公开(公告)号：CN105555990A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201480040877.1

申请日：2014-07-16

申请人： 先进能源工业公司

发明人： D·克里斯蒂

IPC分类号： C23C14/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54 ,  H01J37/34

CPC分类号： H01J37/3405 ,  C23C14/0042 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3438 ,  H01J37/3444 ,  H01J37/3464 ,  H01J37/3467 ,  H01J37/3479

摘要： 本发明公开了一种溅射系统和方法。所述系统具有至少一个具有第一磁控管和第二磁控管的双磁控管对，配置每个磁控管以支持靶材。所述系统还具有DMS组件，该DMS组件具有与开关组件和电压传感器连接的直流电源。配置所述DMS组件以独立地控制对每个磁控管的功率的施加，以及提供每个磁控管的电压的测量。所述系统还具有一个或多个致动器，配置所述致动器以使用由所述DMS组件提供的测量控制每个磁控管的电压。配置所述DMS组件和所述一个或多个致动器以响应每个磁控管的电压的测量，通过控制施加到每个磁控管的功率和电压，平衡靶材的消耗。

公开(公告)号：CN103227089B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201310039655.5

申请日：2013-01-31

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 池田太郎 ,  长田勇辉

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H05H1/46 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32293 ,  H01L21/3065 ,  H05H2001/4615

摘要： 本发明提供一种即便在微波的投入电力低的情况下、压力高的情况下也能够确保所期望的表面波等离子体的直径的微波放射机构和表面波等离子体处理装置。微波放射机构（43）包括：传送微波的传送路径（44）；将从微波传送路径（44）传送来的微波经由缝隙（81a）放射到腔室（1）内的天线（81）；使从天线（81）放射的微波透过，在其表面形成表面波的电介质部件（110b）；和对由表面波生成表面波等离子体的等离子体生成区域施加正的直流电压的直流电压施加部件（112），直流电压施加部件（112）对上述等离子体生成区域施加正的直流电压，使得表面波等离子体扩散。

公开(公告)号：CN104651779A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201510070271.9

申请日：2015-02-11

申请人： 烟台首钢磁性材料股份有限公司

发明人： 杨昆昆 ,  彭众杰

IPC分类号： C23C14/22

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C23C14/165 ,  C23C14/35 ,  H01J37/32018 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3435 ,  C23C14/22

摘要： 本发明主要涉及一种用于钕铁硼磁体的镀膜设备及镀膜工艺，专用镀膜设备的基本原理为双层辉光等离子表面冶金，其主要特征结构包括真空室，真空室中部平行等距且相互绝缘的源极和阴极，源极和阴极外的隔热栅，真空室上方的阳极，真空室下方的氩气入口以及真空室后方的真空系统，真空室外的测温系统；表面生成的金属膜层厚度均匀且金属靶材的利用率高，整个镀膜过程中温度相对偏低，对磁体的损害较小，可控性强，无污染，对人体无损害，设备结构简单，靶材限制性小。

公开(公告)号：CN104604337A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201280075694.4

申请日：2012-09-07

申请人： 株式会社京三制作所

发明人： 让原逸男 ,  安达俊幸 ,  小玉真一

IPC分类号： H05H1/46 ,  C23C14/34

CPC分类号： H05H1/46 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32045 ,  H02M3/33507 ,  H02M3/337 ,  H02M2001/007 ,  H05H7/001 ,  H05H2001/4682

摘要： 在点火模式中，通过进行间歇短路控制，使短路电流流过电流型降压斩波部。将短路电流的能量先积蓄在电流型降压斩波部具备的电感器中。积蓄的能量经由到下次短路为止的期间的电流、多相逆变器以及整流部，对直流电源装置的输出电压进行升压。通过基于短路的电流能量的积蓄和重复基于导通的输出电压的升压的升压动作，进行用于提高向等离子体发生装置施加的输出电压的控制。

公开(公告)号：CN103258707A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310162785.8

申请日：2009-09-24

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 宇井明生 ,  林久贵 ,  上夏井健 ,  桧森慎司 ,  山田纪和 ,  大瀬刚 ,  阿部淳

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/14 ,  H01L22/26

摘要： 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其能够有效地抑制电极上的基板的电压变化，抑制射向基板的离子的入射能量的变动。基板处理装置包括：将基板保持在主面上的第一电极；与第一电极相对的第二电极；向第一电极施加频率为40MHz以上的RF电压的RF电源；和叠加在RF电压上，向第一电极施加电压与时间对应地下降的脉冲电压的脉冲电压施加部。

