公开(公告)号：CN106744656A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611095013.7

申请日：2016-12-02

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 任玉龙

IPC分类号： B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC分类号： B81C1/00269 ,  B81B7/0032 ,  B81C1/00261 ,  B81C2201/01 ,  B81C2203/019

摘要： 本发明实施例公开了一种微机电系统器件封装方法及结构。所述方法包括：在MEMS晶圆上形成器件结构，第一密封圈以及与多个金属焊盘；在盖帽的第一表面形成凹槽和多个直孔；在盖帽的第一表面形成多条第一金属导线和第二密封圈；多条第一金属导线的第一端分别延伸至多个直孔底面，多条第一金属导线的第二端以及第二密封圈位于第一表面的非凹槽区域；第二密封圈环绕凹槽和第一金属导线的第二端，并与第一密封圈对应设置；将第一金属导线的第二端与金属焊盘键合；将第一密封圈与第二密封圈相连接以密封盖帽和MEMS晶圆；刻蚀盖帽的第二表面以裸露出第一金属导线的第一端。本发明实施例提供了一种在保证气密性的同时，提高MEMS器件性能的封装方案。

公开(公告)号：CN106586943A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610755921.8

申请日：2016-08-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 程世伟 ,  王志佑 ,  许希丞 ,  蒋季宏 ,  翁睿均 ,  林炫政 ,  吴威鼎 ,  胡景翔

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC分类号： B81B7/007 ,  B81B7/0006 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/037 ,  B81C2203/0792 ,  B81B7/0032 ,  B81C1/00261

摘要： 本发明涉及使用多晶硅层间连接件以提供MEMS器件信号中的较低的寄生电容的微机电系统(MEMS)封装件、以及形成方法。在一些实施例中，MEMS封装件具有CMOS衬底，CMOS衬底具有在半导体主体内布置的一个或多个半导体器件。具有活动元件的MEMS衬底通过导电接合结构连接至CMOS衬底。在MEMS衬底的从活动元件横向偏移的位置处的前侧上布置导电接合结构。一个或多个多晶硅通孔延伸穿过导电的MEMS衬底至接合结构。一个或多个多晶硅通孔配置为将MEMS衬底电耦合至CMOS衬底。通过使用多晶硅通孔将MEMS衬底连接至CMOS衬底，减小了MEMS封装件的寄生电容和形状系数。本发明的实施例还涉及用于寄生电容器的层间多晶硅连接件以及管芯尺寸改进。

公开(公告)号：CN106517085A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201611264764.7

申请日：2016-12-30

申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司

发明人： 王之奇 ,  王宥军 ,  谢国梁 ,  胡汉青

IPC分类号： B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02

CPC分类号： B81C1/00261 ,  B81B7/0064 ,  B81B7/007 ,  B81B7/02 ,  B81B2207/09 ,  B81C1/00301

摘要： 一种MEMS传感器封装结构及其形成方法，其中封装结构包括：基板，包括第一表面和相对的第二表面，基板具有互连线路；陀螺仪传感器、加速度传感器和磁感应传感器，均包括正面和相对的背面，所述陀螺仪传感器的正面包括若干第一外接焊盘，加速度传感器的正面包括若干第二外接焊盘，磁感应传感器的正面包括若干第三外接焊盘；陀螺仪传感器和加速度传感器安装在基板的第一表面，陀螺仪传感器的第一外接焊盘与第一互连线路电连接，加速度传感器的第二外接焊盘与第二互连线路电连接；所述磁感应传感器安装在基板的第二表面，磁感应传感器的第三外接焊盘与互连线路电连接。本发明的结构实现对传感器的集成封装并减小了封装结构的体积。

公开(公告)号：CN106115615A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610682523.8

申请日：2016-08-17

申请人： 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司

发明人： 华亚平

IPC分类号： B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  B81B7/00

CPC分类号： B81C1/00 ,  B81B7/0032 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00261 ,  B81C2203/01

摘要： 本发明公开了具有吸气剂的MEMS芯片及其圆片级封装方法，由盖板、MEMS结构层和底板组成，盖板下表面具有盖板凹腔，底板上表面具有底板凹腔，盖板凹腔和底板凹腔共同形成密封腔，MEMS结构位于密封腔中，盖板与MEMS结构层间有盖板绝缘层，底板通过底板键合层与MEMS结构层键合，盖板凹腔或底板凹腔中制作有棱锥或棱台，棱锥和棱台上都覆盖有吸气剂。本发明是在蚀刻底板凹腔或盖板凹腔的同时形成棱锥或棱台，在不增加工艺步骤、不增加MEMS芯片面积的情况下，在MEMS芯片密封腔内制作若干个棱锥或棱台，棱锥或棱台表面溅射或蒸发吸气剂，以增加吸气剂的表面积，用于吸附密封腔内的气体分子，保证密封腔的真空度，为MEMS结构提供高真空度的工作环境。

公开(公告)号：CN105668502A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610174128.9

申请日：2016-03-24

申请人： 美新半导体(无锡)有限公司

发明人： 饶杰 ,  周海峰

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC分类号： H01L2224/11 ,  B81B7/0058 ,  B81C1/00261

摘要： 本发明公开了一种带腔体器件的气密封装结构及其制造方法，所述气密封装结构包括：第一半导体圆片和第二半导体圆片，每个半导体圆片都包括第一表面、与该第一表面相对的第二表面；黏合剂键合层，其用于将第一半导体圆片的第一表面和第二半导体圆片的第一表面键合在一起；多个腔体，其位于第一半导体圆片和第二半导体圆片的第一表面之间，且分别被黏合剂键合层环绕密封；多个位于腔体外侧的沟槽，沟槽自第一半导体圆片的第二表面至少贯穿第一半导体圆片和黏合剂键合层，多个沟槽分别环绕腔体；塑封料包封体，其填充沟槽并覆盖第一半导体圆片的第二表面。与现有技术相比，本发明可以实现良好的气密性能，从而获得高可靠性的器件。

