公开(公告)号：CN102623317A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210016594.6

申请日：2012-01-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 潘德人 ,  林育贤 ,  沈香谷 ,  范玮寒 ,  林昀靓 ,  黄益民 ,  王梓仲

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

摘要： 本发明描述了一种包括外延区域的半导体器件，包括：半导体基板；在该基板上的栅极结构；外延区域，设置在该基板上并邻近栅极结构；隔离元件，与栅极结构邻接；以及层间电介质层，覆盖在隔离元件上。还提供一种方法，包括：提供基板并且在基板上形成与栅极结构邻接的第一隔离材料层。第二隔离材料层邻近形成，与栅极结构邻接并覆盖在第一隔离材料层上。然后，第一隔离材料层和第二隔离材料层被同时蚀刻，以分别形成第一和第二隔离层。外延区域形成(例如，生长)在基板上，基板包括与第一和第二隔离层中的每个接合的界面。第二隔离层可以被随后去除，并且保留在器件上的第一隔离层减小ILD间隔填充的纵横比。第一隔离层的典型合成物是SiCN。

公开(公告)号：CN118983296A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411015541.1

申请日：2024-07-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 涂文琼 ,  沈香谷 ,  黄镇球 ,  陈殿豪 ,  陈淑芳

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768 ,  H01L23/28 ,  H01L21/50

摘要： 本公开实施例提供了半导体结构，半导体结构包括具有电路区域和电路区域周围的密封环区域的衬底。密封环区域包括多层互连件以形成密封环结构。并且在密封环结构上方形成再分布层。再分布层形成在密封环区域的边缘上，并且从密封环的拐角区域排除。本申请的又一些实施例提供了一种制造半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN118841394A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410662681.1

申请日：2024-05-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 周家玥 ,  沈香谷 ,  余立中 ,  张文苓 ,  黄镇球 ,  陈殿豪 ,  侯承浩 ,  蔡欣宏 ,  唐宇 ,  李昆育 ,  江淳修

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768

摘要： 一种半导体装置包括一第一介电层。一第二介电层设置于第一介电层上方。第二介电层及第一介电层具有不同的材料组成。一金属‑绝缘体‑金属(MIM)结构埋入第二介电层内。一第三介电层设置于第二介电层上方。第三介电层及第二介电层具有不同的材料组成。第一介电层或第三介电层可以包含氮化硅，第二介电层可以包含氧化硅。

公开(公告)号：CN116544219A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310327670.3

申请日：2023-03-30

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 萧远洋 ,  沈香谷 ,  涂文琼 ,  萧琮介 ,  黄镇球 ,  陈殿豪

IPC分类号： H01L23/64 ,  H10N97/00

摘要： 本公开一种元件结构。元件结构包含金属‑绝缘体‑金属(Metal‑insulator‑metal；MIM)堆叠。MIM堆叠包含至少一下导体板层、一设置于下导体板层之上的第一绝缘层、一设置于第一绝缘层之上的第一导体板层、一设置于第一导体板层之上的第二绝缘层，以及一设置在第二绝缘层之上的第二导体板层。该元件结构进一步包含一接地导孔和一第一导孔，接地导孔延伸穿过并电性耦接至第一导体板层中的第一接地板，而第一导孔延伸穿过并电性耦接至第二导体板层中的高电压板。第一接地板与高电压板垂直交叠，且第二绝缘层不同于第一绝缘层。

公开(公告)号：CN114927463A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210238220.2

申请日：2022-03-11

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 萧琮介 ,  沈香谷 ,  萧远洋 ,  赖英耀 ,  陈殿豪

IPC分类号： H01L21/768

摘要： 本公开提出一种装置结构。装置结构包含结构、设置于结构上的第一保护层、设置于第一保护层上的缓冲层、设置于缓冲层的第一部分上的阻挡层、设置于阻挡层上方的重布线层、设置于阻挡层上和重布线层的侧面上的粘着层以及设置于缓冲层的第二部分上的第二保护层。第二保护层接触阻挡层、粘着层和重布线层。

公开(公告)号：CN114695259A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202110879790.5

申请日：2021-08-02

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 罗婉瑜 ,  王中兴 ,  林晋申 ,  杨国男 ,  沈香谷 ,  陈殿豪

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L27/06

摘要： 本揭露提供一种半导体装置及其形成方法。此种方法包括在第一电压域中形成第一电容器及在第一电压域中形成第二电容器。第一电容器与第二电容器并联连接。在第二电压域中形成第三电容器及第四电容器。第三电容器与第四电容器串联连接。第一电容器及第二电容器与第一电压域的供电点及第一电压域的参考点并联连接。第四电容器连接至第二电压域的供电点。第三电容器连接至第二电压域的参考点。

公开(公告)号：CN114335066A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202110842967.4

申请日：2021-07-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 沈香谷 ,  陈殿豪

IPC分类号： H01L27/22

摘要： 本公开提供了一种半导体装置，特别是包括磁性穿隧接面(magnetictunneling junction，MTJ)元件的方法及装置。第一间隔层邻接MTJ元件的侧壁。第一间隔层具有低介电常数(低k)的氧化物组成。第二间隔层设置在第一间隔层上并且具有低k氮化物组成。

公开(公告)号：CN112864145A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011263779.8

申请日：2020-11-12

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 沈香谷 ,  陈英儒 ,  陈宪伟

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L21/98

摘要： 本发明提供一种集成电路装置。集成电路装置包括第一裸片与第二裸片。第一、第二裸片各自包括：各自包含第一、第二电路系统的第一、第二基底；各自置于第一、第二基底的上方的第一、第二互连结构；各自置于上述第一互连结构的上方的第一、第二介电层；各自置于第一、第二介电层的上方的第一、第二连接垫。第一裸片的第一连接垫连接于第二裸片的第二连接垫，第一裸片与第二裸片的至少一个包括金属─绝缘体─金属电容器，金属─绝缘体─金属电容器包括逐一向上方堆叠的超过两层的金属层。

公开(公告)号：CN112582398A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202011053048.0

申请日：2020-09-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 鄞金木 ,  高弘昭 ,  沈香谷 ,  陈殿豪 ,  陈燕铭

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L23/00 ,  H01L21/822

摘要： 方法和半导体器件包括具有一个或多个半导体器件的衬底。在一些实施例中，器件还包括设置在一个或多个半导体器件上方的第一钝化层。器件可以进一步包括形成在第一钝化层上方的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构。此外，器件可以进一步包括设置在MIM电容器结构上方的第二钝化层。在各个实例中，应力减小部件嵌入在第二钝化层内。在一些实施例中，应力减小部件包括第一含氮层、设置在第一含氮层上方的含氧层和设置在含氧层上方的第二含氮层。本申请还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN107154383A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201611192085.3

申请日：2016-12-21

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 沈香谷 ,  黄玉莲 ,  黄彦傑 ,  陈蕙祺 ,  叶震亚

IPC分类号： H01L21/8234

CPC分类号： H01L27/1211 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628

摘要： 一种制造半导体装置的方法，包含第一栅极结构设置于基板上。第一栅极结构包含第一栅电极、第一覆盖绝缘层设置于第一栅电极上，以及第一侧壁间隔物设置于第一栅电极和第一覆盖绝缘层的侧表面上。半导体装置还包含第一保护层形成于第一覆盖绝缘层和至少一个第一侧壁间隔物之上。第一保护层包含由氮氧化铝(AlON)，氮化铝(AlN)及非晶硅所组成的群组中选择其中至少一种。