公开(公告)号：CN101546685B

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN200910127092.9

申请日：2009-03-27

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 本田昌伸 ,  增泽健二 ,  中山博之 ,  岩田学 ,  佐藤学 ,  成重和树

IPC分类号： H01J37/32 ,  H05H1/46 ,  H01L21/00 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32027 ,  H01J37/32091

摘要： 本发明提供等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法，使得能够容易且自由地控制被处理基板上的电子密度或者工艺特性的分布特性。该电容耦合型等离子体处理装置在径方向上将上部电极分割成内侧上部电极(60)和外侧上部电极(62)这两个，从2个可变直流电源(80、82)将独立的第一和第二直流电压(VC、VE)同时施加在两个上部电极(60、62)上。通过适当选择这两个直流电压(VC、VE)的组合，能够在各种应用中提高等离子体工艺、蚀刻特性的均匀性。

公开(公告)号：CN101826435B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201010003425.X

申请日：2010-01-15

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 武川贵仁

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32174 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

摘要： 本发明提供等离子蚀刻方法、等离子蚀刻装置及计算机存储介质。该等离子蚀刻方法能够在抑制ArF光致抗蚀剂的损伤(表面粗糙)的同时、以较高的蚀刻速率及充分的选择比对含有硅的防反射膜(Si-ARC)进行等离子蚀刻。该等离子蚀刻方法将形成于基板上的ArF光致抗蚀剂(103)作为掩模，利用处理气体的等离子体对位于ArF光致抗蚀剂(103)的下层的含有Si的防反射膜(102)进行蚀刻，其中，作为处理气体，使用含有CF类气体和/或CHF类气体、CF3I气体、氧气的混合气体，而且，对上部电极施加直流电压。

公开(公告)号：CN102243979A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110132979.4

申请日：2008-02-19

申请人： 因特瓦克公司

发明人： T·布鲁克 ,  P·沃德 ,  M·巴尔奈斯

IPC分类号： H01J37/34 ,  H01J37/32 ,  H01J37/24

CPC分类号： H01J37/34 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/3444

摘要： 一种用于同时为多个溅射源供电的装置。电源耦合到电荷累计器。所述电荷累计器经由开关装置耦合到几个溅射源。每一个开关装置的占空比用来单独控制传输到每一个溅射源的功率。在另一个装置中，电源耦合到阻抗匹配电路。所述阻抗匹配电路经由几个平衡元件耦合到几个溅射源。操作每一个平衡元件以单独控制传输到所述溅射源的功率。

公开(公告)号：CN102098865A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010582747.4

申请日：2010-12-10

申请人： 株式会社电装

发明人： 糸村大辅 ,  寺亮之介

IPC分类号： H05H1/46

CPC分类号： H05H1/46 ,  H01J37/32018 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32532 ,  H05H1/48 ,  H05H2245/123

摘要： 一种等离子体发生器，其被提供有圆柱形腔室部分，该圆柱形腔室部分具有圆柱电极；孔板，其设置在该圆柱形腔室部分中以便将该圆柱形腔室部分分隔成具有进气口的第一腔室和具有排气口的第二腔室；杆状电极，其设置在第二腔室内部并位于圆柱电极的中心轴处，以及子电极，其设置在第一腔室处并且能够施加与该圆柱电极不同的电势，该等离子体发生器在圆柱电极与杆状电极之间施加电场以产生等离子体，进一步在圆柱电极和子电极之间分离地施加电场以产生与在杆状电极和圆柱电极之间产生的等离子体分离的等离子体，以及具有通过孔板的孔连接的第一腔室和第二腔室的等离子体区域。

公开(公告)号：CN101040360B

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN200580029615.6

申请日：2005-06-09

申请人： 先进能源工业公司

发明人： 米兰·伊利克 ,  卡利安·N·C·西德巴图拉 ,  杰拉尔德·C·小鲁普 ,  戴维·J·克里斯蒂

IPC分类号： H01J7/24

CPC分类号： H01J37/3405 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/3299 ,  H05H1/46

摘要： 本发明提供了一种设备和方法，用于控制DC电磁管等离子体处理系统，所述系统根据负载的动态阻抗而自动调节对电源的控制信号，以控制到等离子体的输出功率。采用比开关频率至少高4到5倍的采样频率，对提供功率给等离子体的电源的输出电压和输出电流进行采样，并根据算法，基于所采样的电压和电流计算等离子体的动态阻抗，其中ΔVn和ΔIn是在一个开关周期内样本之间的最大差值。如果动态阻抗实际上为负，则因此对控制信号进行补偿。