公开(公告)号：CN101996530B

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201010255786.3

申请日：2010-08-16

申请人： 佳能株式会社

发明人： 约翰逊道子 ,  坂口清文 ,  铃木隆典 ,  木谷充志

IPC分类号： G09F9/30

CPC分类号： G02F1/133308 ,  G02F2001/133331 ,  G02F2202/28

摘要： 本发明涉及一种显示模块，所述显示模块包括：显示板；设置在显示板的外侧的单元；和用其将显示板和所述单元粘附在一起的粘接层。粘接层具有粘接于显示板的第一粘接面和粘接于所述单元的第二粘接面。第一粘接面的边缘和第二粘接面的边缘沿粘接面方向相互移位。

公开(公告)号：CN102034851B

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201010293330.6

申请日：2010-09-27

申请人： 佳能株式会社

发明人： 角田乃亚 ,  坂口清文

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L51/52

CPC分类号： H01L51/5253 ,  H01L27/32 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5256 ,  H01L51/5275

摘要： 本发明涉及一种显示装置，该显示装置包括：像素的阵列，所述像素的阵列包含多个有机EL元件，所述多个有机EL元件各具有一对电极和有机化合物层，该有机化合物层包含发光层并且被设置在所述一对电极之间；以及保护层，所述保护层被设置在所述多个有机EL元件上。所述保护层具有由无机材料制成的第一保护层、由树脂材料制成并且被设置在第一保护层上的第二保护层和由无机材料制成并且被设置在第二保护层上的第三保护层。第二保护层包含用于使从发光层发射的光的至少一部分发散的透镜。所述透镜具有细长的凹形形状。

公开(公告)号：CN102467878A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110361325.9

申请日：2011-11-15

申请人： 佳能株式会社

发明人： 川野藤雄 ,  乡田达人 ,  识名纪之 ,  坂口清文 ,  山下孝教 ,  池田宏治

IPC分类号： G09G3/32

CPC分类号： G09G3/3225 ,  G09G2300/0452 ,  G09G2320/0626 ,  G09G2320/068 ,  G09G2330/021

摘要： 本发明涉及有机电致发光显示装置。提供这样的显示装置：该显示装置可根据用户场景选择“户外视认模式”或“宽视角模式”，或者“节电模式”或“宽视角模式”；该显示装置还可选择两个模式之间的中间状态；并且提供高的显示图像质量。本发明的有机电致发光显示装置包括多个像素、有机电致发光元件、数据线驱动器、像素电路和栅极线驱动器，其中，每个像素包含发射相同颜色的光的两个有机电致发光元件，仅在所述两个有机电致发光元件中的一个的发光侧之上设置具有高的集光性的元件，并且，使得所述两个有机电致发光元件之间的点亮时间或驱动电流不同的单元被包括。

公开(公告)号：CN101996530A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010255786.3

申请日：2010-08-16

申请人： 佳能株式会社

发明人： 约翰逊道子 ,  坂口清文 ,  铃木隆典 ,  木谷充志

IPC分类号： G09F9/30

CPC分类号： G02F1/133308 ,  G02F2001/133331 ,  G02F2202/28

摘要： 本发明涉及一种显示模块，所述显示模块包括：显示板；设置在显示板的外侧的单元；和用其将显示板和所述单元粘附在一起的粘接层。粘接层具有粘接于显示板的第一粘接面和粘接于所述单元的第二粘接面。第一粘接面的边缘和第二粘接面的边缘沿粘接面方向相互移位。

公开(公告)号：CN1312781C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200310117927.5

申请日：1997-12-26

申请人： 佳能株式会社

发明人： 中川克已 ,  米原隆夫 ,  西田彰志 ,  坂口清文

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/04 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02032 ,  C30B19/12 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/76251 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/1804 ,  H01L33/0062 ,  H01L2221/68368 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/977

摘要： 为了达到晶体的高性能和半导体构件的低成本，以便低成本地制造具有高效率和柔软形状的太阳电池，利用下述步骤制造半导体构件，(a)在衬底的表面形成多孔层，(b)把多孔层在高温还原气氛下浸入溶解了用于形成待生长的半导体层的元素的溶液，以便在多孔层表面上生长晶体半导体层，(c)把另一衬底连接在其上形成多孔层和半导体层的衬底表面上，(d)在多孔层从另一衬底分离该衬底。

