得粘合剂糊剂将晶片固定到引线框架的一部分。粘合剂糊剂可直接施加在晶片和引线框架之间，或者可与框架带结合来施加。

公开(公告)号：CN109390297A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201711477595.X

申请日：2017-12-29

申请人： 现代自动车株式会社 ,  起亚自动车株式会社

发明人： 朴准熙 ,  金现旭

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L23/36

CPC分类号： H01L23/49575 ,  H01L21/50 ,  H01L23/051 ,  H01L23/10 ,  H01L23/473 ,  H01L23/492 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49527 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49558 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49586 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/32258 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/34 ,  H01L23/36

摘要： 本发明涉及一种功率模块和包含该功率模块的功率转换系统，该功率模块包括：上基板，其包括多个由金属制成的电路图案区域和布置在多个电路图案区域之间的至少一个区域中的电介质区域；下基板，其包括多个由金属制成的电路图案区域和布置在多个电路图案区域之间的至少一个区域中的电介质区域；以及半导体元件，其具有上端子和下端子，上端子和下端子分别结合到上基板的下表面和下基板的上表面。该功率转换系统，包括：功率模块；以及被配置成与介电层表面接触的冷却器。

公开(公告)号：CN104253122B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201410294771.6

申请日：2014-06-26

申请人： 美格纳半导体有限公司

发明人： 弗朗索瓦·赫伯特

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/495 ,  H01L23/367

CPC分类号： H01L23/49575 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/781 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/40475 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/41051 ,  H01L2224/4118 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 提供了一种半导体封装件。半导体封装件包括：作为单片型管芯的第一管芯，在第一管芯中形成有驱动电路和低侧输出功率器件；设置在第一管芯之上的第二管芯，第二管芯包括高侧输出功率器件；以及设置在第一管芯与第二管芯之间的第一连接单元。

公开(公告)号：CN107221514A

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201710169549.7

申请日：2017-03-21

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M.丁克尔 ,  S.马海纳

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49548 ,  H01L21/288 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4828 ,  H01L21/4842 ,  H01L21/561 ,  H01L22/12 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/495 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/03

摘要： 本发明涉及具有全镀覆端面的引线框架引线。一种半导体装置包括：引线框架；半导体管芯，附连到引线框架；和密封材料，密封半导体管芯和引线框架的一部分。引线框架包括第一主面和与第一主面相对的第二主面。引线框架包括引线，其中每个引线包括在未镀覆第一侧壁和与第一侧壁相对的未镀覆第二侧壁之间延伸的全镀覆端面。每个引线的端面以及第一和第二侧壁垂直于第一和第二主面。

公开(公告)号：CN106711113A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201610145000.X

申请日：2016-03-14

申请人： 意法半导体公司

发明人： E·M·卡达格 ,  J·塔利多

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L23/367

CPC分类号： H01L23/4952 ,  H01L21/4828 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/367 ,  H01L23/488 ,  H01L24/10 ,  H01L24/15 ,  H01L24/42 ,  H01L24/47 ,  H01L2224/17 ,  H01L2224/491

摘要： 一个或多个实施例涉及具有集成散热片的半导体封装体以及形成这些半导体封装体的方法。在一个实施例中，封装体包括多根引线，这些引线支撑并封闭该半导体裸片的多个周边部分。这些引线具有形成该封装体的多个外表面的第一和第二相对的表面。这些引线的第一表面可以形成散热片而这些引线的第二表面形成该封装体的用于耦接至另一个器件、衬底或板上的多个焊区。该封装体包括包封材料，该包封材料包围该半导体裸片并且位于这些引线的这些上部部分之间。该封装体进一步包括后部填充材料(或绝缘材料)，该后部填充材料在该半导体裸片下方并且在这些引线的这些下部部分之间。

公开(公告)号：CN106548924A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610823133.8

申请日：2016-09-14

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： M·J·塞登 ,  F·J.·卡尼

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L21/02035 ,  H01L21/288 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/565 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/4822 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/088 ,  H01L27/14 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14685 ,  H01L29/0847 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05172 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2225/06596 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H02M3/158 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/0209 ,  H01L22/30

