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公开(公告)号：CN105023858B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201510308515.2
申请日：2015-06-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公布了一种集成石墨烯温度传感的LED器件及其制造方法，该器件在芯片上包含LED发光器件和温度传感器件。温度传感器件是一种石墨烯器件。LED发光器件和温度传感器件采用背对背的上下堆叠结构，上方是LED发光器件，下方是温度传感器件。可以通过测量温度传感器件中石墨烯薄膜电阻随温度的变化监测LED发光器件的结温。本发明提供的集成石墨烯温度传感LED器件不仅能够实时、准确、稳定的反映LED器件的结温，而且能够有效的提高LED发光器件的出光率和改善整个器件的散热。
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公开(公告)号：CN108615797A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810400045.6
申请日：2018-04-28
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/105 , H01L33/145 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件，其特征在于：在LED有源层上设置一层AlN电子阻挡层，在AlN电子阻挡层上覆盖一层p型AlGaN层，在所述p型AlGaN层上刻蚀出AlGaN圆台纳米三角阵列，在AlGaN圆台顶部或间隙内填充有金属纳米阵列。并公开了其制备方法。本发明的纳米圆台阵列相对纳米圆柱阵列而言，由于此时纳米结构的侧面不再垂直于底面，更有利于光的出射，设置于纳米圆台阵列顶部或者间隙的金属薄膜，能通过表面等离激元(SPP)的方式更进一步增强光的出射。相较于传统的常规结构和单一的垂直纳米结构，本发明能更好的增强紫外LED的发光效率，同时将几种不同的工艺结合起来，控制圆台斜面倾角，简化制备过程。
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公开(公告)号：CN108493301A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810463058.8
申请日：2018-05-15
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/107
CPC classification number: H01L31/1848 , H01L31/107
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN斜角台面APD器件刻蚀方法，其步骤包括：1)预处理，清洁待刻蚀的AlGaN APD器件样品；2)光刻：在AlGaN APD器件样品表面制作厚的光刻胶；3)光刻胶回流：对光刻胶进行高温烘烤，使光刻胶回流，形成极小的倾斜角度；4)图形转移：对AlGaN APD器件样品进行干法刻蚀，将光刻胶倾角转移到AlGaN APD器件样品上；5)去胶：去除残留光刻胶。本发明提供的方法具有工艺简单、可控性强、可重复性高的优点。主要体现在以下两个方面：一方面，通过对光刻胶后烘温度和时间的控制，可实现对掩蔽层图形倾斜角度控制的精确控制；另一方面，通过调节掩蔽层的刻蚀工艺参数，也可在AlGaN基材料中获得具有不同倾斜角度的侧壁。
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公开(公告)号：CN108346968A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810445111.1
申请日：2018-05-10
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于外尔半金属薄膜的可饱和吸收器件，其结构由外尔半金属材料构成的可饱和吸收层和承载该饱和吸收层所需的光学薄膜功能层组成；所述的外尔半金属薄膜可饱和吸收器件分为反射型和透射型两种模式，其中，反射型结构布局由上至下为：光学衬底层(1)、外尔半金属可饱和吸收薄膜层(2)、缓冲层(3)和反射层(4)；透射型结构布局由上至下为：光学衬底层(1)、外尔半金属可饱和吸收薄膜层(2)、缓冲层(3)。
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公开(公告)号：CN104868023B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201510237489.9
申请日：2015-05-11
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物半导体/量子点混合白光LED器件，所述白光LED器件在p型电极和n型电极外的区域设有有序的纳米孔阵列，纳米孔阵列的深度从器件表面穿过量子阱有源层，直至n型氮化物层内部，所述纳米孔阵列内填充有II‑VI族量子点。还公开了其制备方法。该类器件利用铟镓氮(InGaN)量子阱与II‑VI量子点中激子间的非辐射复合能量转移，提高器件发光效率；通过改变填充量子点的种类和配比，以调节发光波长与强度，能够实现超高显色指数的氮化物/量子点混合结构的白光LED器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105353019B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201510781080.3
申请日：2015-11-13
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/414 , H01L29/772 , H01L21/335 , C08F292/00 , C08F222/38 , C08F226/06