公开(公告)号：CN1160761C

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN99123433.2

申请日：1999-11-05

申请人： 佳能株式会社

发明人： 柳田一隆 ,  近江和明 ,  坂口清文

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/67167 ,  H01L21/67092

摘要： 本发明提供一种适用于制造SOI衬底的加工系统。加工系统包括：无向自动控制装置，用以传送由自动操作手保持的键合衬底叠片；以及配置在与无向自动控制装置的驱动轴大致等距离的位置的定中心设备、分离设备、翻转设备、和清洗/干燥设备。当自动操作手在水平面的绕驱动轴转动并移动靠近或离开该驱动轴时，就在各加工设备之间传递键合衬底叠片或分离后的衬底。

公开(公告)号：CN1155065C

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN99111074.9

申请日：1999-06-18

申请人： 佳能株式会社

发明人： 坂口清文 ,  佐藤信彦

IPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L21/76243

摘要： 制备其表面层在含氢气的还原气氛中已热处理的单晶硅衬底；通过注入氧离子形成离子注入层；随后，利用离子注入层通过热处理形成埋入的氧化膜(BOX)层。由此得到具有在BOX层上形成且如COP等的缺陷数量显著减少的单晶硅层(SOI层)的SOI衬底。

公开(公告)号：CN1146957C

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN00122589.8

申请日：2000-06-16

申请人： 佳能株式会社

发明人： 岩崎由希子 ,  米原隆夫 ,  西田彰志 ,  坂口清文 ,  浮世典孝

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76259 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368

摘要： 在通过支撑元件对由基片上的分离层形成的半导体层进行支撑，并通过对支撑元件施加拉力机械破坏分离层，而形成薄膜半导体时，通过真空吸附和/或静电吸附来固定基片，并从除基片边缘之外的区域开始分离薄膜外延层。由此可提供一种能够以较高产量获得具有优异性质薄膜外延层的方法，并且允许重复使用基片，且在制造半导体基材和太阳能电池时不会因为分离力超过基片的粘接力而抬起基片。

公开(公告)号：CN1132223C

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：CN96121054.0

申请日：1996-10-04

申请人： 佳能株式会社

发明人： 佐藤信彦 ,  米原隆夫 ,  坂口清文

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02032 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3223 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76259 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50

摘要： 生产平整、质量好SOI衬底的方法，同时包括多孔形成步骤，在硅衬底的至少一个表面上形成多孔硅层；及大孔隙率层形成步骤，在多孔硅层中形成大孔隙率层。把离子注入多孔硅层并伸入到给定区域，或者在多孔形成步骤中改变阳极氧化的电流密度，进行大孔隙率层形成步骤。在多孔硅层上面外延生长非多孔单晶硅层。把多孔硅层表面和支撑衬底连接在一起，在具有大孔隙率的多孔硅层处进行分离。接着进行选择刻蚀，以便除掉多孔硅层。通过重复利用衬底能节省资源和降低成本。

公开(公告)号：CN1127122C

公开(公告)日：2003-11-05

申请号：CN98126345.3

申请日：1998-12-25

申请人： 佳能株式会社

发明人： 山方宪二 ,  坂口清文

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/00 ,  H01L21/762 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0203 ,  C25D11/32 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76259 ,  Y10S438/96 ,  Y10S438/977

摘要： 衬底处理方法，能够在除去多孔硅时得到满意的腐蚀。包括在电解溶液中阳极氧化单晶硅衬底在单晶硅衬底的主表面上形成多孔硅层，在多孔硅层上生长单晶硅膜，将氧化单晶硅膜表面得到的第一衬底粘接到第二衬底上作为支撑衬底，从第一衬底的下表面侧除去单晶硅部分露出多孔硅层，除去多孔硅层，在氧化步骤之后进行清洗，从电解溶液中除去第一衬底并暴露到空气直到进行清洗的时间限制在防止在腐蚀步骤中多孔硅层留在单晶硅膜上的范围内。