公开(公告)号：CN103828056A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201180073630.6

申请日：2011-09-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 樽井阳一郎 ,  末川英介 ,  油谷直毅 ,  日野史郎 ,  三浦成久 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7802

Abstract: 在碳化硅半导体装置的MOSFET中，同时实现源极区域的低电阻化和栅极氧化膜的漏电流的降低。在MOSFET的栅极氧化膜（6）中产生的漏电流，通过使源极区域（4）和栅极氧化膜（6）的界面的粗糙部减小而受到抑制。在提高源极区域（4）的表面部分的杂质浓度的情况下，栅极氧化膜（6）通过干式氧化或CVD法而形成。在栅极氧化膜（6）通过湿式氧化形成的情况下，将源极区域（4）的表面部分的杂质浓度抑制得较低。

公开(公告)号：CN103125024A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201180046411.9

申请日：2011-04-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川上刚史 ,  古川彰彦 ,  三浦成久 ,  香川泰宏 ,  浜田宪治 ,  中木义幸

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/12 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，以与活性区域（2）邻接的方式，形成了由比较低浓度地包含P型杂质的多个P型注入层构成的RESURF层（101）。RESURF层（101）从P型基底（2）侧依次包括以包围P型基底（2）的方式配置的第1RESURF层（11）、第2RESURF层（12）、第3RESURF层（13）、第4RESURF层（14）以及第5RESURF层（15）。第2RESURF层（12）构成为与第1RESURF层（11）相同的注入量的小区域（11'）、和与第3RESURF层（13）相同的注入量的小区域（13'）多重地交替排列。第4RESURF层（14）构成为与第3RESURF层（13）相同的注入量的小区域（13'）、和与第5RESURF层（15）相同的注入量的小区域（15'）多重地交替排列。

公开(公告)号：CN102947934A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201080067692.1

申请日：2010-06-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 古川彰彦 ,  香川泰宏 ,  三浦成久 ,  日野史郎 ,  中田修平 ,  大塚健一 ,  渡边昭裕 ,  今泉昌之

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/0485 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7815

Abstract: 在具备感测焊盘的进行高速转换的功率半导体器件中，由于在进行转换时流过位移电流并与该电流通路的阻抗相互作用，而在感测焊盘下部的阱区产生高电压，有时由于高电压而导致如栅绝缘膜那样的薄的绝缘膜被介质击穿从而破坏功率半导体器件。本发明的功率半导体器件具备设置在感测焊盘下部的阱区之上、并贯通比栅绝缘膜厚的场绝缘膜来与源极焊盘连接的感测焊盘阱接触孔，因此能够提高可靠性。

公开(公告)号：CN102576728A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN200980161921.3

申请日：2009-10-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三浦成久 ,  中田修平 ,  大塚健一 ,  渡边昭裕 ,  日野史郎 ,  古川彰彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66068

Abstract: 在高速开关的功率用半导体装置中，在开关时流过移位电流，从而与其流路的电阻相互作用而产生高电压，由于该电压，栅极绝缘膜那样的薄的绝缘膜有时被绝缘破坏，而半导体装置被破坏。在本发明的半导体装置中，将在功率用半导体装置的外周部配置的p型的阱区域分离为内侧和外侧这2个，在外侧的阱区域上，直至该阱区域的内周的内侧，设置膜厚大于栅极绝缘膜的场氧化膜，所以能够防止由于在开关时流过移位电流所致的电压而使栅极绝缘膜绝缘破坏。

公开(公告)号：CN102473723A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200980160038.2

申请日：2009-07-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渡边昭裕 ,  中田修平 ,  三浦成久

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 在高速地进行转换的功率用半导体装置中，由于转换时流过位移电流而产生高电压，有时如栅极绝缘膜那样的薄的绝缘膜的绝缘被破坏。本发明的半导体装置具备：第1导电型的半导体衬底(80)；形成于所述半导体衬底的第1主面的第1导电型的漂移层(70)；形成于所述漂移层的表层的一部分的第2导电型的第1阱区域(50)；在所述漂移层的表层的一部分处与所述第1阱区域隔开间隔地设置的从上面看到的面积比所述第1阱区域小的第2导电型的第2阱区域(51)；形成于所述第1阱区域的表层的杂质浓度比所述第1阱区域大的第1导电型的低电阻区域(55)；接触在所述第1阱区域的表面上而形成的栅极绝缘膜(32)；以及接触在所述栅极绝缘膜的表面上而形成的栅电极(21)。

公开(公告)号：CN101366105B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200680052573.2

申请日：2006-11-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三浦成久 ,  藤平景子 ,  大塚健一 ,  今泉昌之

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0661 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，其的目的在于恰当地决定场缓和区的杂质浓度分布并降低通态电阻。为了实现上述目的，该半导体装置具备：基板(1)、第1漂移层(2)、第2漂移层(3)、第1阱区(4a)、第2阱区(4b)、电流控制区(15)以及电场缓和区(8)。第1阱区(4a)，毗连第2漂移层(3)的与外周附近邻接的端部以及外周附近的下方的第1漂移层(2)而配置。电场缓和区(8)与第1阱区(4a)邻接地配置于第1漂移层(2)上。