公开(公告)号：CN1592025A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410057195.X

申请日：2004-08-27

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 大熊康浩 ,  小林宣之

IPC: H02J7/00 ,  H02J9/06 ,  H02M7/48

CPC classification number: H02M1/36 ,  H02J9/062 ,  H02M2007/2195 ,  Y02B70/1408 ,  Y10T307/625

Abstract: 本发明提供一种电力变换装置，可以实现冲流小的电容器的初始充电而不会增加蓄电池的串联个数，此外，也无需附加使用充电用电阻、充电用开关等的电容器的初始充电电路。在输入交流电源电压的变动在规定的范围内的情况下，使输出交流电压保持恒定的电压的电力变换装置中，具备：用来把交流电源和装置输入电切断的切断装置；对交流电源进行整流，变换成用电容器进行了平滑的直流后变换成交流的交流－交流变换电路；蓄电池；和进行从上述蓄电池向上述电容器的充电和从上述电容器进行向上述蓄电池充电的双方向或单方向的直流－直流变换电路。接受运行指令，在上述切断装置为开路状态下，用上述直流－直流变换电路从上述蓄电池使上述电容器一直到充电到交流电源的峰值附近以上的电压为止，然后使切断装置变成为闭路状态。

公开(公告)号：CN101499736B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200910001979.3

申请日：2009-01-24

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 花泽昌彦 ,  滝泽将光 ,  铃木究

IPC: H02M7/48

Abstract: 本发明提供适合于将转换为任意频率及振幅的单相交流电压并输出的各个单位逆变器的输出端串联多级连接的电力转换装置的构成手段。各个单位逆变器(11，21，31)的输出一端相互连接，且串联多级连接各单位逆变器(11～13)的输出端，形成三相逆变器的U相，串联多级连接各单位逆变器(21～23)的输出端，形成三相逆变器的V相，串联多级连接各单位逆变器(31～33)的输出端，形成三相逆变器的W相。此时，为了使得各单位逆变器(11～13)的输出端子间的连接路径更短，且各单位逆变器(11～13)的输出电压相互相加，根据来自控制装置(50)或控制装置(57)的指令，使得单位逆变器(12)的输出电压的极性与单位逆变器(11，13)相逆。关于单位逆变器(21～23)及(31～33)也同样。

公开(公告)号：CN102184918A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201010576099.1

申请日：2010-11-25

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 上野胜典

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834

Abstract: 为了提供尽可能低成本的内燃机点火器半导体器件，同时确保能量耐受性和反向浪涌耐受能力。一种IGBT包括在集电电极和栅电极之间的钳位二极管，该IGBT在IGBT的p+衬底和n型基极层之间具有不同杂质浓度的两个n型缓冲层，其中该双层缓冲层的总厚度为50μm或更小，而总杂质量为20x1013cm-2或更小。

公开(公告)号：CN102163621A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110037386.X

申请日：2011-01-31

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 大西泰彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66712 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8611

Abstract: 半导体器件以及制造半导体器件的方法。本发明要解决的问题是提供设置有外围区的半导体器件，该外围区宽度窄且呈现良好的电场驰豫和抗感应电荷的高鲁棒性。本发明的半导体器件具有第一导电型的半导体衬底的主面上的用于主电流流动的有源区101和该有源区101周围的外围区102。该外围区102包括由直部102a和连接直部102a的曲部102b组成的在包围有源区101的主面的表面区域中形成的第二导电型的保护环21。且经由绝缘膜8在保护环21的表面上，在保护环21的内圆周侧和外圆周侧上分别地以沉积方式形成环形的多晶硅场电极22的对。用曲部102b中的金属膜24来连接保护环21的表面与内圆周侧和外圆周侧的多晶硅场电极的对。

公开(公告)号：CN102047185A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980120398.X

申请日：2009-12-14

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 铃木信二郎 ,  中村洋一 ,  高木郁夫 ,  北川清三 ,  根桥和希

IPC: G03G5/14 ,  G03G5/06

CPC classification number: G03G5/142 ,  G03G5/144

Abstract: 本发明提供一种电子照相感光体、其制造方法及搭载有该电子照相感光体的电子照相装置，该电子照相感光体的涂布液稳定性良好，金属氧化物的分散性良好且没有白底上的黑点、本底灰雾的图像缺陷，各环境下的图像特性良好。在导电性基体(1)上依次叠层有基底层(2)及感光层(3)而成的电子照相感光体(7)，其中，基底层(2)含有以芳香族二羧酸、碳原子数8以上的一种或两种以上的脂肪族二羧酸、和具有环烷结构的一种或两种以上的二胺为原料进行聚合而成的树脂作为主要成分，还含有金属氧化物，树脂中，芳香族二羧酸为0.1～10mol％，树脂的酸值和碱值均为10KOHmg/g以下。

