公开(公告)号：CN101471349B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200810189727.3

申请日：2008-12-26

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  高桥秀和 ,  山田大干 ,  门马洋平 ,  安达广树

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/78 ,  H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66772 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的目的之一在于减少起因于外部压力的半导体集成电路的破损。此外，本发明还有一个目的是提高薄型化半导体集成电路的制造成品率。其方法如下：使用从单晶半导体衬底分离的单晶半导体层作为半导体集成电路所具有的半导体元件，然后以树脂层覆盖设置有半导体集成电路的被较薄地形成的衬底，在切断工序中在支撑衬底上形成用来切断半导体元件层的槽并在形成有槽的支撑衬底上设置树脂层，然后将树脂层以及支撑衬底在槽部进行切断以将其切割成多个半导体集成电路。

公开(公告)号：CN101919057B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200980103053.3

申请日：2009-01-15

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 高桥秀和 ,  山田大干 ,  门马洋平 ,  安达广树 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/301 ,  H01L23/12 ,  H01L27/14 ,  H01L29/786 ,  H01L31/10

CPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1462 ,  H01L31/02162 ,  H01L2224/11

摘要： 提供了一种由外部应力引起的诸如裂缝、裂口或缺口之类的损伤减少的半导体器件。此外，提高了具有小厚度的半导体器件的生产率。该半导体器件包括：具有台阶状侧面的透光衬底，其在该台阶上方且较靠近一个表面的部分中的宽度小于其在该台阶下方的部分中的宽度；设置在该透光衬底的另一表面上的半导体元件层；以及第一透光树脂层和第二透光树脂层的叠层，其覆盖该透光衬底的该一个表面和侧面的一部分。第一透光树脂层和第二透光树脂层中的一个具有彩色。

公开(公告)号：CN101919057A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200980103053.3

申请日：2009-01-15

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 高桥秀和 ,  山田大干 ,  门马洋平 ,  安达广树 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/301 ,  H01L23/12 ,  H01L27/14 ,  H01L29/786 ,  H01L31/10

CPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1462 ,  H01L31/02162 ,  H01L2224/11

摘要： 提供了一种由外部应力引起的诸如裂缝、裂口或缺口之类的损伤减少的半导体器件。此外，提高了具有小厚度的半导体器件的生产率。该半导体器件包括：具有台阶状侧面的透光衬底，其在该台阶上方且较靠近一个表面的部分中的宽度小于其在该台阶下方的部分中的宽度；设置在该透光衬底的另一表面上的半导体元件层；以及第一透光树脂层和第二透光树脂层的叠层，其覆盖该透光衬底的该一个表面和侧面的一部分。第一透光树脂层和第二透光树脂层中的一个具有彩色。

公开(公告)号：CN100472752C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200610099974.5

申请日：1994-12-02

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 大谷久 ,  安达广树 ,  宫永昭治 ,  高山彻

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66757

摘要： 本发明的目的是，在使用促进结晶化的催化剂元素于550℃进行4小时加热处理而得到结晶性硅的方法中，精确地控制催化剂元素的引入量。在玻璃衬底11上形成的无定形硅膜12，进而在该无定形硅膜12上形成掩膜21，将含有10～200ppm(需调整)镍等催化剂元素的乙酸盐溶液(或其它水溶液)14滴下。在该状态下保持一定的时间，用旋转器15进行旋转干燥，然后在550℃进行4小时加热处理，得到结晶性硅膜。

公开(公告)号：CN100358095C

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200410086184.4

申请日：1994-12-02

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 大谷久 ,  安达广树 ,  宫永昭治 ,  高山彻

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC分类号： H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66757

摘要： 本发明的目的是，在使用促进结晶化的催化剂元素于550℃进行4小时加热处理而得到结晶性硅的方法中，精确地控制催化剂元素的引入量。在玻璃衬底(11)上形成的无定形硅膜(12)，进而在该无定形硅膜(12)上形成掩膜(21)，将含有10～200ppm(需调整)镍等催化剂元素的乙酸盐溶液(或其它水溶液)(14)滴下。在该状态下保持一定的时间，用旋转器(15)进行旋转干燥，然后在550℃进行4小时加热处理，得到结晶性硅膜。

