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    在光阻释气期间用于改进注入均匀性的方法
    43.
    发明公开
    在光阻释气期间用于改进注入均匀性的方法 有权

    公开(公告)号：CN103098167A

    公开(公告)日：2013-05-08

    申请号：CN201180012345.3

    申请日：2011-03-04

    申请人： 艾克塞利斯科技公司

    发明人： 佐藤秀

    IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/244 ,  H01J37/147 ,  H01J37/304

    CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/1472 ,  H01J37/244 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/30483 ,  H01J2237/31703

    摘要： 本发明提供一种用于改进经历沿着束线的压力增加的离子束的注入均匀性的方法及装置。该方法包括产生以基本上恒定的速度横越工件来移动离子束的主扫描波形。也产生具有固定高度和波形的补偿波形(例如，二次波形)，且将该补偿波形与主扫描波形混合(例如，通过可变混频器)以形成束扫描波形。可通过瞬时真空压力信号来调节混合比率，与连续修改扫描波形相比较，该调节可以以高很多的速度执行且更简单。该混合提供包括非恒定斜率的束扫描波形，该非恒定斜率在离子束横越工件移动时改变离子束的速度。因此，具有非恒定斜率的所获得的束扫描波形能够解决沿着快速扫描方向的剂量中的压力非均匀性问题。

    用于高电流离子注入的低污染低能量束线结构
    44.
    发明授权
    用于高电流离子注入的低污染低能量束线结构 有权

    公开(公告)号：CN102017054B

    公开(公告)日：2013-04-17

    申请号：CN200980114412.5

    申请日：2009-04-23

    申请人： 艾克塞利斯科技公司

    发明人： Y·黄

    IPC分类号： H01J37/317

    CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3007 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/05 ,  H01J2237/202 ,  H01J2237/24528

    摘要： 一种离子注入系统(500)，包括：离子源(502)，其产生沿射束路径(505，507)的离子束(504)；在该离子源的下游的质量分析器组件(514)，其在该离子束上进行质量分析与角度修正；解析孔(516)电极，其包括在该质量分析器组件(514)的下游并且沿着该射束路径的至少一个电极，至少一个电极具有根据所选择的质量解析度与射束包络的尺寸与形状；在解析孔电极的下游的偏转元件(518)，其改变该偏转元件射出该离子束(507)的路径；在偏转元件的下游的减速电极(519)，其将该离子束进行减速；支持台，其在终端站(526)中以用于将由带电离子所注入的工件(522)进行保持和定位，以及其中该终端站以大约逆时针8度安装，以致于所偏转的该离子束垂直于该工件。

    通用射束干扰侦测系统
    45.
    发明公开
    通用射束干扰侦测系统 有权

    公开(公告)号：CN103026450A

    公开(公告)日：2013-04-03

    申请号：CN201180036894.4

    申请日：2011-07-27

    申请人： 艾克塞利斯科技公司

    发明人： 佐藤秀

    IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/304

    CPC分类号： H01J37/3045 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/24535 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/31703

    摘要： 本发明以允许的剂量均匀度、一工作件穿过一离子射束的通过次数、移动速度、以及射束尺寸为基础来决定一干扰时间持续长度临界值。一射束下降检查标准程序会在注入期间重复地测量射束电流。每一次射束电流足够时一射束下降计数器便会被重置。在射束下降第一次出现时，计数器会递增而且该工作件的位置会被记录。每一次后续测量时，倘若射束下降继续则该计数器便会递增，或是倘若该射束足够的话该计数器便会被重置。因此，该计数器会以和测量时间区间相关联的单位来表示每一个下降的长度。该注入标准程序仅在该计数器超过该干扰时间持续长度临界值时才会停止，并且实施修补标准程序，其包括以该工作件少一次移动穿过该射束为基础来重新计算该干扰时间持续长度临界值，并且实施从该已储存位置处开始的注入标准程序。

