公开(公告)号：CN101458962A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200810187037.4

申请日：2008-12-12

申请人： 精工电子有限公司

发明人： 津村和宏

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C16/06 ,  H01L27/115 ,  G11C16/10

CPC分类号： G11C17/16 ,  H01L27/112 ,  H01L27/11206

摘要： 本发明“非易失性半导体存储装置及其写入与读出方法”提供：用由存储元件以外的MOS晶体管确定的最大工作电压以内的电压进行写入，即使将由所述存储元件以外的MOS晶体管确定的最大工作电压在所要求的期间持续施加，也不会引起数据的反转的非易失性半导体存储装置及其写入方法和读出方法。为此，在同一衬底上形成在栅导通状态下的漏极耐压即导通耐压不同的MOS晶体管，将导通耐压低的一方的MOS晶体管作为存储元件来使用，通过利用在栅导通状态下漏极耐压低，使导通耐压低的一方的MOS晶体管的漏极/衬底间的PN结短路，进行数据的写入。

公开(公告)号：CN101147256A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200680009785.2

申请日：2006-03-22

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 汤川干央 ,  大泽信晴 ,  浅见良信

IPC分类号： H01L27/10 ,  G06K19/07 ,  G06K19/077 ,  H01L27/28 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC分类号： H01L27/1255 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/101 ,  H01L27/105 ,  H01L27/112 ,  H01L27/11206 ,  H01L27/11286 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/13 ,  H01L27/285 ,  H01L51/0042 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/0533

摘要： 本发明的一个目的是提供一种非易失性存储装置以及包括该存储装置的半导体装置，其中在制造过程之后可以将数据添加到存储装置，并且可以防止因重写导致的伪造等现象。本发明的另一个目的是提供一种具有高可靠性且廉价的非易失性存储装置以及包括该存储装置的半导体装置。一种存储元件包括第一导电层、第二导电层、厚度大于等于0.1纳米且小于等于4纳米且与该第一导电层接触的第一绝缘层，以及夹在该第一导电层、第一绝缘层和第二导电层之间的有机化合物层。

公开(公告)号：CN1239307A

公开(公告)日：1999-12-22

申请号：CN98127106.5

申请日：1998-12-31

申请人： 现代电子产业株式会社

发明人： 金美兰 ,  张明植 ,  金镇国

IPC分类号： G11C14/00 ,  G11C11/34

CPC分类号： H01L27/11206

摘要： 一种为冗余单元编程的抗熔丝和一种具有编程装置的维修电路。该电路包括半电源电压源；为存储单元阵列的故障单元与冗余单元互换提供编程电压的编程电压源；根据存储单元地址信号提供地电位的地电压源；抗熔丝，在正常工作中，该抗熔丝接收半电源电压源的电压并对其充电，而在编程操作时，根据编程电压源和地电压源之间的电压差，抗熔丝使介电膜击穿，从而执行编程；根据抗熔丝的编程状态而输出输出信号的输出单元。

公开(公告)号：CN109473430A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811456480.7

申请日：2018-11-30

申请人： 江苏集萃微纳自动化系统与装备技术研究所有限公司

发明人： 齐敏 ,  孙泉 ,  宋培滢

IPC分类号： H01L27/112

CPC分类号： H01L27/11206

摘要： 本发明公开了一种单层多晶结构EEPROM，包括P型硅基材、均设置在P型硅基材的第一N型阱和第二N型阱，以及耦合电容管和PMOS晶体管；耦合电容管包括第一浮栅、耦合电容端和第一栅氧化层，耦合电容端和第一栅氧化层均设置在第一N型阱上，第一浮栅设置在第一栅氧化层上；PMOS晶体管包括第二浮栅、均设置在第二N型阱上的P+源极掺杂区、P+漏极掺杂区、N+衬底掺杂区和第二栅氧化层，第二浮栅设置在第二栅氧化层上；第二浮栅通过浮栅导电连接第一浮栅。本发明的单层多晶结构EEPROM，通过改进EEPROM的结构，使之能够承受擦除时的操作电压，与此同时能够基于标准CMOS工艺生产，而不仅仅只局限于某些特定工艺，改善单层多晶结构EEPROM的兼容性，利于降低制造成本。

公开(公告)号：CN105637637B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201480055774.2

申请日：2014-09-02

申请人： 夏普株式会社

发明人： 上田直树 ,  加藤纯男

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1255 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/088 ,  H01L27/101 ,  H01L27/112 ,  H01L27/11206 ,  H01L27/115 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/147 ,  H01L2029/42388

