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公开(公告)号：CN1913104B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610095905.7
申请日：2003-03-26
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , B82Y20/00 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01S5/0425 , H01S5/2201 , H01S5/305 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件的制造方法，它依次具有以下工序：对由具有纤锌矿结构的n型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第1半导体层的背面进行研磨，随后在上述研磨过的第1半导体层的背面上形成n侧电极，用连接法安装氮化物系半导体激光元件。本发明还提供另一种氮化物系半导体元件的制造方法，它依次具有以下工序：对由具有纤锌矿结构的n型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第1半导体层的背面进行研磨，在上述研磨过的第1半导体层背面上形成n侧电极，热处理，附着在所述n侧电极与放热基台之间。这些方法可降低氮化物系半导体基板等的氮面与电极之间的接触电阻。
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公开(公告)号：CN100517773C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN03159402.6
申请日：2003-09-18
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体发光元件，该氮化物系半导体发光元件通过减少在接触层的光吸收损失，可提高发光效率。该氮化物系半导体发光元件具备在基板上形成的第1导电型的第1氮化物系半导体层，形成于第1氮化物系半导体层上的由氮化物系半导体层构成的活性层，形成于活性层上的第2导电型的第2氮化物系半导体层，形成于第2氮化物系半导体层上的未掺杂接触层和形成于未掺杂接触层上的电极。
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公开(公告)号：CN101459318A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200910000559.3
申请日：2005-02-21
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L21/0243 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L33/0075 , H01L33/025
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件的制造方法，在具有从表面贯通到背面的条状的位错集中区域的GaN基板的表面上将氮化物系半导体各层以均匀的膜厚进行层叠。氮化物系半导体基板，例如，沿GaN基板表面的位错集中区域，在位错集中区域附近的非位错集中区域形成槽。在形成了该槽的GaN基板的表面上形成氮化物系半导体的各层，作为结晶成长层。
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公开(公告)号：CN101414732A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810179134.9
申请日：2005-03-11
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供具有振荡波长不同的多个半导体激光元件、并可使用产生低电压的电源电路驱动短波长的半导体激光元件的半导体激光装置和光装置。半导体激光装置(500)具有射出蓝紫色激光的第一半导体激光元件(11)、射出红色激光的第二半导体激光元件(12)、导电性组件主体(19)。第一半导体激光元件(11)具有p侧衬垫电极和n侧电极。第一半导体激光元件(11)的p侧衬垫电极和n侧电极与组件主体(19)绝缘。产生正电位的驱动电路(501)连接于第一半导体激光元件(11)的p侧衬垫电极，产生负电位的直流电源(502)连接于第一半导体激光元件(11)的n侧电极上。
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公开(公告)号：CN100454700C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200510053944.6
申请日：2005-03-11
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/40
CPC classification number: H01S5/02212 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/042 , H01S5/22 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供具有振荡波长不同的多个半导体激光元件、并可使用产生低电压的电源电路驱动短波长的半导体激光元件的半导体激光装置和光装置。半导体激光装置(500)具有射出蓝紫色激光的第一半导体激光元件(11)、射出红色激光的第二半导体激光元件(12)、导电性组件主体(19)。第一半导体激光元件(11)具有p侧衬垫电极和n侧电极。第一半导体激光元件(11)的p侧衬垫电极和n侧电极与组件主体(19)绝缘。产生正电位的驱动电路(501)连接于第一半导体激光元件(11)的p侧衬垫电极，产生负电位的直流电源(502)连接于第一半导体激光元件(11)的n侧电极上。
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公开(公告)号：CN101114688A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710147743.1
申请日：2004-02-06
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
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公开(公告)号：CN101043121A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200610154358.5
申请日：2006-09-22
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明得到一种能够抑制特性降低和合格率降低的氮化物类半导体发光元件的制造方法。该氮化物类半导体发光元件的制造方法包括：通过将与氮化物类半导体基板的发光部分对应的氮化物类半导体基板的第一区域以外的第二区域的规定区域有选择地去除到规定的深度，在氮化物类半导体基板上形成槽部的工序；和在氮化物类半导体基板的第一区域和槽部，形成其组成与该氮化物类半导体基板不同的氮化物类半导体层的工序。
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公开(公告)号：CN1841869A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610058488.9
申请日：2006-03-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4043 , H01L2224/48091 , H01S5/02212 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置。在蓝紫色半导体激光元件上接合单片红色/红外半导体激光元件，蓝紫色半导体激光元件的蓝紫色发光点和红外半导体激光元件的红外发光点的间隔，与红色半导体激光元件的红色发光点和红外发光点的间隔相比非常小，从蓝紫色发光点、红色发光点和红外发光点射出的蓝紫色激光、红色激光和红外激光，通过由偏振光束分离器、准直透镜、光束扩展器、λ/4板、物镜、圆柱透镜、光轴修正元件所构成的光学系统，入射到光盘上之后，都导向光检测器。
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公开(公告)号：CN1271766C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN03108827.9
申请日：2003-03-26
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/323 , H01L21/306 , H01L33/00
CPC classification number: H01S5/32341 , B82Y20/00 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01S5/0425 , H01S5/2201 , H01S5/305 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件的制造方法，它可降低氮化物系半导体基板等的氮面与电极之间的接触电阻。该方法具有浸蚀由纤锌矿结构的n型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第1半导体层的背面的工序和在该浸蚀过的第1半导体层背面上形成n侧电极的工序。
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