-
公开(公告)号：CN103620094A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201280027428.4
申请日：2012-06-15
CPC分类号： C30B35/00 , C30B9/10 , C30B11/003 , C30B15/32 , C30B17/00 , C30B19/068 , C30B19/08 , C30B29/36 , Y10T117/1068 , Y10T117/1092
摘要： 本发明的目的在于提供能够对安装于籽晶轴的晶种高效地进行冷却的SiC单晶体的制造装置。该制造装置具备：坩埚（14），其用于容纳Si－C溶液（16）；以及籽晶轴（30），具有供SiC晶种（36）安装的下端面（34）。籽晶轴包括：内管（48），其在坩埚的高度方向上延伸，在自身内侧形成第1流路（60）；外管（50），其容纳内管，在该外管（50）与内管之间形成第2流路（SP1）；以及底部，其覆盖外管的下端开口且具有下端面。第1流路以及第2流路中的一者是供冷却气体向下方流动的导入流路，另一者是供冷却气体向上方流动的排出流路。从籽晶轴的轴向观察，SiC晶种的60%以上的区域与形成导入流路的管的内侧的区域重叠。
-
公开(公告)号：CN103261493A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201180055458.1
申请日：2011-11-17
申请人： 思利科材料有限公司
IPC分类号： C30B28/06 , C01B33/037 , C30B29/06 , H01L31/18
CPC分类号： F27B14/10 , B22D27/045 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1016 , Y10T117/1024 , Y10T117/1092
摘要： 本发明涉及使用定向固化用于纯化硅的装置和方法。所述装置可以用于硅的定向固化多于一次而没有故障。本发明的装置和方法可以用于制造用于太阳能电池的硅晶体。
-
公开(公告)号：CN103205802A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310066601.8
申请日：2005-02-25
申请人： 索拉克斯有限公司
发明人： 大卫·L·本德
CPC分类号： C30B15/12 , C30B15/002 , C30B15/02 , C30B15/04 , C30B15/10 , C30B15/14 , C30B15/22 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/108 , Y10T117/1088 , Y10T117/1092
摘要： 用于单晶锭连续生长的基于Czochralski法的改进系统，包括低长宽比、大直径以及基本平坦的坩埚，该坩埚包括围绕晶体的任选堰。低长宽比坩埚基本消除对流并减少最终单晶硅锭中的氧含量。独立的水平可控硅预熔化室为生长坩埚提供熔融硅的连续源，有利地消除了在晶体提拉过程中对垂直移动以及坩埚抬升系统的需求。坩埚下面的多个加热器建立横跨熔体的相应热区。分别控制各加热器的热输出以提供横跨熔体以及在晶体/熔体界面处的最佳热分布。提供多个晶体提拉室用于连续加工和高生产量。
-
公开(公告)号：CN103168117A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201180041410.5
申请日：2011-08-23
申请人： GTAT公司
CPC分类号： C30B11/00 , C30B29/06 , C30B35/00 , Y10T117/1092
摘要： 一种防止熔化物质在晶体生长装置内溃决的方法，包含提供以陶瓷涂布的晶体生长装置的腔室。该腔室可在内表面上涂布，以防止钢制的腔室本身毁损、防止水冷室蒸气爆炸。陶瓷包覆层也可设在腔室的涂布内表面之上。因此，能够制作高品质的晶体产品，同时在熔化物质溢出时将损害及成本降到最低。
-
公开(公告)号：CN101305116B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN200680039620.X
申请日：2006-08-25
申请人： 晶体系统公司
CPC分类号： C30B11/007 , C30B29/06 , C30B29/20 , C30B29/42 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1016 , Y10T117/1024 , Y10T117/1028 , Y10T117/1072 , Y10T117/1092
摘要： 为了减少向坩埚底部的热量输入和独立于热量输入来控制热量吸取，当晶体生长时可以在加热元件和坩埚之间以受控制的速度升高护罩。其它的步骤可以包括移动坩埚，但是该过程可以避免必须移动坩埚。温度梯度通过仅仅屏蔽加热元件的一部分而产生；例如，圆柱形的元件底部可以被屏蔽以使传递到坩埚底部的热量比到顶部的少，从而导致坩埚内的稳定的温度梯度。
-
公开(公告)号：CN102947025A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201180019047.7
申请日：2011-04-11
申请人： 施米德硅晶片科技有限责任公司
CPC分类号： C30B11/003 , B22D27/045 , C30B11/005 , C30B11/08 , C30B15/08 , C30B29/06 , C30B35/00 , Y10T117/1092