摘要： 半导体装置(1001)具备：第1晶体管(10A)，其具有第1沟道长度L1和第1沟道宽度W1；以及第2晶体管(10B)，其具有第2沟道长度L2和第2沟道宽度W2，第1晶体管(10A)和第2晶体管(10B)具有由共同的氧化物半导体膜形成的活性层，第1晶体管(10A)是能从漏极电流Isd依赖于栅极电压Vg的半导体状态不可逆地变为漏极电流Isd不依赖于栅极电压Vg的电阻体状态的存储晶体管，第1沟道长度L1小于第2沟道长度L2。

公开(公告)号：CN108389807A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810153423.5

申请日：2013-11-26

申请人： D3半导体有限公司

发明人： T.E.哈林顿三世

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L23/525 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/112 ,  H01L29/66 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L49/02

CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L22/14 ,  H01L22/20 ,  H01L23/5258 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/088 ,  H01L27/11206 ,  H01L28/20 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7827 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 通常在已知为分立半导体的器件类别中找到的垂直半导体器件的关键电气规格的改进对于这些器件在其中使用的系统的性能实现和功率效率有直接的影响。不精确的垂直器件规格使系统建构者或者针对他们需要的规格目标筛选进入的器件，或者以比所期望的更低的性能或更低的效率来设计他们的系统。公开了一种用于针对垂直半导体器件实现所期望目标规格的体系结构和方法。阈值电压的精确微调改进了导通电阻和开关时间两者的达到目标。栅极电阻的精确微调还改进了开关时间的达到目标。器件的有效宽度的精确微调改进了导通电阻和电流携载能力两者的达到目标。器件参数被微调以改进单个器件，或者达到参数规格的目标来匹配在两个或更多器件上的规格。

公开(公告)号：CN105849861B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201580002116.1

申请日：2015-04-02

申请人： 新诺普系统公司

发明人： 沃德克·库尔贾诺韦茨

IPC分类号： H01L27/112 ,  H01L23/525 ,  G11C17/16

CPC分类号： G11C17/16 ,  H01L21/823462 ,  H01L23/5252 ,  H01L27/11206

摘要： 一种具有可变厚度栅极氧化物的反熔丝存储器单元。所述可变厚度栅极氧化物通过以下步骤形成：在反熔丝晶体管的沟道区上沉淀第一氧化物；从沟道区的薄氧化物区移除第一氧化物；以及然后在薄氧化物区热生长第二氧化物。剩余的第一氧化物限定沟道区的厚氧化物区。第二氧化物生长发生在剩余的第一氧化物下方，但以小于薄氧化物区中氧化物热生长的速率生长。这使得厚氧化物区中的第一氧化物和第二氧化物的组合的厚度大于薄氧化物区中的第二氧化物。

公开(公告)号：CN107978335A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201610925942.X

申请日：2016-10-24

申请人： 杭州海存信息技术有限公司

发明人： 张国飙

IPC分类号： G11C17/16 ,  H01L27/112

CPC分类号： G11C17/16 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/11206

摘要： 本发明提出一种三维印录存储器的偏置印录方法。对应于不同存储层的数据掩膜图形被合并到同一数据掩膜版上。在不同的印录步骤中，晶圆相对于数据掩膜版的偏置量不同。因此，来自同一数据掩膜版的数据图形被印录到不同存储层的数据录入膜中。

公开(公告)号：CN107799153A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710748982.6

申请日：2017-08-28

申请人： 佳能株式会社

发明人： 藤井一成 ,  根岸俊雄

IPC分类号： G11C17/16 ,  B41J2/01

CPC分类号： H01L27/0629 ,  B41J2/04541 ,  B41J2/04543 ,  B41J2/0458 ,  B41J2/1433 ,  B41J2002/14491 ,  B41J2202/13 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/5252 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11206 ,  H01L28/20 ,  H01L29/7817 ,  G11C17/165 ,  B41J2/01

摘要： 本发明公开了半导体器件、排液头基板、排液头以及排液设备。一种半导体器件，包括连接到具有第一电位的端子的晶体管、连接在晶体管和具有不同于第一电位的第二电位的端子之间的反熔丝元件，以及与反熔丝元件并联连接的电阻器元件。晶体管和反熔丝元件之间的电气路径的长度小于晶体管和电阻器元件之间的电气路径的长度。

公开(公告)号：CN107785052A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201710652409.5

申请日：2017-08-02

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： K·凯默 ,  M·巴特尔斯 ,  H·菲克

IPC分类号： G11C17/14 ,  G11C17/16

CPC分类号： H01L23/5252 ,  G11C17/16 ,  G11C17/18 ,  H01L27/1026 ,  H01L27/11206 ,  G11C17/146

摘要： 在此公开了一次性可编程存储器单元和存储器阵列。提供了存储器单元和相应的存储器阵列。存储器单元包括可熔元件和与可熔元件邻近布置的双极晶体管。