光刻用下层膜形成用材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及图案形成方法

    公开(公告)号:CN107430344B

    公开(公告)日:2021-03-26

    申请号:CN201680019414.6

    申请日:2016-04-07

    Abstract: 一种光刻用下层膜形成用材料,其使用下述式(0)所示的化合物。(式(0)中,X各自独立地表示氧原子、硫原子或无桥接,R1是碳数1~30的2n价基团或单键,R0各自独立地是碳数1~30的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6~30的芳基、碳数2~30的直链状、支链状或环状的烯基、巯基、卤素基、硝基、氨基、羧酸基或羟基,前述烷基、前述烯基和前述芳基任选含有氰氧基、巯基、卤素基、硝基、氨基、羧酸基、羟基、醚键、酮键或酯键,m1各自独立地是0~4的整数,此处,至少一个m1是1~4的整数,m2各自独立地是0~3的整数,n是1~4的整数,p各自独立地是0或1。)

    光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法

    公开(公告)号:CN106094440B

    公开(公告)日:2019-11-22

    申请号:CN201610562638.3

    申请日:2012-08-09

    Abstract: 提供碳浓度高、氧浓度低、耐热性较高、溶剂溶解性也比较高、能够适用湿式工艺的新型光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法。一种下述通式(1)所示的化合物作为光刻用下层膜的应用,式(1)中,X各自独立地是氧原子或硫原子,R1各自独立地是单键或碳原子数为1~30的2n价的烃基,该烃基任选具有环式烃基、双键、杂原子或碳原子数为6~30的芳香族基团,R2各自独立地是碳原子数为1~10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数为6~10的芳基、碳原子数为2~10的链烯基或羟基,其中,R2的至少一个是羟基,m各自独立地是1~6的整数,n是1~4的整数。

    化合物或树脂的纯化方法、及组合物的制造方法

    公开(公告)号:CN110325500A

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201880013601.2

    申请日:2018-02-28

    Abstract: 一种物质的纯化方法,其包括:制备溶液的工序,所述溶液包含选自下述式(1A)所示的化合物及具有下述式(2A)所示结构的树脂中的1种以上的物质、和溶剂;及使前述溶液通过过滤器而进行纯化的工序。(式(1A)中,X为氧原子、硫原子、单键或无桥接,Ra为碳数1~40的2n价的基团或单键,Rb各自独立地为各种官能团,m各自独立地为0~9的整数,n为1~4的整数,p各自独立地为0~2的整数。此处,Rb中的至少1个为包含选自羟基及巯基中的1种的基团,全部的m不同时为0。)(式(2A)中,X、Ra、Rb、n及p与前述式(1A)中说明的含义相同,Rc为单键或碳数1~40的亚烷基,m2各自独立地为0~8的整数。此处,Rb中,至少1个为包含选自羟基及巯基中的1种以上的基团,全部的m2不同时为0。)

    新型(甲基)丙烯酰基化合物及其制造方法

    公开(公告)号:CN107848946A

    公开(公告)日:2018-03-27

    申请号:CN201680042965.4

    申请日:2016-07-21

    Inventor: 越后雅敏

    Abstract: 一种下述式(A)所示的(甲基)丙烯酰基化合物。(式(A)中,X是碳数1~60的2m价的基团或单键,Z各自独立地表示氧原子、硫原子或无桥接,R1各自独立地是碳数1~30的直链状、支链状或环状的烷基、任选具有取代基的碳数6~30的芳基、任选具有取代基的碳数2~30的烯基、任选具有取代基的碳数1~30的烷氧基、卤素原子、硝基、氨基、羧酸基、巯基、羟基或羟基的氢原子被乙烯基苯基甲基取代而成的基团,前述烷基、前述芳基、前述烯基、前述烷氧基任选含有醚键、酮键或酯键,R1A各自独立地是甲基或氢原子,k各自独立地是0~2的整数,但是所有的k不会同时为0,m是1~3的整数,n各自独立地是0~5的整数,p各自独立地是0或1)。

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