公开(公告)号：CN104218031B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201310217477.0

申请日：2013-05-31

申请人： 湖北台基半导体股份有限公司

发明人： 颜家圣 ,  陈崇林 ,  邢雁 ,  孙亚男 ,  王维

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/37 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/77272 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明的名称为母排联接式高性能IGBT模块及其制作方法。属于功率半导体器件和电力电子技术领域。它主要是解决现有铝丝键合存在芯片和联接线间的接触面积小、IGBT器件的浪涌电流能力和过载能力不够高、器件工作可靠性不够高的问题。它的主要特征是：包括外壳、底板、电极和封装在外壳内的半导体芯片、DBC、电极、母排、钼片、焊料等。所述的芯片、DBC、电极相互间是通过母排联接的。母排联接方法是将各部件依次组装在专用的制具中，并紧固，在真空炉中焊接而成。本发明能显著提高IGBT器件的频率特性，改善器件的开关性能，对高频、大功率、高可靠性半导体器件非常适用。相比传统技术，可节省投资，缩短生产加工周期。

公开(公告)号：CN106409804A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610137682.X

申请日：2013-07-12

申请人： 苏州固锝电子股份有限公司

发明人： 张雄杰 ,  何洪运 ,  程琳

IPC分类号： H01L23/495

CPC分类号： H01L2224/37 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40475 ,  H01L2224/84 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/49524

摘要： 本发明一种高可靠性半导体器件，其位于所述第二引线条一端的焊接区与连接片的第一焊接面连接，该第二引线条另一端作为器件电流传输的引脚区；所述连接片第二焊接面与整流芯片上表面通过焊锡膏电连接；第二焊接面均匀分布有若干个第一通孔，一第二通孔位于第二折弯处、第二焊接面、中间区上，此第二通孔横跨第二折弯处并延伸到第二焊接面、中间区边缘区域；所述连接片的第一焊接面高度低于所述第二焊接面高度，所述第一折弯处、第二折弯处与中间区夹角为130°。本发明避免了因为焊料量多而溢出可焊接区造成产品失效、短路，提高了产品电性和可靠性大大提高了良率。

公开(公告)号：CN103383929B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201310293355.X

申请日：2013-07-12

申请人： 苏州固锝电子股份有限公司

发明人： 张雄杰 ,  何洪运 ,  程琳

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/492

CPC分类号： H01L2224/37 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40475 ,  H01L2224/84 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明一种高可靠性整流器件，其第一引线条一端的支撑区连接到整流芯片下表面，该整流芯片下表面通过焊锡膏与该第一引线条的支撑区电连接；位于第二引线条一端的焊接区与连接片的第一焊接面连接；连接片的第一焊接面和第二焊接面之间具有一中间区，此中间区与第一焊接面和第二焊接面之间分别设有第一折弯处和第二折弯处，所述连接片的第二焊接面相对的两侧端面均具有条状缺口，一第二通孔位于第二折弯处、第二焊接面、中间区上，此第二通孔横跨第二折弯处并延伸到第二焊接面、中间区边缘区域。本发明高可靠性整流器件可以自适应吸收多余的焊料，既保证了焊接区域铺展有足够面积的焊料，又避免了因为焊料量多而溢出可焊接区造成产品失效，提高了产品电性、可靠性和良率。

公开(公告)号：CN102842549B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201210302402.8

申请日：2012-08-23

申请人： 苏州固锝电子股份有限公司

发明人： 胡乃仁 ,  杨小平 ,  李国发 ,  钟利强

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L2224/32245 ,  H01L2224/37 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明公开一种四方扁平无引脚的功率MOSFET封装体，其导电基盘由散热区和基盘引脚区组成，此基盘引脚区由若干个相间排列的漏极引脚组成，所述散热区位于MOSFET芯片正下方且与MOSFET芯片下表面之间通过软焊料层电连接；所述第一导电焊盘和第二导电焊盘位于MOSFET芯片另一侧，第一导电焊盘和第二导电焊盘均包括焊接区和引脚区，焊接区与引脚区的连接处具有一折弯部；一铝导体带跨接于所述MOSFET芯片的源极与第一导电焊盘的焊接区之间，所述铝导体带与MOSFET芯片的源极的焊接条至少为2条且相间排列；所述软焊料层由以下质量百分含量的组分组成：铅92.5%，锡5%，银2.5%。本发明功率MOSFET封装体有利于减少欧姆接触电阻，提高了电性能指标，同时也减少热量的产生。

公开(公告)号：CN102931175B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201210458107.1

申请日：2012-11-14

申请人： 江苏爱普特半导体有限公司

发明人： 周锦源 ,  柏治国 ,  蒋陆金 ,  臧凯晋

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L29/74 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L2224/37 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/84

