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公开(公告)号：CN101469452A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810188586.3
申请日：2008-12-25
申请人： 住友电气工业株式会社
CPC分类号： C30B23/005 , C30B29/403 , Y10T117/10
摘要： 本发明涉及一种用于生长III族氮化物半导体晶体的方法以及用于III族氮化物半导体晶体的生长装置。一种用于生长III族氮化物半导体晶体的方法，其提供有以下步骤：首先，准备包括用于屏蔽来自在腔中材料(13)的热辐射的热屏蔽部的腔。然后，将材料(13)设置在腔中的热屏蔽部的一侧。接下来，通过加热要被升华的材料，将材料气体沉积在腔中热屏蔽部的另一侧，使得生长III族氮化物半导体晶体。
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公开(公告)号：CN101466878A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200680055009.6
申请日：2006-06-16
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： C30B29/38
CPC分类号： C30B23/005 , C30B29/403 , C30B35/002 , Y10T428/2982
摘要： 本发明提供了生长结晶度良好的第III族氮化物单晶的方法，所述方法具有优良的再现性，并提供了通过所述生长方法形成的第III族氮化物晶体。本发明的一个方面是在晶体生长容器(11)内生长第III族氮化物单晶(3)的方法，所述方法的特征在于，由金属碳化物形成的孔隙率为0.1％～70％的多孔体被用作所述晶体生长容器(11)的至少一部分。使用晶体生长容器(11)，可将晶体生长容器(11)内1％～50％的原料气体(4)经由多孔体中的孔而排放至晶体生长容器(11)的外部。
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公开(公告)号：CN100413102C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200510066894.5
申请日：2005-04-30
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明提供半导体发光装置，其中在活性层中自发电场的产生减小，从而能够提高亮度。半导体发光装置(1)装备有n-类型包层(3)；安置在n-类型包层(3)上的p-类型包层(7)；以及由氮化物构成并安置在n-类型包层(3)与p-类型包层(7)之间的活性层(5)，其中其特征在于通过正交于n-类型包层(3)和活性层(5)之间的界面的轴与活性层(5)的c-轴形成角度，以及通过正交于活性层(5)和p-类型包层(7)之间的界面的轴与活性层(5)的c-轴形成的角度，每个所述角度都大于零。
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公开(公告)号：CN1929090A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610110151.8
申请日：2006-08-07
申请人： 住友电气工业株式会社
CPC分类号： H01L21/7813 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02647 , H01L29/2003 , H01L29/34 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L29/872 , H01L33/007 , H01L33/0079
摘要： 本发明提供一种氮化物半导体器件的制作方法，在芯片分离通过晶片工艺在基板上制造的元件单元时，能够减少研磨、切断等工序，能够重复使用基板。采用预先确定形成封闭曲线的集合晶体生长速度慢的缺陷的缺陷集合区域(H)和晶体生长速度快的低缺陷区域(ZY)的位置的氮化物半导体缺陷位置控制基板(S)，在低缺陷区域(ZY)上器件的内部，以边界线到达缺陷集合区域(H)的方式，使氮化物半导体层(上层部(B))外延生长在氮化镓基板上，用激光照射或机械方法在上下方向横向同时分离缺陷位置控制基板(S)和生长层(上层部(B))，重复使用基板。
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公开(公告)号：CN1694272A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510066894.5
申请日：2005-04-30
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明提供半导体发光装置，其中在活性层中自发电场的产生减小，从而能够提高亮度。半导体发光装置(1)装备有n－类型包层(3)；安置在n－类型包层(3)上的p－类型包层(7)；以及由氮化物构成并安置在n－类型包层(3)与p－类型包层(7)之间的活性层(5)，其中其特征在于通过正交于n－类型包层(3)和活性层(5)之间的界面的轴与活性层(5)的c－轴形成角度，以及通过正交于活性层(5)和p－类型包层(7)之间的界面的轴与活性层(5)的c－轴形成的角度，每个所述角度都大于零。