公开(公告)号：CN1606169A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN200410087478.9

申请日：2004-10-08

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 西和夫 ,  安达广树 ,  楠本直人 ,  菅原裕辅 ,  高桥秀和 ,  山田大干 ,  樋浦吉和

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L29/786 ,  H01L29/861 ,  H01L31/04 ,  H01L27/12 ,  H01L27/14 ,  H01L21/84 ,  H04M1/00 ,  H04Q7/32

CPC分类号： H01L31/0203 ,  H01L23/49805 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明提供一种半导体器件，具有可装配在布线衬底上的结构，所述半导体器件形成在薄膜厚度衬底、膜状衬底，或者片状衬底上。此外，本发明提供一种制造半导体器件的方法，能够提高装配在布线衬底上的可靠性。本发明的一个特征是把形成在绝缘衬底上的半导体元件接合到通过具有各向异性导电性的介质形成的导电膜的部件上。

公开(公告)号：CN1115722C

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：CN96103218.9

申请日：1993-05-08

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  安达广树 ,  小山到 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/70 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/823475 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/84 ,  Y10S438/911

摘要： 本发明公开了一种制造绝缘栅型场效应晶体管的改进的方法的。根据此方法，栅极与和它电连接的布线一起由象铝那样的金属形成。通过将栅极作为阳极浸于电解液巾，而使之阳极氧化，形成覆盖它的金属氧化物。由于在阳极化处理之前连接的布线上覆盖有合适的有机膜层，因而无氧化铝在其上形成，这样可以通过常规腐蚀除去连接的布线。

公开(公告)号：CN117337454A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202280033191.4

申请日：2022-04-26

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  冈崎健一 ,  井户尻悟 ,  安达广树

IPC分类号： G09F9/30

摘要： 本发明的一个方式提供一种具有良好的方便性或可靠性的新颖显示装置。该显示装置包括安装有多个发光二极管芯片的多个具有柔性的衬底、设置有氮化物膜的衬底以及具有柔性的衬底与设置有氮化物膜的衬底之间的树脂，发光二极管芯片所发射的光经过设置有氮化物膜的衬底。

公开(公告)号：CN117296449A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202280034336.2

申请日：2022-04-27

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  冈崎健一 ,  井户尻悟 ,  安达广树

IPC分类号： H05B33/02

摘要： 本发明的一个方式提供一种方便性或可靠性优异的新颖显示装置。组合多个像素区域(也称为显示区域)来实现设置在汽车内的构件用显示装置。具体而言，将显示面弯曲的显示器设置为汽车等车辆的内部装饰。在具有曲面的支撑体中设置布线层，该布线层与像素区域的信号线的一部分电连接。另外，通过使邻接的多个像素区域以其间的间隙较小的方式重叠，可以使像素区域与其他像素区域的接缝不显著，优选使该接缝看不到。

公开(公告)号：CN112673411B

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN201980058182.9

申请日：2019-08-26

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 渡边一德 ,  楠纮慈 ,  野中大旗 ,  安达广树 ,  武岛幸市

IPC分类号： G09F9/33 ,  G09F9/30

摘要： 提供显示质量高的显示装置。提供低功耗的显示装置。本发明的一个方式是一种其像素包括第一晶体管、第二晶体管、第一导电层及发光二极管封装的显示装置。发光二极管封装包括第一发光二极管、第二发光二极管、第二导电层、第三导电层及第四导电层。第一发光二极管包括第一电极及第二电极。第二发光二极管包括第三电极及第四电极。第一晶体管的源极和漏极中的一个通过第二导电层与第一电极电连接。第二晶体管的源极和漏极中的一个通过第三导电层与第三电极电连接。第一导电层通过第四导电层与第二电极及第四电极中的每一个电连接。第一导电层被供应固定电位。