公开(公告)号：CN103392350B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201180068237.8

申请日：2011-03-18

申请人： 欧姆龙株式会社

发明人： 堀本恭弘 ,  中河佑将 ,  井上匡志 ,  高桥敏幸

IPC分类号： H04R31/00 ,  H04R19/04

CPC分类号： B81C1/00261 ,  H01L21/304 ,  H01L21/50 ,  H01L24/80 ,  H04R19/005 ,  H04R31/00 ,  H04R2201/003

摘要： 在硅晶片（73）的上方设置多个声敏传感器（51）。利用硅晶片（74），一体形成具有空腔（70）或贯穿电极（65、66）等的多个内插件（52）。将多个声敏传感器（51）的与硅晶片（73）相反一侧的面与多个内插件（52）接合一体化。此后，在将声敏传感器（51）与内插件（52）接合一体化的状态下，对声敏传感器（51）的硅晶片（73）进行研磨，来减薄硅晶片（73）的厚度。此后，将在接合的状态下逐个分割成单体的声敏传感器（51）及硅晶片（73）与信号处理电路一并安装在封装内。

公开(公告)号：CN104340947A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410354124.X

申请日：2014-07-24

申请人： 应美盛股份有限公司

发明人： 金炯汉 ,  佘海俊 ,  M.马索尼亚

IPC分类号： B81B7/02 ,  B81C3/00

CPC分类号： B81C1/0023 ,  B81B3/001 ,  B81B7/0032 ,  B81B7/007 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/093 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00261 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/05 ,  B81C2203/0792 ,  H01L24/04 ,  H01L24/06 ,  H01L24/75

摘要： MEMS器件的装配和封装。微机电系统（MEMS）器件包括在衬底上的焊料凸块、包含CMOS管芯和MEMS管芯的CMOS-MEMS管芯、以及在所述CMOS管芯上的柱形凸块。MEMS管芯被布置在CMOS管芯和衬底之间。柱形凸块和焊料凸块被定位成提供在CMOS管芯和衬底之间的电连接。

公开(公告)号：CN103449351A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310176764.1

申请日：2013-05-14

申请人： 罗伯特·博世有限公司

发明人： H·韦伯 ,  F·菲舍尔 ,  M·哈塔斯 ,  Y·贝格曼

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC分类号： B81B3/0021 ,  B81B2201/025 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00261 ,  B81C1/00301 ,  B81C2203/0792 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及混合集成部件及其制造方法，所述部件具有MEMS构件（10）、构件（10）的微机械结构（131）的罩（11）及ASIC衬底（20）。微机械结构（131）在SOI晶片（10）的功能层（13）中实现。构件（10）面朝下以功能层（13）装配在ASIC衬底（20）上并且罩在SOI晶片（10）的衬底中实现。衬底（20）包括两侧设有层结构的初始衬底（21）。在MEMS侧的层结构中及衬底（20）的背侧的层结构中实现电路层面（1，2，3，4）。在衬底（20）中构造有ASIC覆镀通孔（29），其从部件（100）背侧出发电接触背侧的层结构的电路层面（3）和/或MEMS侧的层结构的电路层面（1）。

公开(公告)号：CN103373697A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310146970.8

申请日：2013-04-25

申请人： 罗伯特·博世有限公司

发明人： J·克拉森

IPC分类号： B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L25/04

CPC分类号： B81B3/004 ,  B81B3/0018 ,  B81B3/0075 ,  B81B7/008 ,  B81C1/00134 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00261 ,  B81C1/00674 ,  B81C3/001 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0735 ,  B81C2203/0771 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/48463

摘要： 用于实现混合集成的部件的措施，其电容器装置可实现高灵敏度的信号检测和MEMS构件的微机械结构的灵敏控制。混合集成的部件包括延伸在MEMS衬底的整个厚度上的MEMS构件（20），微机械结构的至少一个结构元件可偏转并且与包括可运动的电极（51）和固定的电极（52）的至少一个电容器装置作用连接；还包括具有电容器装置的电极（52）的ASIC构件（10）。MEMS构件装配在ASIC构件上，在微机械结构和ASIC构件的表面之间存在间隙（21）。从ASIC构件的层结构中脱离出电容器装置的至少一个电极（51）并且替代地机械和电地连接在MEMS构件的可偏转的结构元件（23）上，从而电极（51）作为电容器装置的运动的电极起作用。

公开(公告)号：CN102714200A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080054194.3

申请日：2010-12-29

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： J·R·哈克比 ,  R·H·珀德姆

IPC分类号： H01L23/48 ,  B81B7/02

CPC分类号： B81C1/00261 ,  B81B3/0081 ,  B81B7/0061 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种微机电系统（MEMS）设备（100），其具有定义空腔的凹部（117），该空腔中心开放到载体表面（111）上。导电引脚（112）在载体表面外围嵌入。包括集成电路芯片（101）的插入物（120）在凹部的顶部（114、116）内安装，并为空腔提供罩盖。电连接（130）连接芯片上端子与导电引脚。附加到载体表面的罩盖（140）包围集成电路芯片和电连接。穿过包括罩盖中通风孔（141）、插入物中第一和第二开孔（121，122）以及集成电路芯片中开孔（104）的路径，提供从环境大气经空腔到在芯片中活动箔片（105）的气道。