公开(公告)号：CN101051549B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200710067069.6

申请日：2007-02-07

Applicant: 浙江大学 ,  富士电机系统株式会社

Inventor： 徐德鸿 ,  张艳军 ,  陈怡 ,  三野和明

IPC: H01F17/04 ,  H01F27/24 ,  H01F27/28 ,  H01F41/02

CPC classification number: H01F27/2847 ,  H01F27/323 ,  H01F27/38 ,  H01F2027/2857 ,  H01F2027/2861 ,  H02M7/003

Abstract: 本发明公开的柔性电路板实现的LLC谐振变换器中无源元件集成结构包括：由第一磁芯和第二磁芯形成的闭合磁路，在闭合磁路的磁芯柱上自里向外依次同轴线套有筒状双面柔性电路板、筒状磁性材料层和筒状单面柔性电路板，筒状双面柔性电路板由第一绝缘层、第一铜箔、绝缘介质层、第二铜箔和第二绝缘层依次迭置形成的板材绕制构成，筒状单面柔性电路板由第三绝缘层、第三铜箔和第四绝缘层依次迭置形成的板材绕制构成。本发明利用柔性电路板实现了LLC谐振变换器中谐振电容、谐振电感、并联电感和变压器的集成。通过本发明的无源元件集成结构有利于进一步提高电力电子变换器功率密度。

公开(公告)号：CN102037553A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200980116548.X

申请日：2009-04-15

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 浦野裕一 ,  风间健一

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834

Abstract: 将待处理衬底与支承衬底接合，该支承衬底的外形大于待处理衬底的外形，且在待处理衬底与支承衬底之间设置有光热转换层和粘合层，且即使对待处理衬底的与接合表面相反的表面进行处理，也能防止待处理衬底的被处理表面上产生外观损坏。在待处理衬底(3)的一个表面上形成粘合层(4)，在支承衬底(1)的一个表面上形成光热转换层(2)，该支承衬底(1)的表面的外形大于待处理衬底的该表面的外形，且通过将该衬底(3)接合到光热转换层(2)的该表面上且粘合层(4)设置在该衬底(3)与光热转换层(2)之间获得层叠主体。将层叠主体放置在旋涂机设备的室(8)中的旋转夹盘(9)上，并向光热转换层(2)的从待处理衬底暴露的部分(2a)上滴落碱性水溶液(11)，然后通过高压清洁喷嘴(12)清洁该暴露部分。接着，对衬底(3)的该表面进行抛光、湿法处理等，并制造半导体器件。

公开(公告)号：CN1885507B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200610095626.0

申请日：2006-06-19

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 风间健一 ,  中岛经宏 ,  佐佐木弘次 ,  清水明夫 ,  林崇 ,  胁本博树

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种生产半导体器件的方法，所述器件厚度在90μm到200μm之间，并且在该器件的后表面上具有电极。根据本发明所生产的器件可以通过优化铝硅电极的硅浓度及其厚度来实现高合格品比例。在硅衬底的第一主表面区域中形成有表面器件结构。在研磨第二主表面以减少所述衬底厚度之后，在所述第二主表面的区域中形成有缓冲层10和集电层8。在集电层8上，形成有包含有第一层铝硅薄膜的集电电极9，所述铝硅薄膜的厚度为0.3μm到1.0μm，并且硅浓度在0.5wt％到2.0wt％之间，最好不超过1wt％。

公开(公告)号：CN101051795B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200710085208.8

申请日：2007-02-17

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 林宽明

IPC: H02M7/48

CPC classification number: H02H7/122

Abstract: 根据本发明的逆变器包括：包含在发生异常时停止逆变器的保护电路的控制微型计算机；从保护电路开始运行的瞬时起对微型计算机的驱动时钟信号进行计数的计数器；以及将经由计数器计数的时钟信号转换成用时间单位表示的数值时间并输出经转换的数值时间表示的变换器电路。根据本发明、可低制造成本地制造、并易于操作的逆变器便于向装置管理者通知从逆变器由于异常等原因停止的瞬时起的时间段，而未损害时间测量的精确性。

公开(公告)号：CN101131919B

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：CN200710142216.1

申请日：2007-08-20

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 广濑隆之 ,  江户雅晴 ,  佐藤启

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02118 ,  H01L21/312 ,  H01L23/522 ,  H01L28/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种形成绝缘膜的方法。该方法减少与周边电极相邻的器件元件之上抗蚀膜的高度差(隆起)，并限制器件元件端部的凸起部分上的抗蚀膜厚度的减小。在此方法中，虚拟图案4形成于周边环形电极2与器件元件6的凸起部分3a之间的区域中。根据这种方法，凸起部分3a上的抗蚀膜在位置G处的厚度被制成近似等于凸起部分3b上抗蚀膜在位置K处的厚度。