摘要： 本发明涉及使用原位厚度测量将材料从衬底移除的方法，提供了一种用于将材料从衬底移除的方法，所述方法包括提供具有第一主表面和与其相对的第二主表面的所述衬底。掩模层沿着所述第一主表面和所述第二主表面之一设置并且具有多个开口。将所述衬底放置在蚀刻设备内并使用所述蚀刻设备将材料通过开口从所述衬底移除。使用厚度换能器在所述蚀刻设备内测量所述衬底的厚度。将所述测量的厚度与预定厚度进行比较，并且响应于所述测量的厚度与所述预定厚度相对应而终止所述材料移除步骤。在一个实施方案中，所述方法用于在半导体管芯中更准确地形成凹陷区域，所述凹陷区域可用于例如层叠式器件配置。

公开(公告)号：CN105514057B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610027678.8

申请日：2016-01-15

申请人： 气派科技股份有限公司

发明人： 梁大钟

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/49541 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/56 ,  H01L23/293 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49586 ,  H01L23/562 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种高密度集成电路封装结构以及集成电路，属于集成电路封装的技术领域。本发明所述的高密度集成电路封装结构，包括密封金属引线框、芯片以及微米级连接线的长方体塑封结构，所述塑封结构的长度A1满足关系：1.20 mm +（B-8）×0.3 mm /2≤A1≤4.50 mm +B-8）×1.00 mm /2；塑封结构的宽度A2满足关系：1.20 mm≤A2≤3.50 mm；塑封结构的厚度A3满足关系：A3≥0.35mm；B为外引脚线的个数。本发明的封装结构，能够适应芯片制造技术从微米级向亚微米，纳米级发展的需要，满足了低功耗、高速度、大容量、小体积的便携式产品需求。

公开(公告)号：CN104637894A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201510102120.7

申请日：2012-04-20

申请人： 乾坤科技股份有限公司

发明人： 李汉祥 ,  林逸程 ,  陈大容

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/3107 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49589 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19106 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开一种具有堆叠电容的金属氧化物半导体场效应晶体管对，用以调节输入电压与最佳化一低电磁干扰回路，其具有一下导线架与一上导线架可同时散逸由两金属氧化物半导体场效应晶体管所产生的热能而达到极佳的散热功能，并可于该下导线架与该上导线架以焊料、银环氧树脂或金球电性连接两金属氧化物半导体场效应晶体管而达成极佳的结构适应性，且该上导线架可堆叠如绝缘栅双极型晶体管、二极管、电感器、扼流器与散热器等装置，以形成有效的系统级封装模块；及提供一种简单、省时、适应性高、低成本与易使用的制造该具有堆叠电容的金属氧化物半导体场效应晶体管对的方法。

公开(公告)号：CN102194785B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201010599881.5

申请日：2010-12-17

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 林伯瑞

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L25/00 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/4951 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 集成电路引线框器件支撑各种芯片装置。根据各种实施例，引线框包括多个导电集成电路芯片连接件组。每个组具有多个导电条，多个导电条分别具有端部，所述组中每个导电条的端部彼此实质上平行，并且所述组中每个导电条的端部被布置为与至少一个其他组中的导电条的端部成斜角。每个端部具有延伸到引线框器件内部并且通过间隙与其他尖端分开的尖端。紧固材料被布置在至少一些导电条上，并且被配置为将集成电路芯片紧固到导电条上。

公开(公告)号：CN103946976A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201280056137.8

申请日：2012-11-19

申请人： 德州仪器公司

发明人： 李汉明 ,  韦芬·秀安·林 ,  蔡陈祥 ,  黄贵俊

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/48 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49575 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明揭示一种引线框架(101、102)、一种装置封装(400)及一种经配置以获得薄轮廓且经改进的热性能的构造方法。本发明的引线框架包含布置于引线框架引线(101)的远端上方的隆起裸片附接衬垫(102)。封装(400)将进一步包含裸片(401)，在一个实例中，所述裸片(401)使用球接合(402)与所述隆起裸片附接衬垫(102)的底侧表面电耦合，此整体被密封于暴露所述裸片(401)的底部部分(401b)及引线(111)的一部分的囊封剂(405)中。本发明还揭示此类封装的双引线框架堆叠，以及制造方法。