公开(公告)号：CN105977258A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610309711.6

申请日：2016-05-11

申请人： 南京大学

发明人： 李昀 ,  王宇 ,  宋磊 ,  木津泷 ,  塚越一仁 ,  施毅

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/24 ,  H01L29/51 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L21/443

CPC分类号： H01L27/11507 ,  H01L29/247 ,  H01L29/516 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

摘要： 高性能非易失性铁电晶体管存储器，包括以p型硅为衬底，生长200‑300nm二氧化硅为绝缘层，在二氧化硅上生长一层无机非晶氧化物‑‑氧化铟硅作为半导体层，同时在半导体层两侧边缘蒸镀源极和漏极，在氧化铟硅上旋涂铁电材料即聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯)(P(VDF‑TrFE)),在P(VDF‑TrFE)上蒸镀栅极，就制备成了顶栅顶接触结构的非易失性铁电晶体管存储器。这种有机和无机混合结构器件是公认的显示器应用方面很有前景的器件，有机薄膜场效应晶体管使用的有机材料有价格低廉，可大面积制备。

公开(公告)号：CN103026474B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201180036266.6

申请日：2011-07-26

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 广井佳臣 ,  前田真一

IPC分类号： H01L21/368 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/247 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/78693

摘要： 形成包含金属盐、第一酰胺、以水为主体的溶剂的非晶态金属氧化物半导体层形成用前体组合物，使用该组合物制成非晶态金属氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN103151358B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201210512877.X

申请日：2012-12-04

申请人： 乐金显示有限公司

发明人： 朴宪光 ,  任董壎

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC分类号： H01L29/78693 ,  H01L27/088 ,  H01L29/247 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明提供了一种薄膜晶体管和包括薄膜晶体管的阵列基板，所述阵列基板包括：选通线，其位于包括像素区的基板上，选通线在一个方向上延伸；栅极，其位于像素区中并且从所述选通线延伸；栅绝缘层，其位于选通线和栅极上；数据线，其位于所述栅绝缘层上并且与所述选通线交叉，以限定所述像素区；氧化物半导体层，其位于所述栅绝缘层上并且具有三个端部，所述氧化物半导体层对应于所述栅极；蚀刻阻止件，其位于所述氧化物半导体层上，露出所述氧化物半导体层的所述三个端部；源极，其与所述氧化物半导体层的所述三个端部中的两个端部接触并且从所述数据线延伸；以及漏极，其与所述氧化物半导体层的所述三个端部中的一个端部接触并且与所述源极隔开。

公开(公告)号：CN102576708B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201080041924.6

申请日：2010-10-15

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  小山润 ,  加藤清

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1052 ,  G11C11/405 ,  G11C16/0433 ,  G11C2211/4016 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/11803 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/16 ,  H01L29/24 ,  H01L29/247 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

摘要： 目的是提供一种具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括：第一布线；第二布线；第三布线；第四布线；具有第一栅电极、第一源电极以及第一漏电极的第一晶体管；以及具有第二栅电极、第二源电极以及第二漏电极的第二晶体管。所述第一晶体管设置在包括半导体材料的衬底中。所述第二晶体管包括氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN104271797A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201380024294.5

申请日：2013-03-08

申请人： 气体产品与化学公司

发明人： R·G·里奇韦 ,  A·D·约翰森 ,  A·麦利卡尔珠南 ,  R·N·弗尔蒂斯 ,  雷新建 ,  M·L·奥尼尔 ,  萧满超 ,  李建恒 ,  M·T·萨沃

IPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/40

CPC分类号： H01L29/78693 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02565 ,  H01L29/247 ,  H01L29/6675

摘要： 本文中描述的是包含一个或多个含硅层和金属氧化物层的装置。本文中还描述了形成一个或多个含硅层以用作，例如，显示器装置中的钝化层的方法。在一个具体的方面，所述装置包含透明金属氧化物层、氧化硅层和氮化硅层。在这个或其他方面，所述装置在350℃或更低的温度下沉积。本文中描述的含硅层包括一种或多种以下性质：密度约1.9g/cm3或更高；氢含量约4x1022cm-3或更低，通过紫外-可见光分光光度计测量的在400-700nm下的透光度为约90％或更高。

公开(公告)号：CN103855224A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310631139.1

