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公开(公告)号：CN108231587A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711008269.4
申请日：2017-10-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/8234
Abstract: 于此所揭示的是鳍式场效晶体管(FinFETs)的共形传递掺杂方法。一个例示性方法，包括形成鳍片结构、形成掺杂非晶层于鳍片结构的一部分的上方、以及执行撞击式布植制程，以将掺杂物从掺杂非晶层驱入鳍片结构的一部分内，从而形成掺杂特征。掺杂非晶层包括材料的非晶态形式。在一些实施方式中，撞击式布植制程结晶化掺杂非晶层的至少一部分，使得掺杂非晶层的一部分成为鳍片结构的一部分。在一些实施方式中，掺杂非晶层包括非晶硅，而撞击式布植制程结晶化掺杂非晶硅层的一部分。
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公开(公告)号：CN107039508A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611262061.0
申请日：2016-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/2236 , H01L21/26513 , H01L21/823412 , H01L21/823425 , H01L21/823431 , H01L21/823821 , H01L29/165 , H01L29/41775 , H01L29/66803 , H01L29/7848 , H01L29/7851 , H01L29/785 , H01L29/41725 , H01L29/42316 , H01L29/66409
Abstract: 提供半导体装置及其制造方法。此半导体装置包含在基底上沿第一方向延伸的鳍，以及在鳍上沿第二方向延伸的栅极结构。此栅极结构包含：在鳍上的栅极介电层；在栅极介电层上的栅极电极；以及位于栅极电极的第一横向表面上，且沿第二方向延伸的第一绝缘栅极间隙物。此半导体装置还包含源极/漏极区，其形成于鳍内邻近于栅极电极的区域内，且源极/漏极区的一部分沿第一方向，以固定的距离延伸在绝缘栅极间隙物下方。
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公开(公告)号：CN107026118A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201611099323.6
申请日：2016-12-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L27/11
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括设置在衬底上的第一栅电极、第一源极/漏极区以及将第一栅电极与第一源极/漏极区连接的局部互连件。局部互连件设置在衬底与第一金属布线层之间，其中，电源供电线设置在第一金属布线层中。局部互连件在平面图中具有钥匙孔形状，并且具有头部、颈部和通过颈部连接至头部的主体部分。头部设置在第一栅电极上方，并且主体部分设置在第一源极/漏极区上方。本发明还提供了半导体器件中的局部互连件的制造方法。
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公开(公告)号：CN106971939A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201611248416.0
申请日：2016-12-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/28518 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L23/485 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/41791 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L21/02521 , H01L21/02104
Abstract: 在一种制造一半导体装置的方法中，通过沉积制程在半导体层上形成含有非晶第一材料的第一层。在此第一层上形成含有金属第二材料的第二层。执行热制程以形成此非晶第一材料与此金属第二材料的合金层。
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公开(公告)号：CN113540151B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202110720940.8
申请日：2021-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10B63/00
Abstract: 本文公开了存储器器件和形成存储器器件的方法。存储器器件包括：电阻存储器阵列，包括第一电阻存储器单元；阶梯接触结构，与电阻存储器阵列相邻；以及金属间介电层，位于阶梯接触结构上方。存储器器件还包括：第一二极管和第二二极管，位于金属间介电层上方。存储器器件还包括：第一导电通孔，将第一二极管电耦接至第一电阻存储器单元的第一电阻器；以及第二导电通孔，将第二二极管电耦接至第一电阻存储器单元的第二电阻器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113517302B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202110708543.9
申请日：2021-06-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种存储器件包括：第一晶体管，位于半导体衬底上方，其中，第一晶体管包括在半导体衬底上方延伸的第一字线；第二晶体管，位于半导体衬底上方，其中，第二晶体管包括在第一字线上方延伸的第二字线；第一气隙，在第一字线和第二字线之间延伸；存储器膜，沿着第一字线和第二字线延伸并且接触第一字线和第二字线；沟道层，沿着存储器膜延伸；源极线，沿着沟道层延伸，其中，存储器膜位于源极线和字线之间；位线，沿着沟道层延伸，其中，存储器膜位于位线和字线之间；以及隔离区域，位于源极线和位线之间。本申请的实施例提供了存储器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113380823B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202110474606.9
申请日：2021-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供了具有多层堆叠件的铁电存储器件，该多层堆叠件的布置在衬底上方并且包括交替堆叠的多个导电层与多个介电层。沟道层穿透多个导电层和多个介电层。多个铁电部分离散地布置在沟道层与多个导电层之间。多个铁电部分彼此垂直分隔开一个或多个非零距离。本申请的实施例还涉及形成铁电存储器件的方法。
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公开(公告)号：CN113380887B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202011629397.2
申请日：2020-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H10B51/20 , H10B51/30 , H01L21/336
Abstract: 本发明的各种实施例针对铁电存储器器件。铁电存储器器件包括：一对源极/漏极区，设置在衬底中。栅极电介质，设置在衬底上方以及源极/漏极区之间。栅极电极，设置在栅极电介质上。极化切换结构，设置在栅极电极上。一对侧壁间隔件，设置成位于衬底上方、并且沿着栅极电极和极化切换结构的相对侧壁。本发明的实施例还提供了集成芯片和形成铁电FinFET存储器器件的方法。
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公开(公告)号：CN113488482B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202011635006.8
申请日：2020-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 公开了用于3D存储器阵列的布线布置及其形成方法。在实施例中，一种存储器阵列包括：接触第一字线的铁电(FE)材料；接触源极线和位线的氧化物半导体(OS)层，该FE材料布置在OS层与第一字线之间；接触FE材料的介电材料，该FE材料在介电材料与第一字线之间；在第一字线上方的金属间电介质(IMD)；穿过IMD延伸到第一字线的第一接触件，该第一接触件电耦合到第一字线；延伸穿过介电材料和FE材料的第二接触件；以及将第一接触件电耦合到第二接触件的第一导电线。本发明的实施例还涉及存储器阵列及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113380892B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202110602234.3
申请日：2021-05-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种配置为多位存储器件的铁电场效应晶体管(FeFET)，该FeFET包括：半导体衬底，在该半导体衬底中具有源极区，在该半导体衬底中具有漏极区；栅极堆叠件在半导体衬底上，其中源极区和漏极区延伸到栅极堆叠件的相对侧，该栅极堆叠件包括在半导体衬底上方的铁电层，以及在铁电层上方的栅极区。晶体管还包括铁电层的第一端和第二端，其分别对应于源极和漏极区。铁电层包括偶极子。在铁电层的第一端的第一组偶极子具有第一极化。在铁电层的第二端的第二组偶极子具有第二极化，第二极化与第一极化基本上相反。本发明的实施例还涉及存储器件及读取铁电场效应晶体管的方法。
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