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公开(公告)号：CN102612758B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180004431.X
申请日：2011-05-19
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L31/035236 , B82Y20/00 , H01L31/03046 , H01L31/105 , H01L31/1844
摘要： 提供一种半导体器件和光学传感器装置，每个都具有减小的暗电流和向着近红外中的更长波长扩展的探测灵敏度。而且，提供了一种半导体器件的制造方法。该半导体器件50包括：位于InP衬底1上的II型(InGaAs/GaAsSb)MQW结构的吸收层3，和位于MQW结构上的InP接触层5。在MQW结构中，GaAsSb的组分x(％)不小于44％，其厚度z(nm)不小于3nm，且满足z≥-0.4x+24.6。
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公开(公告)号：CN105094150A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510266584.1
申请日：2015-05-22
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： G05D3/12
CPC分类号： H02S20/32 , F24S50/20 , G01S3/7861 , G05D3/105 , H01L31/0543 , H02S10/00 , H02S40/22 , H02S40/30 , H02S50/00 , Y02E10/47 , Y02E10/52
摘要： 本发明涉及聚光器光伏系统、集成电路、跟踪偏差检测和校正方法。该聚光器光伏系统包括：聚光器光伏面板；驱动装置，其被构造成使聚光器光伏面板在方位角和仰角的两个轴上相对于太阳执行周期性跟踪操作；测量部，其被构造成检测产生的功率或产生的电流作为聚光器光伏面板的产生电量；控制部，其被构造成当驱动装置已经使聚光器光伏面板在两个轴中的任一个上执行跟踪操作时，获得跟踪操作之前和之后聚光器光伏面板的产生电量的变化，控制部被构造成基于该变化，确定存在/不存在应该被校正的跟踪偏差。
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公开(公告)号：CN102414796B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201080019145.6
申请日：2010-03-01
申请人： 住友电气工业株式会社 , 株式会社光波
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/32
CPC分类号： C23C16/0227 , C23C16/0272 , C23C16/303 , C30B25/183 , C30B29/406 , H01L33/007
摘要： 本发明提供制作包含生长于氧化镓衬底上的有源层且能够提高发光强度的晶片产品的方法。在步骤S105中，在摄氏600度下，在氧化镓衬底(11)的主面(11a)上生长包含GaN、AlGaN、AlN等III族氮化物的缓冲层(13)。生长缓冲层(13)后，将包含氢气和氮气的气体G2供给至生长炉(10)中，同时在摄氏1050度下使氧化镓衬底(11)及缓冲层(13)暴露于生长炉(11)的气氛中。III族氮化物半导体层(15)的沉积，在改性后的缓冲层上进行。改性后的缓冲层例如包含空隙。III族氮化物半导体层(15)可包含GaN及AlGaN。使用这些材料形成III族氮化物半导体层(15)时，可在改性后的缓冲层(14)上得到良好的结晶质量。
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公开(公告)号：CN102131964B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201080002414.8
申请日：2010-01-20
申请人： 住友电气工业株式会社
CPC分类号： C30B23/066 , C30B29/403
摘要： 本发明公开了一种制造氮化物半导体晶体的装置，其具有足够的耐久性且在从坩埚外部混入杂质方面受到抑制。本发明还公开了一种制造氮化物半导体晶体的方法以及氮化物半导体晶体。具体地，本发明公开了一种制造氮化物半导体晶体的装置(100)，其包含坩埚(101)、加热单元(125)和覆盖部件(110)。在所述坩埚(101)内部设置源材料(17)。在所述坩埚(101)的外围设置加热单元(125)，其中所述加热单元对所述坩埚(101)的内部进行加热。在所述坩埚(101)与所述加热单元(125)之间布置覆盖部件(110)。所述覆盖部件(110)包含第一层(111)和第二层(112)，所述第一层(111)被布置在面对所述坩埚(101)的侧上，并由熔点比所述源材料(17)的熔点高的金属形成，所述第二层(112)被布置在所述第一层(111)的外围侧上，并由构成所述第一层(111)的金属的碳化物形成。
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