公开(公告)号：CN104766911A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201510166098.2

申请日：2015-04-09

申请人： 聚灿光电科技股份有限公司

发明人： 李庆 ,  陈立人 ,  蔡睿彦

IPC分类号： H01L33/36 ,  H01L33/38

CPC分类号： H01L33/36 ,  H01L33/38

摘要： 本发明提供一种LED芯片，其包括：衬底；设置于所述衬底上的N型半导体层和P型半导体层；设置于所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的发光层；与所述N型半导体层相连的N型电极；与所述P型半导体层相连的P型电极；以及设置于所述P型半导体层上的电流阻挡层；所述P型电极位于所述电流阻挡层上，所述P型电极连接有电极引脚；其特征在于，所述电极引脚远离所述P型电极的一端连接有截止引脚。该LED芯片在P电极引脚的端部设置截至引脚来增加该LED芯片的抗静电能力，从而使该LED芯片具有更高的可靠度。

公开(公告)号：CN104737314A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201380057054.5

申请日：2013-08-28

申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

发明人： S.伊莱克 ,  M.萨巴蒂尔 ,  T.施瓦茨 ,  W.维格莱特

IPC分类号： H01L33/62

CPC分类号： H01L33/56 ,  H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/382 ,  H01L33/385 ,  H01L33/405 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00

摘要： 一种光电子半导体构件包括光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片嵌入到具有上侧和下侧的电绝缘的模制体中。此外，在模制体中嵌入有通孔接触部，所述通孔接触部形成模制体的上侧和下侧之间的导电连接。在模制体的上侧上布置有反射层，所述反射层形成半导体芯片的电接触部和通孔接触部之间的导电连接。在此，反射层覆盖模制体的上侧的至少50%。

公开(公告)号：CN104733577A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201510144465.9

申请日：2015-03-30

申请人： 映瑞光电科技(上海)有限公司

发明人： 张宇 ,  李起鸣

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/60 ,  H01L33/36

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/36 ,  H01L33/60 ,  H01L2933/0016

摘要： 本发明揭示了一种垂直结构LED芯片及其制造方法。所述制造方法包括：提供第一衬底，在第一衬底上形成N型氮化镓层、量子阱层及P型氮化镓层；刻蚀形成第一凹槽，暴露出N型氮化镓层；在P型氮化镓层上形成欧姆接触层、反射镜及绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第一凹槽，刻蚀绝缘层位于第一凹槽中央的部分，暴露出N型氮化镓层；在第一凹槽中形成N电极，在所述绝缘层及N电极上形成键合层；提供键合层与一键合衬底键合，并去除第一衬底；刻蚀所述N型氮化镓层、量子阱层及P型氮化镓层，形成第二凹槽；在第二凹槽中形成P电极。本发明还提供获得的垂直结构LED芯片。本发明简化芯片封装难度，提高电流的扩展均匀性，实现在较高电流下的驱动。

公开(公告)号：CN104638085A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201510079764.9

申请日：2015-02-13

申请人： 常州乐迪电子科技有限公司

发明人： 高凯 ,  颜海灿

IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0033

摘要： 本发明提供一种新型倒装芯片及其制作与封装方法，该倒装芯片包括透明衬底，在透明衬底上表面依次层叠有N型外延层、载流子复合层及P型外延层，所述N型外延层与P型外延层均为掺杂的氮化镓外延层。所述N型外延层下表面与所述透明衬底上表面面积相等，且所述载流子复合层上表面与所述P型外延层下表面面积相等且小于N型外延层下表面面积；所述N型外延层一端的上表面依次层叠设有N-GaN电极和第一锡球，所述P型外延层远离N-GaN电极的一端的上表面依次层叠设有P-GaN电极和第二锡球；所述N-GaN电极和P-GaN电极的间距约为300μm。该倒装芯片结构简单、成本较低且出光效率高，可实现全周角发光。

公开(公告)号：CN104576886A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201510006986.8

申请日：2015-01-07

申请人： 沈光地 ,  马莉

发明人： 沈光地 ,  马莉

IPC分类号： H01L33/48 ,  H01L33/00 ,  H01L33/62 ,  H01L33/60

CPC分类号： H01L33/36 ,  H01L33/005 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

