公开(公告)号：CN107710410A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201680037848.9

申请日：2016-05-19

申请人： 酷星技术股份有限公司

发明人： 许曙明

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8249

CPC分类号： H01L21/823835 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823443 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66507 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

摘要： 本发明揭示一种制造功率半导体装置的方法，其包含：形成具有包含第一金属硅化物材料的第一完全硅化栅极的至少一个横向扩散金属氧化物半导体LDMOS结构；及形成与所述LDMOS结构集成于相同衬底上的至少一个互补金属氧化物半导体CMOS结构，所述CMOS结构具有包含第二金属硅化物材料的第二完全硅化栅极。所述第一金属硅化物材料优选地包含硅化钨，且所述第二金属硅化物材料包含除硅化钨以外的材料。

公开(公告)号：CN104916545A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510219275.9

申请日：2015-04-30

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 张冬明 ,  刘巍

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823835

摘要： 本发明提供一种半导体器件的制作方法，在栅极、源极和漏极表面形成金属硅化物之前，采用纯碳离子或者锗碳离子或者硅离子对所述栅极、源极和漏极的表面进行预非晶化处理，以减小器件的阈值电压的失配，来提高器件性能。

公开(公告)号：CN103632947A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310369841.5

申请日：2013-08-22

申请人： 国际商业机器公司

发明人： L·F·埃奇 ,  H·杰加纳森 ,  B·S·哈兰

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/0922 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/088 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

摘要： 本发明涉及为使用全金属栅极的互补金属氧化物半导体集成多阈值电压器件的方法和系统。提供衬底，该衬底上已形成有第一区域和与所述第一区域互补类型的第二区域。在所述衬底之上沉积栅极电介质，并且在所述栅极电介质之上沉积第一全金属栅极叠层。去除所述第一区域之上的所述第一全金属栅极叠层以产生所得到的结构。与所述第一区域之上的所述栅极电介质相接触地在所得到的结构之上沉积第二全金属栅极叠层。密封所述第一和第二全金属栅极叠层。

公开(公告)号：CN101770987B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201010004653.9

申请日：2008-03-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 柯志欣 ,  李文钦 ,  葛崇祜 ,  陈宏玮

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7845

摘要： 本发明提供一半导体集成电路装置的制造方法，包括：形成一第一阱于半导体基底中；提供一第一栅极结构于半导体基底上，且第一栅极结构延伸离开半导体基底，其中包括提供一应力源于第一栅极结构中，应力源提供一第一应力于第一阱中，且还包括提供一第一栅极电极于第一栅极结构中并位于第一阱上且介于应力源与半导体基底之间；形成一第二阱于半导体基底中；提供一第二栅极结构于半导体基底上，第二栅极结构比第一栅极结构高，且其包括一第二栅极电极位于第二阱上；以及形成一材料层其与第二栅极结构接触且产生一第二应力于第二阱中。通过本发明的半导体集成电路装置及其制造方法能够对晶体管沟道施加所需的张应力或压应力。

公开(公告)号：CN101069281B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200580041392.5

申请日：2005-12-01

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 小希里尔·卡布莱尔 ,  切斯特·T.·齐奥波科夫斯基 ,  约汉·J.·爱丽斯-莫纳甘 ,  方隼飞 ,  克里斯蒂安·拉沃伊 ,  骆志炯 ,  詹姆斯·S.·纳考斯 ,  安·L.·斯廷根 ,  克莱门特·H.·万

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823835

摘要： 一种制造互补金属氧化物半导体(CMOS)器件的方法，其中该方法包括如下步骤：在半导体衬底(102)中形成用于容纳第一类型半导体器件(130)的第一阱区(103)；在半导体衬底(102)中形成用于容纳第二类型半导体器件(140)的第二阱区(104)；用掩模(114)屏蔽第一类型半导体器件(130)；在第二类型半导体器件(140)上淀积第一金属层(118)；在第二类型半导体器件(140)上形成第一自对准硅化物；去除掩模(114)；在第一和第二类型半导体器件(130、140)上淀积第二金属层(123)；和在第一类型半导体器件(130)上形成第二自对准硅化物。该方法只需要一个图案层次，并消除了图案重叠，这还简化了在不同器件上形成不同硅化物材料的工艺。