Abstract: 本发明提出了一种无栅AlInN/GaN场效应晶体管传感器，在AlInN/GaN异质结基片上蒸镀有电极，还包括钝化层，所述钝化层覆盖整个源端电极、源端电极PAD与漏端电极、漏端电极PAD，在覆盖源端电极PAD与漏端电极PAD的钝化层上刻蚀出窗口，深度至PAD显露；还包括离子印迹聚合物层，所述离子印迹聚合物层位于AlInN层上，含有印迹孔穴。还公开了无栅AlInN/GaN场效应晶体管传感器的制备方法。本发明制备的导电高聚物纳米复合材料具有单一离子识别的性能，可以提高器件的选择性吸附、抗干扰能力；与AlGaN/GaN场效应晶体管传感器相比，其电流响应更大，具有高灵敏性的特点。
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公开(公告)号：CN107628637A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710691388.8
申请日：2017-08-14
Applicant: 南京大学
IPC: C01G15/00
Abstract: 一种在衬底上用水热法生长III族氧化物与氮化物纳米柱有序阵列，具体步骤如下：将III族硝酸盐或者氯化物(如Ga(NO3)3·nH2O)溶解于去离子水中得到一定X3+浓度的溶液；添加碱性物质或表面活性物质，调节PH值在6.5-9之间；将衬底和溶液放入到具有聚四氟乙烯内衬的高压釜中；将高压釜在85-150℃温度下水浴加热，反应时间视需要在2-10h之间。待反应完成后，将衬底取出，用去离子水洗涤吹干；将衬底置于高温管式炉中空气或氧气气氛下退火一定时间(1-10h)，温度范围800-1000℃；经上述过程，通过控制工艺条件，即衬底上可得到具有一定长径比和密度分布的III族氧化物纳米柱有序阵列；III族X是Ga、In或Al；衬底包括蓝宝石或者硅衬底。
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公开(公告)号：CN105301080B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201510780903.0
申请日：2015-11-13
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明提出了一种无栅AlGaN/GaN场效应晶体管传感器，在AlGaN/GaN异质结基片上蒸镀有电极，还包括钝化层，所述钝化层覆盖整个源端电极、源端电极PAD与漏端电极、漏端电极PAD，在覆盖源端电极PAD与漏端电极PAD的钝化层上刻蚀出窗口，深度至PAD显露；还包括离子印迹聚合物层，所述离子印迹聚合物层位于AlGaN层上，含有印迹孔穴。还公开了无栅AlGaN/GaN场效应晶体管传感器的制备方法。本发明制备的导电高聚物纳米复合材料具有单一离子识别的性能，可以提高器件的选择性吸附、抗干扰能力；还具有快速响应的特点，可以实现高精度的定量检测；通过NaCl溶液冲洗可以方便快捷的重复使用，具有使用方便、成本低、可用于水质的在线监测等特点。
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公开(公告)号：CN106876532A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710033552.6
申请日：2017-01-13
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/02 , H01L33/36
Abstract: 本发明公开了一种高出光率、高可靠性的紫外半导体发光二极管，包括一LED芯片，所述LED芯片中在p型层上依次设有石墨烯透明导电层、金属导电层和导电反射层，石墨烯透明导电层特征在于其由多次转移的石墨烯堆叠而成，所述石墨烯透明导电层以及金属导电层与p型层之间形成欧姆接触。所述多次转移的石墨烯透明导电层由单层或多层石墨烯多次转移而成，所述金属导电层形成于石墨烯层之上或者于多层石墨烯之间。本发明通过多次转移堆叠石墨烯，降低了面电阻，提高发光效率；本发明的金属导电层形成工艺，在氮气、氧气混合气氛中400℃条件下退火2min使接触电阻率降至4.3*10‑4Ω·cm‑2，同时使得Al反射层在450nm时反射率维持在90％。
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公开(公告)号：CN106653850A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610848037.9
申请日：2016-09-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/16 , B82Y30/00 , H01L27/088
CPC classification number: H01L29/78 , B82Y30/00 , H01L27/088 , H01L29/1033 , H01L29/16 , H01L29/1606
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯/碳纳米管复合吸收层的人工突触晶体管，该晶体管包括自下而上依次设置的衬底、栅极介质层、石墨烯/碳纳米管复合吸收层；所述石墨烯/碳纳米管复合吸收层包括至少一层石墨烯层和至少一层碳纳米管层，并且，至少一层石墨烯层与所述栅极介质层接触，所述石墨烯层的两端分别设有源极、漏极，且所述碳纳米管层不与所述源极、漏极接触；将所述的晶体管作为光学神经元系统的基本单元，将多个晶体管进行阵列集成，通过引线与外部测量设备相互连接形成智能光学神经元系统。利用该神经系统分布式存储、并行运算和自适应学习等优势，能够快速有效地进行图像识别。本发明还提供了通过该系统实现信息存储和图像识别的具体方案。
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