申请日：2013-11-29

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 德永肇 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L29/22 ,  H01L29/247 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

摘要： 本发明提供一种可靠性高且具有稳定的电特性的半导体装置。通过以接触于形成有沟道的氧化物半导体膜的上层及下层的方式形成含有一种以上与构成该氧化物半导体膜的金属元素相同的金属元素的氧化物膜，可以使该氧化物半导体膜的上侧界面与下侧界面不容易生成界面能级。另外，通过作为与氧化物半导体膜接触的氧化物膜使用电子亲和能比氧化物半导体膜的电子亲和能小的材料，流过沟道的电子几乎不会迁移至与氧化物半导体膜接触的氧化物膜中，而主要迁移至氧化物半导体膜中。因此，即使形成于氧化物膜的外侧的绝缘膜与氧化物膜的界面存在能级，该能级也几乎不会对电子的移动造成影响。

公开(公告)号：CN103500712A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201310376877.6

申请日：2011-11-21

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  津吹将志 ,  秋元健吾 ,  大原宏树 ,  本田达也 ,  小俣贵嗣 ,  野中裕介 ,  高桥正弘 ,  宫永昭治

IPC分类号： H01L21/363 ,  C01G15/00 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/247 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

摘要： 本发明涉及半导体装置。提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a-b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。

公开(公告)号：CN103474456A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310338191.8

申请日：2009-10-23

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 伊藤俊一 ,  佐佐木俊成 ,  细羽幸 ,  坂田淳一郎

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L27/1225 ,  G09G3/20 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/247 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明提供一种氧化物半导体、使用该氧化物半导体的薄膜晶体管、和使用该薄膜晶体管的显示装置，其一个目的是控制氧化物半导体的组成和缺陷，另一个目的是提高薄膜晶体管的场效应迁移率，并通过减小截止电流来获得充分的通断比。所采用的技术方案是采用其组成用InMO3(ZnO)m表示的氧化物半导体，其中M为选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co、和Al中的一种或多种元素，且m优选地为大于或等于1且小于50的非整数。Zn的浓度低于In和M的浓度。氧化物半导体具有非晶结构。可以配置氧化物层和氮化物层以防止氧化物半导体的污染和劣化。

公开(公告)号：CN102386071A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110253917.9

申请日：2011-08-24

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平

IPC分类号： H01L21/203 ,  H01L21/316 ,  H01L27/12 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08

CPC分类号： H01L29/7869 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/247 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

摘要： 使用其中通过诸如DC溅射法或脉冲DC溅射法之类的具有高批量生产率、可应用于大面积衬底的溅射法将诸如锌之类的材料添加到氧化镓的靶来进行膜形成，该材料在400℃到700℃加热时比镓更容易汽化。该膜在400℃到700℃加热，由此所添加的材料在膜的表面附近析出。膜的另一部分具有降低浓度的添加材料和足够高的绝缘性质；因此，它可用于半导体器件的栅极绝缘层等。

公开(公告)号：CN102354066A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110285418.8

申请日：2007-08-31

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 梅崎敦司

IPC分类号： G02F1/133 ,  G09G3/36 ,  G11C19/28

CPC分类号： G02F1/136286 ,  G02F1/13306 ,  G02F1/133753 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1393 ,  G02F2001/133622 ,  G02F2202/103 ,  G09G3/342 ,  G09G3/3655 ,  G09G3/3674 ,  G09G3/3677 ,  G09G3/3685 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0452 ,  G09G2310/024 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/08 ,  G09G2320/0252 ,  G09G2330/021 ,  G11C19/28 ,  H01L21/67167 ,  H01L27/06 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/15 ,  H01L27/156 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3213 ,  H01L27/3216 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/247 ,  H01L29/78693 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5307 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/5323

摘要： 本发明涉及一种液晶显示装置，该装置具有第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管。在第一晶体管中，第一端子电连接到第一布线；第二端子电连接到第二晶体管的栅极端子；且栅极端子电连接到该第五布线。在第二晶体管中，第一端子电连接到第三布线；第二端子电连接到第六布线。在第三晶体管中，第一端子电连接到第二布线；第二端子电连接到该第二晶体管的栅极端子；且栅极端子电连接到第四布线。在第四晶体管中，第一端子电连接到第二布线；第二端子电连接到第六布线；且栅极端子电连接到第四布线。