公开(公告)号：CN100561723C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200610087707.6

申请日：2006-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥秀和 ,  山田大干 ,  伊藤恭介 ,  杉山荣二 ,  道前芳隆

IPC: H01L23/488 ,  H01L27/12 ,  H01L21/60 ,  H01L21/84 ,  G06K19/077

CPC classification number: H01L23/66 ,  H01L23/49855 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体器件包括晶体管、形成在晶体管上的绝缘层、通过形成在绝缘层中的开口部与晶体管的源极区域或漏极区域电连接的第一导电层(相当于源极布线或漏极布线)、形成在绝缘层和第一导电层上的第一树脂层、通过形成在第一树脂层中的开口部与第一导电层电连接的含有导电粒子的层、以及设置有第二树脂层和用作天线的第二导电层的衬底。在具有上述结构的半导体器件中，第二导电层与第一导电层电连接，其中间夹有含有导电粒子的层。此外，第二树脂层形成在第一树脂层上。

公开(公告)号：CN101034723A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200710086231.9

申请日：2007-03-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒尾达也 ,  山田大干 ,  高桥秀和 ,  楠本直人 ,  西和夫 ,  菅原裕辅 ,  高桥宽畅

IPC: H01L31/101 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14692

Abstract: 本发明的目的在于获得一种可防止污染物质混入到光电转换层、分光感度特性良好、并输出电流的偏差小的光电转换装置。在包括光电转换装置的半导体装置中，获得一种可靠性高的半导体装置。本发明提供一种半导体装置，其在绝缘表面上包括：第一电极；第二电极；在所述第一电极和第二电极之间的彩色滤光片；覆盖所述彩色滤光片的覆盖层；以及在所述覆盖层上的、包括p型半导体层、i型半导体层及n型半导体层的光电转换层，其中所述光电转换层的一个端部与所述第一电极接触，并且所述彩色滤光片的端部位于所述光电转换层的另一个端部的内侧。

公开(公告)号：CN1993829A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200580026229.1

申请日：2005-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 渡边了介 ,  高桥秀和 ,  鹤目卓也

IPC: H01L27/12 ,  G06K19/07 ,  G06K19/077 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  B42D15/10 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/56 ,  B32B37/20 ,  B32B2305/342 ,  B42D25/45 ,  B42D2033/46 ,  G06K19/07718 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/0775 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T156/1089 ,  Y10T156/1093 ,  Y10T156/1712 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提高在对薄膜集成电路进行密封过程中的生产效率，并且防止损失和破坏。还有，本发明的另外一个目的在于防止薄膜集成电路在运输过程中遭受损伤，并且使得易于搬运薄膜集成电路。本发明提供了一种层压系统，其中使用辊来供给密封用基底、接收IC芯片、分离以及密封。对大量的薄膜集成电路进行分离、密封和接收操作可以通过旋转所述辊来连续地进行；因此，可以极大地提高生产效率。还有，由于使用了相互对置的辊对，因此可以轻易地所述密封薄膜集成电路。

公开(公告)号：CN1940977A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610159571.5

申请日：2006-09-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 楠本直人 ,  高桥秀和 ,  小林由佳

IPC: G06K19/077 ,  H01L27/02 ,  H01L23/522 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/49855 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/0775 ,  H01L23/5389 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置，该半导体装置能够实现批量生产，而且具有跟现有的小型元件不同的结构。本发明的目的还在于提供一种可以提高强度，并可以抑制在制造步骤中的元件的损坏，且可靠性以及成品率高的半导体装置的结构以及其制造方法。本发明的半导体装置包括：具有集成电路的层；形成在具有集成电路的层上，而且与具有集成电路的层电连接的第一端子；形成在第一端子上，而且与第一端子电连接的起天线作用的导电层；形成在具有集成电路的层上，而且与具有集成电路的层、起天线作用的导电层、第一端子不电连接的第二端子。

公开(公告)号：CN1606169A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN200410087478.9

申请日：2004-10-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 西和夫 ,  安达广树 ,  楠本直人 ,  菅原裕辅 ,  高桥秀和 ,  山田大干 ,  樋浦吉和

IPC: H01L29/00 ,  H01L29/786 ,  H01L29/861 ,  H01L31/04 ,  H01L27/12 ,  H01L27/14 ,  H01L21/84 ,  H04M1/00 ,  H04Q7/32

CPC classification number: H01L31/0203 ,  H01L23/49805 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，具有可装配在布线衬底上的结构，所述半导体器件形成在薄膜厚度衬底、膜状衬底，或者片状衬底上。此外，本发明提供一种制造半导体器件的方法，能够提高装配在布线衬底上的可靠性。本发明的一个特征是把形成在绝缘衬底上的半导体元件接合到通过具有各向异性导电性的介质形成的导电膜的部件上。

