公开(公告)号：CN101029408A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200610106361.X

申请日：2006-07-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 作山诚树 ,  清水浩三

IPC: C25D3/60 ,  C25D5/10

CPC classification number: C22C13/00 ,  B32B15/015 ,  C22C9/02 ,  C22C13/02 ,  C23C18/1601 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1692 ,  C23C18/18 ,  C23C18/1848 ,  C23C18/48 ,  C23C18/52 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12715 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种电镀结构，包括：基底，其由含有铜作为主要成分的铜基材料形成；电镀膜，其由含有锡作为主要成分的锡基材料形成，并且设置在该基底上；以及锡铜化合物阻挡膜，其位于该基底和该电镀膜之间的边界处。该锡铜化合物阻挡膜的密度大于铜的密度。本发明还公开了形成该电镀结构的电镀方法。根据上述的电镀结构和方法，能够实现具有简单膜结构的无晶须的锡基电镀，同时相对于焊料保持满意的湿度。

公开(公告)号：CN1287648C

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN02147178.9

申请日：2002-10-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 作山诚树 ,  今泉延弘 ,  八木友久

IPC: H05K3/32 ,  H01L21/60

CPC classification number: H05K3/321 ,  H01L21/563 ,  H01L24/11 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3473 ,  H05K3/3484 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/10977 ,  H05K2203/043 ,  H05K2203/054 ,  H05K2203/0568 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种形成电极间粘合结构的方法，包括步骤：树脂涂层形成在有第一电极部分的第一粘接物上，使树脂涂层覆盖第一电极部分。然后，在树脂涂层中形成开口以暴露第一电极部分。然后，在开口中填充含金属和树脂组分的金属膏。然后，第一粘接物放置在有第二电极部分的第二粘接物上，使开口中填充的金属膏面向第二电极部分，而树脂涂层接触第二粘接物。最后，利用加热处理，在使树脂涂层硬化的同时，它使第一粘接物与第二粘接物之间通过金属互相电路连接。

公开(公告)号：CN1420527A

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN02149582.3

申请日：2002-11-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 作山诚树 ,  落合正行 ,  山口一郎 ,  藤森城次

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体器件的制造方法，包括下述工序：在具有电极部分11的半导体衬底10上、形成树脂膜以便覆盖使得把电极部分11的树脂膜形成工序；在树脂膜上与电极部分11对应的位置上形成开口部分的开口部分形成工序；向开口部分上供给突点形成材料的供给工序；用加热处理的办法、在开口部分上形成突点41的突点形成工序；以及除去树脂膜的除去工序。