公开(公告)号：CN101771087B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200910258925.5

申请日：2009-12-30

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李东炫 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  马克西姆·利萨琴科 ,  朴炳建 ,  李吉远 ,  郑在琓

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/38 ,  H01L21/336 ,  H01L21/322 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种薄膜晶体管、制备该薄膜晶体管的方法以及装备有该薄膜晶体管的有机发光二极管(OLED)显示设备，其中该薄膜晶体管包括：基板、置于所述基板上的缓冲层、置于所述缓冲层上的第一半导体层和第二半导体层、与所述第一半导体层和所述第二半导体层绝缘的栅极电极、将所述栅极电极与所述第一半导体层和所述第二半导体层绝缘的栅极绝缘层、以及与所述栅极电极绝缘并且部分连接到所述第二半导体层的源极和漏极电极，其中所述第二半导体层置于所述第一半导体层上。

公开(公告)号：CN101771086B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200910258921.7

申请日：2009-12-30

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  安志洙 ,  马克西姆·利萨琴科

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/38 ,  H01L21/336 ,  H01L21/332 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管、制造所述薄膜晶体管的方法和包括所述薄膜晶体管的有机发光二极管(OLED)显示装置，所述薄膜晶体管包括：基板；在所述基板上形成的缓冲层；布置在所述缓冲层上的第一半导体层；布置在所述第一半导体层上的第二半导体层，所述第二半导体层大于所述第一半导体层；与所述第一半导体层和所述第二半导体层绝缘的栅极；使所述栅极与所述第一半导体层和所述第二半导体层绝缘的栅绝缘层；与所述栅极绝缘并与所述第二半导体层连接的源极和漏极；布置在所述源极和漏极上的绝缘层，以及与源极和漏极之一连接的有机发光二极管。

公开(公告)号：CN102386069A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110241085.9

申请日：2011-08-22

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  朴钟力 ,  郑胤谟 ,  李卓泳 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  郑珉在 ,  孙榕德 ,  苏炳洙 ,  朴承圭 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  郑在琓

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L27/3244 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

Abstract: 一种形成多晶硅层的方法，包括形成第一非晶硅层和形成第二非晶硅层，使得所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层具有彼此不同的膜性质；和用金属催化剂使所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层结晶，以形成第一多晶硅层和第二多晶硅层。一种薄膜晶体管包括由所述方法形成的多晶硅层，和一种有机发光装置包括所述薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN101866853A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010128599.9

申请日：2010-03-03

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 罗兴烈 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  郑珉在 ,  洪钟元 ,  姜有珍 ,  张锡洛 ,  郑胤谟 ,  梁泰勋 ,  苏炳洙 ,  朴炳建 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  朴钟力 ,  崔宝京 ,  伊凡·迈丹丘克 ,  白原奉 ,  郑在琓

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: 本发明公开一种基板处理设备，其通过均匀地加热基板，在多个基板上形成薄膜和热处理基板。该基板处理设备包括处理室、其中堆叠基板的船形器皿、位于处理室外部的外部加热器、将船形器皿移进和移出处理室的输送器、位于输送器下方的下部加热器、和位于船形器皿中间的中间加热器。

公开(公告)号：CN101771086A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200910258921.7

申请日：2009-12-30

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  安志洙 ,  马克西姆·利萨琴科

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/38 ,  H01L21/336 ,  H01L21/332 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管、制造所述薄膜晶体管的方法和包括所述薄膜晶体管的有机发光二极管(OLED)显示装置，所述薄膜晶体管包括：基板；在所述基板上形成的缓冲层；布置在所述缓冲层上的第一半导体层；布置在所述第一半导体层上的第二半导体层，所述第二半导体层大于所述第一半导体层；与所述第一半导体层和所述第二半导体层绝缘的栅极；使所述栅极与所述第一半导体层和所述第二半导体层绝缘的栅绝缘层；与所述栅极绝缘并与所述第二半导体层连接的源极和漏极；布置在所述源极和漏极上的绝缘层，以及与源极和漏极之一连接的有机发光二极管。

