公开(公告)号：CN1725019A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200510080437.1

申请日：2005-07-01

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 木代雅巳 ,  山本俊广 ,  矢尾博信 ,  大室善则 ,  平山纪友

IPC: G01P5/24 ,  G01F1/66

CPC classification number: G01F1/663 ,  G01F1/668 ,  G01F25/0007 ,  G01P5/241

Abstract: 本发明涉及一种钳式多普勒超声波流速分布仪，其中从安放在管道外边的超声波换能器上发出的超声波被入射到所述管道内要测量的流体上以便测量要测量流体的流速分布，所应用的原理是：超声波的某一频率被存在于所述流体内的反射物所反射，由于多普勒效应，该频率根据流速而被改变，这种超声波流速分布仪使声波传播楔形物位于所述的超声波换能器和该管道之间。被发射的超声波的频率被设置为不同于使所述管道内兰姆波各模式中的波的折射角成为90度的频率的某一频率。所述频率从由所述楔形物入射到所述管道上的超声波的入射角、所述楔形物内的音速、所述管道内横波和纵波的音速、以及所述管道的板厚中计算出来。这样，在所提供的超声波流速分布仪中，所述超声波的传播频率和入射到所述管道上的角度被充分地选择，从而允许以高精度来测量流体的流速或流量。

公开(公告)号：CN1661393A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200410073739.1

申请日：2004-09-09

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 增井馨 ,  小林裕信

IPC: G01T7/00 ,  G01T1/02

CPC classification number: G01T1/02

Abstract: 本发明的任务是提供低价制作适合于剂量计使用台数或支架设置场所规格的剂量计收容支架，其解决方式如下，具有如下构成的收容体(27)：外部形状作成长方体，在于该长方体上形成从剂量计插入口(27Aa)插入一只剂量计(23)而加以收容的收容部分的同时，在该长方体上下左右至少一个外面上形成可相互嵌合的凹部及凸部的至少一方；而且，使用多个该收容体(27)，通过这些收容体(27)的凹部及凸部嵌合，使各收容体沿上下及左右至少一方向上组合，利用框架板覆盖，固定其周边侧面。

公开(公告)号：CN1941588B

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200610142157.3

申请日：2006-09-28

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 三野和明

IPC: H02M7/12 ,  H02M3/155

CPC classification number: H02M7/217 ,  H02M1/42 ,  H02M2001/009 ,  Y02B70/12 ,  Y10T307/258 ,  Y10T307/406

Abstract: 在根据本发明的AC至DC转换器电路包括含有连接至AC电源1且彼此并联的第一和第二电路的主电路，其中所述第一电路包括二极管3、4和开关器件20而第二电路则包括二极管5、6和开关器件21，其中对应于由输入电压极性鉴别器102鉴别的输入电压极性控制开关器件20和21的导通和断开，从而能够从AC电源1得到两个(通常为2N个)DC输出。根据本发明把电流流经半导体器件数量从3减至2的AC至DC转换器电路有助于降低其中引发的损耗、改善其转换效率、缩减冷却装置的尺寸、重量并降低冷却装置生产成本。

公开(公告)号：CN102196702A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110054170.4

申请日：2011-03-04

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 吉田敏弘

IPC: H05K5/06

CPC classification number: H05K5/063 ,  H05K7/20918

Abstract: 本发明提供一种防水型电子设备的箱体。所提供的是以不需要垫片等密封部件和用粘接剂粘贴密封部件的烦杂作业的无垫片方式，有效地防止外界的雨水浸入壳体内部的电子设备箱体的防水构造。箱体(1)由装载有电路部件的前面开放型的箱形壳体(2)，和接合于该壳体(2)的前盖(3)构成，该箱体是将前盖(3)嵌接在壳体(2)的开口部周缘以防止雨水从外界浸入的防水型电子设备的箱体，其中：该壳体(2)的顶板为拱形，且在该壳体(2)的前面，沿着该开口部周缘，立起设置有嵌合前盖(3)的筒状的嵌合台阶部(2b)，并且沿着该嵌合台阶部(2b)的外周面，在该顶板和左右侧壁的周面开设有槽下端向壳体底部侧开放的排水槽(2c)、(2d)，使渗透到壳体(2)与盖(3)之间的嵌合间隙的雨水经由排水槽流下排出到外部。

公开(公告)号：CN102170265A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110048643.X

申请日：2011-02-25

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 佐藤以久也

IPC: H02P27/08 ,  H02H3/05

CPC classification number: H02M7/53875 ,  G01R31/40 ,  H02M1/32

Abstract: 本发明提供一种电力转换器，其能够在不使电力转换器停止的情况下，在运转状态下监视切断装置是否存在异常。电力转换器具备：输出PWM信号的控制装置，通过PWM信号使半导体开关元件导通/断开来生成向电动机供给的交流电力的桥式电路，根据选通信号将从控制装置向桥式电路供给的PWM信号切断的切断装置，和产生测试信号并检验切断装置的监视装置，在该电力转换器中，在切断装置设有：切换测试信号和来自外部的切断信号的切换电路，从切换电路的输出信号的变化点起经过设定时间后许可该输出信号通过的延迟电路，和将供向延迟电路的输入信号作为反馈信号向监视装置输出的机构。另外，监视装置向切断装置输出间隔比延迟时间短的测试信号，对反馈信号是否与测试信号一致进行判断。

