公开(公告)号：CN101994101B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201010250341.6

申请日：2010-08-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  菊地宏之 ,  牛窪繁博

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C16/45551 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45536

Abstract: 本发明提供一种成膜装置，使旋转工作台旋转，使BTBAS气体吸附在晶圆（W）上，接着向晶圆（W）表面供给O3气体，使其与吸附在晶圆（W）表面的BTBAS气体发生反应而形成氧化硅膜时，在形成氧化硅膜之后，由活化气体喷射器对晶圆（W）上的氧化硅膜供给Ar气体的等离子体，在每个成膜循环都进行改性处理。

公开(公告)号：CN103924220A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410019338.1

申请日：2014-01-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  中坪敏行 ,  三浦繁博

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/68764 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/48 ,  C23C16/56 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供成膜方法和成膜装置。成膜方法包括以下步骤：输入步骤，使具有多个基板载置部的旋转台间歇性地旋转而将多个基板载置部依次配置于输入输出区域，将基板依次载置到基板载置部；成膜步骤，反复多次进行通过使旋转台旋转而使多个基板公转、并且将彼此反应的反应气体交替地向基板表面供给的循环，而在基板表面上形成薄膜；改性步骤，对通过使旋转台间歇性地旋转而被依次配置在与输入输出区域相邻的加热区域中的基板的薄膜进行改性；以及输出步骤，接着改性步骤，将在改性步骤中改性了薄膜的基板依次配置在输入输出区域，并将所配置的基板依次输出。

公开(公告)号：CN101826447B

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201010122656.2

申请日：2010-03-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  本间学

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/66 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54 ,  G01B11/0683 ,  G01N21/211 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法。该公开的成膜装置在真空容器的顶板上具有透射窗，利用透过该透射窗向基座上的晶圆照射光来测量所形成的膜的膜厚。具体地讲，膜厚测量系统包括：配置在透射窗的上表面上的3个光学单元；利用光学方式分别与各个光学单元相连接的光纤线；利用光学方式与这些光纤线相连接的测量单元；以及为了对测量单元进行控制而与测量单元电连接的控制单元。

公开(公告)号：CN103572259A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310306141.1

申请日：2013-07-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  三浦繁博

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/46 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供成膜装置和成膜方法。一边使旋转台旋转，一边重复进行向晶圆供给处理气体而形成反应层的步骤和利用等离子体来对该反应层进行改性的步骤，从而形成薄膜。并且，在形成该薄膜之后，停止处理气体的供给，并使用加热灯将晶圆加热到比成膜温度高的温度而进行薄膜的改性。

公开(公告)号：CN102002685B

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201010272014.0

申请日：2010-08-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  织户康一

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/46 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/481 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明提供一种使用第1和第2反应气体在被处理体上形成薄膜的成膜装置和成膜方法，该成膜装置包括真空容器、排气系统、用于载置被处理体的旋转台、用于使旋转台旋转的旋转机构以及将被处理体设定为使第1反应气体凝结的温度的温度调整机构。在真空容器内，沿着旋转台的旋转方向依次配置有：使第1反应气体的凝结物吸附在被处理体上的第1反应气体供给部；使凝结物的一部分气化的气化部；以及使第2反应气体和凝结物反应的第2反应气体供给部。

公开(公告)号：CN103526184A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310279648.2

申请日：2013-07-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  三浦繁博

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/0206 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/45551 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32862

Abstract: 本发明提供成膜装置的运转方法和成膜装置。该方法用于运转成膜装置，该成膜装置用于多次重复依次向基板供给相互不同的处理气体的循环来层叠反应产物的层而获得薄膜，该成膜装置包括：真空容器；旋转台；第1处理气体供给部；第2处理气体供给部；分离区域；第1真空排气口，其用于主要排出上述第1处理气体；第2真空排气口，用于主要排出上述第2处理气体；以及清洁气体供给部，其供给用于对上述旋转台进行清洁的清洁气体；其中，该成膜装置的运转方法包括清洁工序，在该清洁工序中，使自上述第1真空排气口进行的排气停止，一边从上述第2真空排气口进行真空排气，一边从上述清洁气体供给部向真空容器内供给清洁气体。

公开(公告)号：CN101660138B

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN200910169417.X

申请日：2009-08-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  竹内靖 ,  牛窪繁博 ,  菊地宏之

IPC: C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32559 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/50 ,  C23C16/505 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5093 ,  H01J1/00 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 本发明提供一种活化气体注入装置、成膜装置和成膜方法。该活化气体注入装置被划分成气体活化室、气体导入室，包括：将这些空间互相连通的流路形成构件；用于将处理气体导入到气体导入室的气体导入件；在气体活化室内互相并列延伸地设置、施加用于使处理气体活化的电力的一对电极，为了将被活化的气体喷出到气体活化室内而沿着电极的长度方向设置的气体喷出口。

公开(公告)号：CN103243309A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310034469.2

申请日：2013-01-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  三浦繁博

IPC: C23C16/44

CPC classification number: H01L21/02263 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/509 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228

Abstract: 本发明提供一种成膜装置及成膜方法。在从利用旋转台进行公转的晶圆看时的第1处理区域和第2处理区域之间设置分离区域，并在从利用旋转台进行公转的晶圆看时的第2处理区域和第1处理区域之间配置用于利用等离子体产生部进行晶圆上的反应生成物的改性的改性区域。并且，以包围改性区域的周围的方式配置框体的突起部而将第3处理区域的气氛的压力设定为比与该第3处理区域相邻的气氛的压力高的高压。

公开(公告)号：CN103184430A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210580129.5

申请日：2012-12-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  田村辰也 ,  熊谷武司

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/45536 ,  C23C14/00 ,  C23C16/045 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/30 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，该成膜方法用于在形成有凹部的基板上形成膜，该膜由容易吸附于羟基的第1反应气体和能同该第1反应气体发生反应的第2反应气体这两者的反应生成物构成，该成膜方法包括：控制步骤，对羟基在上述基板的上述凹部的深度方向上的吸附分布进行控制；第1反应气体供给步骤，向吸附有上述羟基的上述基板上供给上述第1反应气体；第2反应气体供给步骤，向吸附有上述第1反应气体的上述基板上供给上述第2反应气体。

公开(公告)号：CN101660142B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN200910169420.1

申请日：2009-08-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  本间学

IPC: C23C16/455

CPC classification number: H01L21/02104 ,  C23C16/45551

Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法，该成膜装置包括：设置在真空容器内，具有用于载置基板而设置的基板载置区域的旋转台；用于供给第1反应气体的第1反应气体供给部件；用于供给第2反应气体的第2反应气体供给部件；用于分离第1处理区域和第2处理区域的气氛气体而沿着周向位于第1处理区域和第2处理区域之间的分离区域；供给扩散到上述分离区域的两侧的分离气体的分离气体供给部件；对供给到上述分离气体供给部件的分离气体进行加热的加热部；用于排出上述第1反应气体、上述第2反应气体和上述分离气体的排气口；上述第1反应气体、上述第2反应气体和上述分离气体被供给到上述旋转台时，使上述旋转台旋转的驱动部。