公开(公告)号：CN100576549C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200610121900.7

申请日：2004-02-12

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴志容 ,  李乙浩 ,  具在本 ,  李基龙 ,  朴惠香

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/15 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明公开了一种平板显示装置，包括绿色、红色和蓝色像素区，以及用于驱动每个像素并具有相同的有源沟道长度和宽度的驱动薄膜晶体管，其中在每个像素的相同的有源沟道长度和宽度内的多晶硅主晶界数彼此不同，使得可以为相同的驱动电压调整出白平衡。

公开(公告)号：CN100511375C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200410034645.3

申请日：2004-04-19

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 具在本 ,  朴商一 ,  朴志容 ,  李基龙 ,  李乙浩

IPC: G09G3/32 ,  G09G3/20 ,  G09F9/30

CPC classification number: G09G3/3275 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开一种具有长使用寿命的高速平板显示器，其中设置有多个像素的像素阵列部分和用于驱动像素阵列部分的像素的驱动电路部分中的薄膜晶体管彼此具有不同的电阻值或者彼此具有不同的几何结构。该平板显示器包括像素阵列部分，具有多个设置在其上的像素；以及驱动电路部分，用于驱动所述像素阵列部分的像素。像素阵列部分和驱动电路部分中的薄膜晶体管在它们的栅区或漏区彼此具有不同的电阻值或者彼此具有不同的几何结构。像素阵列部分和驱动电路部分中的薄膜晶体管中的一个在它的栅区或漏区中具有锯齿形形状或者具有偏置区域。

公开(公告)号：CN100483742C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200410095452.9

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  李基龙

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其生产方法，其中在衬底上形成非晶硅，在非晶硅层上形成包含有根据其厚度而具有不同浓度的金属催化剂的覆盖层，构图该覆盖层以形成覆盖层图形，并且结晶该非晶硅层，以控制在非晶硅层和覆盖层图形之间的界面形成的籽晶的密度和位置，从而提高颗粒的尺寸和均匀性，并且在其中通过一个结晶工艺，在要求的位置选择性地形成要求的尺寸和均匀性的多晶硅，形成具有卓越的和所要求的特性的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN100481350C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200410103351.1

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李相雄 ,  吴栽荣 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  刘喆浩

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管的方法，其步骤包括：制备绝缘基片；在该基片上形成非晶硅层；在该非晶硅层上形成具有1.78至1.90的折射率的盖层；在该盖层上形成金属催化剂层；通过对该基片的热处理而使非晶硅层晶化成多晶硅层。由于通过控制氮化物膜盖层的折射率到1.78至1.90从而获得大晶粒尺寸的半导体层来使电子迁移率增加并且残余金属催化剂的数量减少，从而降低漏电流，所以这种晶体管具有优良的特性，并能够通过利用盖层的折射率控制多晶硅层的晶粒尺寸来获得具有所希望的晶粒尺寸和均匀性的多晶硅层从而控制其特性。

公开(公告)号：CN100477274C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200410094226.9

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 徐晋旭 ,  李基龙 ,  梁泰勋 ,  朴炳建

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种底栅极薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管具有通过特大晶粒硅(SGS)晶化方法晶化的沟道区，该方法包括：在绝缘基板上形成栅极电极和栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成非晶硅层，继而形成覆盖层和金属催化剂层；进行热处理使非晶硅层晶化成为多晶硅层；以及形成蚀刻停止层、源极和漏极区及源极和漏极电极。该薄膜晶体管包括：绝缘基板；栅极电极，其形成在所述绝缘基板上；栅极绝缘层，形成在所述栅极电极上；多晶硅层，其形成在所述栅极绝缘层上，并且通过特大晶粒硅(SGS)晶化法进行晶化；以及源极和漏极区、源极和漏极电极，它们形成在所述基板的预定区域中。