摘要： 本发明涉及一种用于制造单晶半导体材料的方法，其中半导体材料提供为起始材料，将起始材料传送到加热区域，在加热区域中将起始材料供送到半导体材料的熔体中，熔体从加热区域下降和/或升高加热区域，使得在熔体下端形成凝固前沿，沿该凝固前沿半导体材料结晶成期望的结构，其中该起始材料由液态半导体材料制备并以液态形式供给到熔体中。本发明还涉及用于制造单晶半导体材料的装置，包括用作起始材料的液态半导体材料源，用于制造和/或保持半导体材料制熔体的加热器件以及优选的用于控制用作起始材料的液态半导体材料供给到熔体中的器件。
-
公开(公告)号：CN102797032A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210257159.2
申请日：2002-07-03
申请人： AXT公司 , 北京通美晶体技术有限公司
IPC分类号： C30B11/00
CPC分类号： C30B27/00 , C30B11/00 , C30B11/002 , C30B11/04 , C30B11/12 , C30B29/42 , C30B35/002 , Y10T117/1092
摘要： 本发明为具有坚固支撑、碳掺杂、电阻率控制和热梯度控制的半导体晶体生长的方法和装置。在含有一个坚固密封的安瓿瓶及与原料非物质接触以掺碳的系统中，在电阻加热控制和热梯度控制下，在晶体生长炉内生长Ⅲ-Ⅴ，Ⅱ-Ⅵ族及其相关单晶化合物晶体。提供了一个以坚固圆柱体来支撑装有坩埚且密封的安瓿瓶的组合体，同时圆柱体中填充有低密绝缘物质用来阻止热传导和热对流。在低密物质的中间打有热辐射通道用来提供热辐射的路径，通过这条通道，热可以进出籽井区域和晶体生长坩埚的传热区域。在籽井的下方由绝缘物质形成中空的芯区，为生长中的晶体提供了冷却条件。这就确保了系统中能生长出均匀的大体积晶体，同时还保证了生长中的晶体和熔液的固液界面平滑，进而使得晶体具有均匀的电特性。
-
公开(公告)号：CN102400218A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110384363.6
申请日：2005-02-25
申请人： 索拉克斯有限公司
发明人： 大卫·L·本德
CPC分类号： C30B15/12 , C30B15/002 , C30B15/02 , C30B15/04 , C30B15/10 , C30B15/14 , C30B15/22 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/108 , Y10T117/1088 , Y10T117/1092
摘要： 用于单晶锭连续生长的基于Czochralski法的改进系统，包括低长宽比、大直径以及基本平坦的坩埚，该坩埚包括围绕晶体的任选堰。低长宽比坩埚基本消除对流并减少最终单晶硅锭中的氧含量。独立的水平可控硅预熔化室为生长坩埚提供熔融硅的连续源，有利地消除了在晶体提拉过程中对垂直移动以及坩埚抬升系统的需求。坩埚下面的多个加热器建立横跨熔体的相应热区。分别控制各加热器的热输出以提供横跨熔体以及在晶体/熔体界面处的最佳热分布。提供多个晶体提拉室用于连续加工和高生产量。
-
公开(公告)号：CN102220628A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110144303.7
申请日：2002-07-03
申请人： AXT公司 , 北京通美晶体技术有限公司
CPC分类号： C30B27/00 , C30B11/00 , C30B11/002 , C30B11/04 , C30B11/12 , C30B29/42 , C30B35/002 , Y10T117/1092
摘要： 本发明涉及一种生长半导体晶体的装置。在封闭安瓿的坚固支座、碳掺杂和电阻控制、及温度控制条件下，在晶体生长炉中生长Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ族及其相关单晶化合物。支座圆筒对于组合的封闭的安瓿和坩埚组件提供了支撑，同时该支座圆筒内的低密度绝缘材料阻碍了传导和对流加热。穿透低密度材料的热辐射通道对于热辐射进出坩埚的籽井和过渡区提供了路径。在绝缘材料中的中空的芯直接位于籽井的下方，为生长中的晶体的中央提供了冷却，其确保了晶体结晶块均匀而平滑地生长，同时还保证了晶体和熔体分界面的平滑，进而产生具有均匀电特性的圆片。
-
公开(公告)号：CN102187018A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200980141358.3
申请日：2009-11-20
申请人： 三菱综合材料技术株式会社
发明人： 堀冈佑吉
CPC分类号： C30B15/02 , C30B29/06 , Y10T117/1032 , Y10T117/1092
摘要： 本发明提供使石英坩埚的较长期使用成为可能而且能够改善工作效率的晶体生长装置及晶体生长方法。本发明的晶体生长装置包括具有石英坩埚的晶体生长炉、原料熔融炉、从所述原料熔融炉向所述石英坩埚重复供给熔融原料的供给单元。所述晶体生长炉具有供给所述熔融原料的供给口，所述供给口也可以相对于所述原料熔融炉连接分离自如。另外，在所述原料熔融炉的周围也可以配置有多个所述晶体生长炉。并且，所述原料熔融炉也可以具有不熔解物质分离单元。另外，本发明的晶体生长方法中向石英坩埚填充预先熔化的熔融原料。在本发明的晶体生长方法中，也可以在所述填充之前从所述熔融原料除去不熔解物质。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
94 条记录 (耗时 0.021 秒)