摘要： 一种晶闸管模块。属于功率半导体模块制造领域。本发明采用了全新的芯片与信号端的连接方式，进而能简化工艺和材料，使得产品具有高可靠性和高一致性的连接结构，从而显著优化产品性能。包括底板、壳体、基板、芯片一、芯片二、电极一、电极二、电极三、信号端子Ga、信号端子Ka、信号端子Kb和信号端子Gb；两芯片的正面为阳极A，背面设有阴极K和门极G；基板的顶面印制有相互绝缘的导电块区一、导电块区二、导电块区三、导电线区一、导电线区二、导电线区三和导电线区四；本发明中产品一致性大大提高，可靠性也随之提高。本发明制得的产品原材料和工艺步骤大幅度简化，产品制造良率提升，性能和一致性显著提高，可靠性增加。

公开(公告)号：CN102931174B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201210423400.4

申请日：2012-10-30

申请人： 南通康比电子有限公司

发明人： 曹孙根

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367

CPC分类号： H01L2224/37 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099

摘要： 本发明公开了一种微型表面贴装单相全波桥式整流器及其制造方法，由单片框架单元及下引脚单元构成；其单片框架单元和下引脚单元包括5个组成桥式整流电路的整流芯片的部件：输入端子两个一组、输出端子两个一组，连接跳线两个一组、芯片四个一组、及塑封体。本发明与现有技术相比具有以下优点：由于整流器的机构与已有技术相比其总厚度可减少一半的同时，还做到了杜绝因制作工序中材料切割的硬度对实现的芯片影响；当微型单相全波桥式整流器焊接到PCB板上后，由于从芯片（热源）到PCB板上焊点的垂直距离、横向距离非常短，故其间的热阻也会非常小，这将大大提高散热效率，使其工作得更加可靠。

公开(公告)号：CN104332458A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410615601.3

申请日：2014-11-05

申请人： 中国电子科技集团公司第四十三研究所

发明人： 王腾 ,  郑静 ,  常永嘉 ,  董晓伟

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L2224/37 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及混合集成电路功率芯片三维焊接互连技术，具体涉及一种功率芯片互连结构及其互连方法，该互连结构包括功率芯片、过渡金属片和铜带或铜框架，互连方法为：先在功率芯片上焊接过度金属片，通过过渡金属片实现功率芯片与基板过铜带的焊接互联。本发明采用梯度焊接的方式进行互联，可以在实现混合集成电路的功率芯片低功耗互连的同时，采用铜结构互连提高了互连可靠性，且结构简单，组装容易。

公开(公告)号：CN104218031A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201310217477.0

申请日：2013-05-31

申请人： 湖北台基半导体股份有限公司

发明人： 颜家圣 ,  陈崇林 ,  邢雁 ,  孙亚男 ,  王维

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/37 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/77272 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明的名称为母排联接式高性能IGBT模块及其制作方法。属于功率半导体器件和电力电子技术领域。它主要是解决现有铝丝键合存在芯片和联接线间的接触面积小、IGBT器件的浪涌电流能力和过载能力不够高、器件工作可靠性不够高的问题。它的主要特征是：包括外壳、底板、电极和封装在外壳内的半导体芯片、DBC、电极、母排、钼片、焊料等。所述的芯片、DBC、电极相互间是通过母排联接的。母排联接方法是将各部件依次组装在专用的制具中，并紧固，在真空炉中焊接而成。本发明能显著提高IGBT器件的频率特性，改善器件的开关性能，对高频、大功率、高可靠性半导体器件非常适用。相比传统技术，可节省投资，缩短生产加工周期。

公开(公告)号：CN103824853A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201410061693.5

申请日：2014-02-24

申请人： 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

发明人： 谭小春

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/495 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L2224/37 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 公开了一种应用于开关型调节器的集成电路组件，包括：引线框，其具有多个引脚和基底；第一功率器件芯片，其正面具有第一电极和控制电极，其背面具有第二电极；控制芯片，控制芯片堆叠在第一功率器件芯片上方，并且具有内部控制驱动电路以及与内部控制驱动电路电连接的多个焊垫；以及中间导电部件，其具有用于焊料互连的表面，其中，第一功率器件芯片的控制电极通过导电凸块电连接到中间导电部件,中间导电部件通过键合线连接到控制芯片的多个焊垫中的相应一个焊垫。该集成电路组件有利于控制芯片与其下方的第一功率器件芯片的电连接，并且提高了集成电路组件的可靠性。

公开(公告)号：CN103811446A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201210459713.5

申请日：2012-11-15

申请人： 万国半导体(开曼)股份有限公司

发明人： 潘华 ,  何约瑟 ,  鲁军 ,  鲁明朕 ,  牛志强 ,  哈姆扎·依玛兹

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L29/41 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48482 ,  H01L2224/48499 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01079

摘要： 本发明涉及一种封装有金属片的半导体器件中铜线键接的结构及其制作方法，通过键接金线在芯片表面的第二镀层上形成一个金的凸块，以增加覆盖在第一镀层上方、作为铜线键接缓冲层的厚度，因此，在焊接金属片和芯片时的高温回流焊过程中，能够有效防止下方镍的第一镀层扩散到上方金的第二镀层及凸块上，从而在铜线键接至凸块上时保证铜线连接的可靠性。并且，当便清洗由于助焊剂挥发在芯片表面产生的污染物。因此，本发明能够有效解决铜线键接时的NSOP第一焊点问题，保证半导体器件的产品质量。