摘要： 一种无损共平面电极的发光器件，包括：透明衬底；第一等电位层和第二等电位层，其设置在所述透明衬底表面上；发光功能层，夹在所述第一等电位层和第二等电位层之间，其中，发光功能层包括第一半导体层、第二半导体层以及有源层，所述有源层被设置在所述第一半导体层和第二半导体层之间，且所述第一半导体层和所述第二半导体层的导电类型不同；以及第一电极，所述第一电极连接到所述第一等电位层；以及第二电极，所述第二电极连接到所述第一等电位层；所述第一电极和所述第二电极在同一平面。还提供了一种无损共平面电极的发光器件的制造方法，以及使用该无损共平面电极的发光器件构成的垂直式交流发光元件。不但改善了有源区发光的均匀度，提高了光的提取效率，可实现无金线压焊封装，从而得到高品质的发光器件，而且还能简化工艺步骤、节省工艺成本。

公开(公告)号：CN104538528A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410828892.4

申请日：2014-12-29

申请人： 苏州汉克山姆照明科技有限公司

发明人： 傅立铭

IPC分类号： H01L33/36

CPC分类号： H01L33/36

摘要： 本发明公开了一种高强度LED芯片，包括N型电极、P型电极、透明导电层、发光层、基层，其特征在于：还包括P型接触层，N型接触层，所述透明导电层、P型接触层、发光层、N型接触层、基层从上至下依次排列；所述P型电极设置在P型接触层顶部，N型电极设置在N型接触层顶部。本发明提供的一种高强度LED芯片，结构稳定性好，可以运用于高温环境；机械强度高，易于处理和清洗。

公开(公告)号：CN104471727A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201480001069.4

申请日：2014-04-30

申请人： 世迈克琉明有限公司

发明人： 朴恩铉 ,  全水根

IPC分类号： H01L33/36

CPC分类号： H01L33/46 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L33/36 ,  H01L33/38

摘要： 本发明涉及一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：多个半导体层；接触区域，其中，通过部分去除第二半导体层和有源层，而露出第一半导体层；非导电反射膜，该非导电反射膜适于覆盖第二半导体层和接触区域，以向生长基板一侧上的第一半导体层反射来自有源层的光；指状电极，该指状电极在非导电反射膜与多个半导体层之间延伸；电连接部，该电连接部适于穿过非导电反射膜并且与指状电极电连接；以及直连型电连接部，该直连型电连接部适于穿过非导电反射膜并且与多个半导体层电连接。

公开(公告)号：CN102760802B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201110110763.8

申请日：2011-04-29

申请人： 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

发明人： 魏洋 ,  范守善

IPC分类号： H01L33/04 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/36 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01L33/14 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/40 ,  H01L33/641 ,  H01L33/647 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种发光二极管，其包括：一下电极、一碳纳米管层、一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层以及一上电极，所述第一半导体层、活性层以及第二半导体层依次层叠设置于所述下电极的一侧，且所述第一半导体层靠近下电极设置，所述上电极与所述第二半导体层电连接，其中，所述第一半导体层靠近下电极的表面具有多个凹槽以形成一图形化表面，所述碳纳米管层设置于该图形化的表面，并嵌入该多个凹槽中。

公开(公告)号：CN102150272B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN200980110389.2

申请日：2009-03-27

申请人： 马帝斯IP股份有限公司

发明人： 林朝坤 ,  刘恒

IPC分类号： H01L29/20

CPC分类号： H01L33/36 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

摘要： 一种发光二极管包括外延层结构、第一电极、以及第二电极。第一电极和第二电极分开设置在外延层结构上，外延层结构在形成有第一电极的表面上的均方根粗糙度小于大约3。

公开(公告)号：CN104347818A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410450431.8

申请日：2012-03-13

申请人： 友达光电股份有限公司

发明人： 杨朝舜 ,  胡晟民

IPC分类号： H01L51/52 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56

CPC分类号： H01L33/62 ,  H01L33/36 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/5218 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种发光装置及其制作方法。制作时，于基板上形成第一电极，第一电极包括图案化导体层，图案化导体层包括含第一金属与第二金属的合金。对第一电极进行退火加工，以至少于第一电极的侧表面上形成保护层，其中保护层包括第二金属的化合物。于第一电极上形成发光层。于发光层上形成第二电极。发光装置包括基板、第一电极、保护层、第二电极以及发光层。第一电极配置于基板上，包括第一图案化导体层。保护层至少配置于第一电极的侧表面上，包括第二金属的化合物，其中第二金属的化合物的功函数为4.8eV至5.5eV。第二电极配置于第一电极上。发光层配置于第一电极与第二电极之间。本发明的发光装置具有较佳的元件特性与发光强度。