    使用束扫描以提高二维机械扫描注入系统的均匀性和生产率
    48.
    发明公开
    使用束扫描以提高二维机械扫描注入系统的均匀性和生产率 有权

    公开(公告)号：CN102576639A

    公开(公告)日：2012-07-11

    申请号：CN201080030014.8

    申请日：2010-07-01

    申请人： 艾克塞利斯科技公司

    发明人： 安迪·雷

    IPC分类号： H01J37/147 ,  H01J37/20 ,  H01J37/317

    CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/1472 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/24542

    摘要： 本发明公开了一种离子注入系统(100)，该离子注入系统包括被构造成朝向端站引导离子束(170)的束线和扫描系统，该端站被构造成保持或支撑工件。所述扫描系统被构造成以二维方式使端站扫描通过离子束，该二维方式包括沿第一方向的第一扫描轴线(“快扫描”，142)和沿不同于第一方向的第二方向的第二扫描轴线(“慢扫描”144)。所述系统还包括补充扫描部件，所述补充扫描部件可操作地与所述扫描系统相关联，并且所述补充扫描部件被构造成执行离子束相对于端站沿具有第三方向的第三扫描轴线的扫描，所述第三方向不同于第一方向。

    减小离子植入器颗粒污染的方法
    49.
    发明授权
    减小离子植入器颗粒污染的方法 有权

    公开(公告)号：CN101636811B

    公开(公告)日：2012-05-23

    申请号：CN200780049064.9

    申请日：2007-12-20

    申请人： 艾克塞利斯科技公司

    发明人： 黄永章 ,  阙维国 ,  张锦程

    IPC分类号： H01J37/08 ,  H01J37/248 ,  H01J37/302

    CPC分类号： H01J37/248 ,  H01J37/045 ,  H01J37/3023 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0206 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/0432 ,  H01J2237/08

    摘要： 本发明公开一种射束控制电路和方法，通过减小离子束的工作因数以最小化离子植入系统内颗粒污染。在一个实施例中，射束控制电路包括与电源及离子植入系统的离子源部分相串联的高压开关，其中，开关可被操作以中断或重新建立电源与离子源的电极之间的连接，电极包括用于产生等离子体的电极。射束控制电路还包括开关控制器，其可操作地通过控制开关在离子植入开始之前闭合并且控制开关在植入完成之后或在不需要射束的其它时间断开，以控制离子束的工作因数，从而最小化射束工作因数和颗粒污染。射束控制技术可被应用于晶片掺杂植入和减小工作因数。用于高压开关的保护电路吸收来自电抗元件的能量并且钳止任何过电压。

    热动卡盘及用于制造热动卡盘的方法
    50.
    发明授权
    热动卡盘及用于制造热动卡盘的方法 失效

    公开(公告)号：CN101400470B

    公开(公告)日：2011-12-28

    申请号：CN200780009033.0

    申请日：2007-03-09

    申请人： 艾克塞利斯科技公司

    发明人： 托马斯·兰德里根

    IPC分类号： B23K1/00 ,  B23K1/008 ,  H01L21/00

    CPC分类号： H01L21/67109 ,  H01L21/67103 ,  Y10T29/49904 ,  Y10T29/4998 ,  Y10T29/49988 ,  Y10T29/53704

    摘要： 加工半导体基底所用的热动卡盘包括提供层流的冷却通道(106)。热动卡盘可通过以下的步骤制造出来：在平面状支撑表面部分(102)及底面部分(104)中所选出的一个内形成冷却通道；将包覆材料夹在该平面状支撑表面部分以及该底面部分之间，以形成热动卡盘组件；以及，将该热动卡盘组件加热至使包覆材料与该平面状支撑表面部分和该底面部分熔接的温度以及在该条件下进行包覆材料与该平面状支撑表面部分和该底面部分的熔接，其中，冷却通道被密封于内部。此冷却通道可以被铣磨或铸造，并且具有与相邻直线区段连接以形成蜿蜒状形状的径向曲线区段。