公开(公告)号：CN101167169B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200680014506.1

申请日：2006-04-19

申请人： 先进微装置公司

发明人： T·卡姆勒 ,  A·魏 ,  M·伦斯基

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823864 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823835 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： 通过在形成金属硅化物之前移除用于形成高度复杂的横向掺质分布的外间隔体109，得到与习知工艺兼容的高度工艺兼容性，同时可使接触衬垫层(contact liner layer)115的位置更加接近沟道区，从而使得有高效率的应力转移机构可用来在沟道区中产生对应的应变(strain)。

公开(公告)号：CN102074507A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010546707.4

申请日：2010-11-11

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘重希 ,  余振华

IPC分类号： H01L21/8232 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66575

摘要： 本发明一实施例提供一种集成电路的制作方法，包括以一先栅极工艺在一基板上形成N型金属氧化物半导体晶体管的金属栅极电极；以及以一后栅极工艺于基板上形成P型金属氧化物半导体晶体管的栅极电极。使用本发明来制作N型金属氧化物半导体晶体管与P型金属氧化物半导体晶体管的金属栅极电极可降低制作成本。

公开(公告)号：CN101496154B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200780028603.0

申请日：2007-05-10

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 威廉·K·亨森 ,  克恩·里姆

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/28097 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665

摘要： 本发明涉及一种在一个或更多个器件区中通过完全硅化(FUSI)栅电极而选择性地制造金属栅电极的方法。FUSI的选择性形成使得金属栅极可以在与常规n+和p+掺杂的多晶硅电极不同的功函数相容的器件上制造。各器件区包括至少一个场效应晶体管(FET)器件，其或者包括多晶硅栅电极或者全硅化(FUSI)栅电极。包括硅层和含锗层的栅电极与选择性的去除含锗层的工艺结合使用。在具有与FUSI功函数不相容的阈值电压的器件上，含锗层不被去除。与FUSI功函数相容的器件具有在结硅化步骤之前被去除的含锗层。剩余的栅电极的薄硅层在与所述结硅化相同的步骤中变成完全硅化。

公开(公告)号：CN101517732B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200780035073.2

申请日：2007-06-04

申请人： 日本电气株式会社

发明人： 间部谦三

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/823835 ,  H01L21/28097 ,  H01L29/66545

摘要： 一种半导体器件，包括：硅衬底；N沟道场效应晶体管，其包括在硅衬底上的第一栅极绝缘膜、在第一栅极绝缘膜上的第一栅极电极以及第一源极/漏极区域；以及P沟道场效应晶体管，其包括在硅衬底上的第二栅绝缘膜、在第二栅绝缘膜上的第二栅极电极以及第二源极/漏极区域。第一栅极电极和第二栅极电极中的每个包括：结晶硅化镍区域，其包含杂质元素，所述结晶硅化镍区域与第一栅极绝缘膜或第二栅极绝缘膜接触；以及在上部中的阻挡层区域，其包括栅极电极的上表面，所述阻挡层区域包含浓度比上部下方的下部的浓度高的抑制Ni扩散元素。

公开(公告)号：CN101232021B

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200810002671.6

申请日：2008-01-14

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 侯永田 ,  徐鹏富 ,  金鹰 ,  林纲正 ,  黄国泰 ,  李资良

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823835 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： 本发明涉及一种半导体结构，包括：半导体基底；第一导电型的第一金属氧化物半导体装置，包括：第一栅极介电层，形成于半导体基底上；含有金属的第一栅极电极层，形成于第一栅极介电层上；硅化层，形成于含有金属的第一栅极电极层上；以及第二导电型的第二金属氧化物半导体装置，其导电型与第一导电型相反，包括：第二栅极介电层，形成于半导体基底上；含有金属的第二栅极电极层，形成于第二栅极介电层上；以及接触蚀刻停止层，具有一部分形成于含有金属的第二栅极电极层上，其中介于接触蚀刻停止层的上述部分与含有金属的第二栅极电极层之间的区域实质上不含硅。本发明可以取其利用具有能带边缘的功函数的优点，同时克服耗尽效应等缺陷。