公开(公告)号：CN101527270B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200910118050.9

申请日：2005-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 渡边了介 ,  高桥秀和 ,  鹤目卓也

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/56 ,  B32B37/20 ,  B32B2305/342 ,  B42D25/45 ,  B42D2033/46 ,  G06K19/07718 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/0775 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T156/1089 ,  Y10T156/1093 ,  Y10T156/1712 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提高在对薄膜集成电路进行密封过程中的生产效率，并且防止损失和破坏。还有，本发明的另外一个目的在于防止薄膜集成电路在运输过程中遭受损伤，并且使得易于搬运薄膜集成电路。本发明提供了一种层压系统，其中使用辊来供给密封用基底、接收IC芯片、分离以及密封。对大量的薄膜集成电路进行分离、密封和接收操作可以通过旋转所述辊来连续地进行；因此，可以极大地提高生产效率。还有，由于使用了相互对置的辊对，因此可以轻易地密封所述薄膜集成电路。

公开(公告)号：CN1940977B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200610159571.5

申请日：2006-09-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 楠本直人 ,  高桥秀和 ,  小林由佳

IPC: G06K19/077 ,  H01L27/02 ,  H01L23/522 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/49855 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/0775 ,  H01L23/5389 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置，该半导体装置能够实现批量生产，而且具有跟现有的小型元件不同的结构。本发明的目的还在于提供一种可以提高强度，并可以抑制在制造步骤中的元件的损坏，且可靠性以及成品率高的半导体装置的结构以及其制造方法。本发明的半导体装置包括：具有集成电路的层；形成在具有集成电路的层上，而且与具有集成电路的层电连接的第一端子；形成在第一端子上，而且与第一端子电连接的起天线作用的导电层；形成在具有集成电路的层上，而且与具有集成电路的层、起天线作用的导电层、第一端子不电连接的第二端子。

公开(公告)号：CN1993829B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200580026229.1

申请日：2005-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 渡边了介 ,  高桥秀和 ,  鹤目卓也

IPC: H01L27/12 ,  G06K19/07 ,  G06K19/077 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  B42D15/10 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/56 ,  B32B37/20 ,  B32B2305/342 ,  B42D25/45 ,  B42D2033/46 ,  G06K19/07718 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/0775 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T156/1089 ,  Y10T156/1093 ,  Y10T156/1712 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提高在对薄膜集成电路进行密封过程中的生产效率，并且防止损失和破坏。还有，本发明的另外一个目的在于防止薄膜集成电路在运输过程中遭受损伤，并且使得易于搬运薄膜集成电路。本发明提供了一种层压系统，其中使用辊来供给密封用基底、接收IC芯片、分离以及密封。对大量的薄膜集成电路进行分离、密封和接收操作可以通过旋转所述辊来连续地进行；因此，可以极大地提高生产效率。还有，由于使用了相互对置的辊对，因此可以轻易地密封所述薄膜集成电路。

公开(公告)号：CN100585867C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200510108891.3

申请日：2005-09-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥秀和 ,  丸山纯矢 ,  山田大干 ,  楠本直人 ,  西和夫 ,  安达广树 ,  菅原裕辅

IPC: H01L27/15 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14692

Abstract: 本发明揭示一种半导体装置及其制造方法。传感器元件中存在的课题是，为了进一步推进今后的大功率输出及小型化，要在有限的面积上形成多个元件，要缩小元件所占的面积进行集成。还存在的课题是，提供能够提高传感器元件的合格率的工艺。本发明是在具有绝缘表面的基板上将采用非晶态硅膜的传感器元件、以及由薄膜晶体管构成的输出放大电路进行集成。另外，在传感器元件的光电变换层形成图形时，在光电变换层与薄膜晶体管连接的布线之间设置包含露出的保护布线用的金属层。

公开(公告)号：CN100550328C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200510084624.7

申请日：2005-07-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 渡边了介 ,  高桥秀和 ,  鹤目卓也 ,  荒井康行 ,  渡边康子 ,  樋口美由纪

IPC: H01L21/56

CPC classification number: H01L21/56 ,  B32B37/153 ,  B32B37/226 ,  B32B2305/342 ,  B32B2519/02 ,  G06K19/07718 ,  G06K19/07749 ,  H01L21/67132 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T156/1095 ,  Y10T156/1734 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种层压系统，其中，用于密封薄膜集成电路的第二和第三基板之一在以加热熔融态挤压出的同时提供给具有多个薄膜集成电路的第一基板，其它辊子用于供应其它基板、接收IC芯片、分离和密封。通过旋转辊子可连续地进行以下步骤：分离在第一基板上设置的薄膜集成电路；密封分离的薄膜集成电路；和接收密封的薄膜集成电路。因此，极大地提高了生产效率。