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公开(公告)号:CN107430344B
公开(公告)日:2021-03-26
申请号:CN201680019414.6
申请日:2016-04-07
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: G03F7/11
Abstract: 一种光刻用下层膜形成用材料,其使用下述式(0)所示的化合物。(式(0)中,X各自独立地表示氧原子、硫原子或无桥接,R1是碳数1~30的2n价基团或单键,R0各自独立地是碳数1~30的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6~30的芳基、碳数2~30的直链状、支链状或环状的烯基、巯基、卤素基、硝基、氨基、羧酸基或羟基,前述烷基、前述烯基和前述芳基任选含有氰氧基、巯基、卤素基、硝基、氨基、羧酸基、羟基、醚键、酮键或酯键,m1各自独立地是0~4的整数,此处,至少一个m1是1~4的整数,m2各自独立地是0~3的整数,n是1~4的整数,p各自独立地是0或1。)
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公开(公告)号:CN112400138A
公开(公告)日:2021-02-23
申请号:CN201980041635.7
申请日:2019-06-24
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08F2/48 , C08F4/04 , C08F4/38 , C08F22/40 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027 , C08F220/28
Abstract: 本发明的课题在于,提供:可应用湿式工艺、对用于形成耐热性、耐蚀刻性、向台阶基板的埋入特性及膜的平坦性优异的光致抗蚀剂下层膜有用的光刻用膜形成材料等。前述课题可以通过含有具有下述式(0)的基团的化合物的光刻用膜形成材料而解决。
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公开(公告)号:CN111615507A
公开(公告)日:2020-09-01
申请号:CN201980009090.1
申请日:2019-01-18
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 本发明的课题在于,提供:能应用湿式工艺、为了形成耐热性、溶解性和耐蚀刻性优异的光致抗蚀剂和光致抗蚀剂用下层膜而有用的化合物等。前述课题可以通过下述式(1)所示的化合物而解决。
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公开(公告)号:CN106094440B
公开(公告)日:2019-11-22
申请号:CN201610562638.3
申请日:2012-08-09
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/09 , H01L21/027
Abstract: 提供碳浓度高、氧浓度低、耐热性较高、溶剂溶解性也比较高、能够适用湿式工艺的新型光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法。一种下述通式(1)所示的化合物作为光刻用下层膜的应用,式(1)中,X各自独立地是氧原子或硫原子,R1各自独立地是单键或碳原子数为1~30的2n价的烃基,该烃基任选具有环式烃基、双键、杂原子或碳原子数为6~30的芳香族基团,R2各自独立地是碳原子数为1~10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数为6~10的芳基、碳原子数为2~10的链烯基或羟基,其中,R2的至少一个是羟基,m各自独立地是1~6的整数,n是1~4的整数。
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公开(公告)号:CN110325500A
公开(公告)日:2019-10-11
申请号:CN201880013601.2
申请日:2018-02-28
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C07C37/82 , C07C39/15 , C07C39/367 , C07D311/82 , C07D311/92 , G03F7/022
Abstract: 一种物质的纯化方法,其包括:制备溶液的工序,所述溶液包含选自下述式(1A)所示的化合物及具有下述式(2A)所示结构的树脂中的1种以上的物质、和溶剂;及使前述溶液通过过滤器而进行纯化的工序。(式(1A)中,X为氧原子、硫原子、单键或无桥接,Ra为碳数1~40的2n价的基团或单键,Rb各自独立地为各种官能团,m各自独立地为0~9的整数,n为1~4的整数,p各自独立地为0~2的整数。此处,Rb中的至少1个为包含选自羟基及巯基中的1种的基团,全部的m不同时为0。)(式(2A)中,X、Ra、Rb、n及p与前述式(1A)中说明的含义相同,Rc为单键或碳数1~40的亚烷基,m2各自独立地为0~8的整数。此处,Rb中,至少1个为包含选自羟基及巯基中的1种以上的基团,全部的m2不同时为0。)
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公开(公告)号:CN108137478A
公开(公告)日:2018-06-08
申请号:CN201680052524.2
申请日:2016-09-08
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 使用下述式(1)所示的化合物和/或包含该化合物作为构成成分的树脂。(式(1)中,R1为碳数1~60的2n价基团或单键,R2~R5各自独立地为碳数1~10的直链状、支链状或者环状的烷基、碳数6~10的芳基、碳数2~10的烯基、碳数1~30的烷氧基、卤素原子、硫醇基、羟基或羟基的氢原子被酸解离性基团取代而成的基团,其中,选自R2~R5的至少1个为羟基的氢原子被酸解离性基团取代而成的基团,m2和m3各自独立地为0~8的整数,m4和m5各自独立地为0~9的整数,其中,m2、m3、m4以及m5不同时为0,n为1~4的整数,p2~p5各自独立地为0~2的整数。)
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公开(公告)号:CN104981463B
公开(公告)日:2018-04-13
申请号:CN201480007952.4
申请日:2014-02-04
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C07D311/86 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: C07D311/82 , C07D311/86 , G03F7/0752 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/31116 , H01L21/31144
Abstract: 本发明的光刻用下层膜形成材料,其含有下述通式(1)所示的化合物。(式(1)中,X各自独立地是氧原子或硫原子,R1是单键或碳原子数为1~30的2n价的烃基,该烃基可以具有环式烃基、双键、杂原子或碳原子数为6~30的芳香族基团,R2各自独立地是碳原子数为1~10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数为6~10的芳基、碳原子数为2~10的烯基或羟基,在此,R2的至少一个是羟基,m各自独立地是1~4的整数,n是1~4的整数,p是0或1。)
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公开(公告)号:CN107848946A
公开(公告)日:2018-03-27
申请号:CN201680042965.4
申请日:2016-07-21
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Inventor: 越后雅敏
IPC: C07C69/54 , C07B61/00 , C07C67/14 , C07C69/017 , C07D311/82 , C08F20/30
Abstract: 一种下述式(A)所示的(甲基)丙烯酰基化合物。(式(A)中,X是碳数1~60的2m价的基团或单键,Z各自独立地表示氧原子、硫原子或无桥接,R1各自独立地是碳数1~30的直链状、支链状或环状的烷基、任选具有取代基的碳数6~30的芳基、任选具有取代基的碳数2~30的烯基、任选具有取代基的碳数1~30的烷氧基、卤素原子、硝基、氨基、羧酸基、巯基、羟基或羟基的氢原子被乙烯基苯基甲基取代而成的基团,前述烷基、前述芳基、前述烯基、前述烷氧基任选含有醚键、酮键或酯键,R1A各自独立地是甲基或氢原子,k各自独立地是0~2的整数,但是所有的k不会同时为0,m是1~3的整数,n各自独立地是0~5的整数,p各自独立地是0或1)。
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