公开(公告)号：CN101075777B

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200710103898.5

申请日：2007-05-21

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 森一哲 ,  高野信

IPC: H02M1/00 ,  H05K7/20

CPC classification number: H02M7/003 ,  H05K7/1432

Abstract: 本发明提供了一种逆变器装置的包装结构，其可在不使用侧金属板的情况下支撑较重部件，并消除了铝压铸部件的尺寸对逆变器装置的宽度的限制。铝压铸支撑件被至少设置在逆变器装置的四个角，并且弯曲成类似字母U且具有锐弯边沿的金属板梁在逆变器装置的横向和纵向上连接铝压铸支撑件。将其上安装有电解电容器和散热片的框架金属板安装在铝压铸支撑件上，且将主电路终端块和印刷电路板安装在金属板梁上。然后将侧金属板安装在逆变器装置的相应侧面。

公开(公告)号：CN1812121B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200510103685.3

申请日：2005-09-09

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 大月正人

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/0696 ,  H01L29/7397

Abstract: 根据本发明的槽MOSFET包括：槽之间的台面区，该台面区与发射电极相连以固定台面区电位使得台面区不会引起任何浮动结构；分布在台面区内的p型基极区；和设有发射极结构的分布的p型基极区(台面区内的限定区域)。根据本发明的槽MOSFET有利于在将槽IGBT的导通状态压降抑制得和IEGT的导通状态压降一样低的同时降低开关损耗，减少总损耗，并提高其导通属性。根据本发明的槽MOSFET还有利于减少栅极与其发射极之间的电容，因为减少了栅电极面向发射极结构的区域。以有点窄的间隔设置槽栅极结构的根据本发明的槽MOSFET有利于缓解在槽的底部的电场局部化并获得高击穿电压。根据本发明的槽MOSFET使槽之间的台面区宽度变窄使得可以通过施加约几伏的电压容易地耗尽延伸到槽之间的台面区中的n型层的延伸部分。

公开(公告)号：CN102044944A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010502263.4

申请日：2010-09-29

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 岛田大志

IPC: H02K21/14 ,  H02K1/27

Abstract: 本发明提供一种永磁铁式旋转电机，能够确保永磁铁的制作容易性、抑制制作费的增加并提高永磁铁的退磁耐性。该永磁铁式旋转电机包括卷绕安装有励磁线圈(8)的定子(3)以及与该定子(3)隔开规定的空隙相对旋转的转子(4)，上述转子(4)具有：在转子芯(12)内在轴方向形成的多个槽(13)；和以使得在周方向相邻的磁极(11a～11d)为不同极性的方式插入该槽(13)内的永磁铁(14)，上述磁极(11a～11d)具有将一对槽(13)配置为朝向所述定子(3)扩展的V字形的结构，上述永磁铁(14)形成为至少上述定子一侧随着朝向该定子(3)、磁化方向的宽度变厚的梯形形状。

公开(公告)号：CN102037563A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200980116546.0

申请日：2009-05-13

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 下山和男 ,  塚本安彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/301 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/761 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L21/26586 ,  H01L21/268 ,  H01L21/67282 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/7395 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 使用倒梯形切割刀片，对n型半导体基板(1)执行切割工作，以形成将要成为第二侧壁(7)的沟槽。沟槽的底部与p型扩散层(4)相接触，p型扩散层(4)形成于n型半导体基板(1)的第一主平面(2)(正面)上，使得p型扩散层(4)未被切割。然后，在第二侧壁(7)中，形成了p型隔离层(9)，p型隔离层(9)连接到p型集电极层(8)和p型扩散层(4)。因为p型扩散层(4)未被切割，所以用于支撑晶片的玻璃支撑基板以及昂贵的粘合剂都是不需要的，并且因此，形成p型扩散层(4)的成本很低。

公开(公告)号：CN101236991B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200810005436.4

申请日：2008-01-30

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 杉祥夫 ,  永冈达司 ,  鲁鸿飞

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/408 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66734

Abstract: 在具有沟槽栅极结构的MIS类型的半导体器件中，可在不改变漂移层厚度的情况下确保耐压，并可在不施加高栅极驱动电压的情况下减小导通电阻。用相对介电常数高于氧化硅膜，较佳的是高于氮化硅膜的高介电常数电介质35填充延伸通过p基区22进入n漂移区21的沟槽28的下半部，并在高介电常数电介质35上制造包括栅极绝缘体26和栅电极27的绝缘栅极结构。将高介电常数电介质35的最深部分的深度d2设计成比远离高介电常数电介质35的半导体区域中的耗尽层的深度d1深。