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公开(公告)号：CN115241045B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202210902715.0
申请日：2017-03-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本公开涉及半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置。本发明提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。半导体装置包括具有氧化物半导体膜的晶体管。晶体管包括栅电压高于0V且10V以下的晶体管的场效应迁移率的最大值为40以上且小于150的区域；阈值电压为‑1V以上且1V以下的区域；以及S值小于0.3V/decade的区域。
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公开(公告)号：CN119698938A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202380059006.3
申请日：2023-08-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种占有面积小的半导体装置。该半导体装置包括第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、第一导电层、第二导电层以及第一绝缘层。第一绝缘层设置在第一导电层上。第二导电层设置在第一绝缘层上。第一绝缘层及第二导电层包括到达第一导电层的开口。第一半导体层与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面以及第二导电层的顶面及侧面接触。第二半导体层设置在第一半导体层上。第三半导体层设置在第二半导体层上。第一半导体层包括第一材料。第二半导体层包括第二材料。第三半导体层包括第三材料。第一材料的带隙大于第二材料的带隙。第三材料的带隙大于第二材料的带隙。
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公开(公告)号：CN119072790A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202380036133.1
申请日：2023-04-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H05B33/02 , H05B33/10 , H10K50/10 , H10K59/00
Abstract: 提供一种包括微细尺寸的晶体管的半导体装置。在半导体装置中，第二导电层包括与第一导电层的顶面接触的区域，第二导电层包括与第一导电层重叠的第一开口，第三导电层设置在第二导电层上，第三导电层包括与第一开口重叠的第二开口，第一绝缘层与第二导电层所包括的第一开口的侧壁接触，半导体层与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面及第三导电层的顶面接触，第二绝缘层设置在半导体层上，第四导电层设置在第二绝缘层上，第一绝缘层包括由第一开口的侧壁与半导体层夹持的区域，并且，半导体层包括由第一开口的侧壁与第四导电层夹持的区域。
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公开(公告)号：CN118743327A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202380016772.1
申请日：2023-01-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/122 , G09F9/30 , H10K50/81 , H10K50/82
Abstract: 提供一种高清晰显示装置。显示装置包括晶体管、发光器件及第一绝缘层。晶体管包括半导体层、第一至第三导电层、第二及第三绝缘层。第二绝缘层设置在第一导电层上并包括到达第一导电层的第一开口。第二导电层设置在第二绝缘层上并在与第一开口重叠的区域中包括第二开口。半导体层与第一导电层的顶面、第二绝缘层的侧面、第二导电层的顶面及侧面接触。第三绝缘层设置在半导体层上。第三导电层设置在第三绝缘层上。第一绝缘层设置在晶体管上。第一及第三绝缘层包括到达第二导电层的第三开口。发光器件设置在第一绝缘层上并包括像素电极、公共电极及EL层。像素电极通过第三开口电连接于第二导电层。EL层具有与像素电极的顶面及侧面接触的区域。
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公开(公告)号：CN118284923A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202280077713.0
申请日：2022-11-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G09F9/00 , H01L31/10 , H01L31/12 , H05B33/02 , H05B33/10 , H05B33/12 , H05B33/14 , H05B33/22 , H10K30/60 , H10K50/00 , H10K59/00
Abstract: 提供一种高清晰的显示装置。提供一种具有高显示品质的显示装置。该显示装置包括：第一绝缘层上的第一发光元件及第二发光元件；第二绝缘层；以及第三绝缘层。第一发光元件包括第一像素电极及第一有机层。第二发光元件包括第二像素电极及第二有机层。第一绝缘层包括从平面看时沿第一像素电极的边设置的槽状区域。槽状区域包括与第一像素电极重叠的第一区域及与第二像素电极重叠的第二区域。第一区域及第二区域的宽度为20nm以上且500nm以下。第二绝缘层包括与第一有机层的顶面接触的区域、与第一有机层的侧面接触的区域及位于第一像素电极的下方的区域。第三绝缘层包括与第二有机层的顶面接触的区域、与第二有机层的侧面接触的区域以及位于第二像素电极的下方的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117917187A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202280060528.0
申请日：2022-09-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种电压降低充分得到抑制的显示装置。该显示装置包括：包括第一发光层、位于第一发光层上的第一电荷产生层以及位于第一电荷产生层上的第二发光层的第一发光器件；位于与第一发光器件重叠的位置的第一滤色片；包括第三发光层、位于第三发光层上的第二电荷产生层以及位于第二电荷产生层上的第四发光层的第二发光器件；位于与第二发光器件重叠的位置的第二滤色片；第一发光器件及第二发光器件所包括的公共电极；以及与公共电极电连接的辅助布线，辅助布线包括第一布线层及第二布线层，第二布线层通过绝缘层的接触孔与第一布线层电连接，第二布线层在俯视时呈格子状。
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公开(公告)号：CN110911419B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201910986729.3
申请日：2015-02-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/423
Abstract: 提供一种包括氧化物半导体的通态电流大的半导体装置。该半导体装置包括设置在驱动电路部的第一晶体管和设置在像素部的第二晶体管；第一晶体管和第二晶体管的结构不同。并且，第一晶体管和第二晶体管具有顶栅结构。在各晶体管的氧化物半导体膜中，在不与栅电极重叠的区域中包含杂质元素。氧化物半导体膜中的包含杂质元素的区域具有低电阻区域的功能。另外，氧化物半导体膜中的包含杂质元素的区域与包含氢的膜接触。另外，也可以包括在包含氢的膜的开口部中与包含杂质元素的区域接触且具有源电极以及漏电极的功能的导电膜。设置在驱动电路部的第一晶体管包括在其间隔着氧化物半导体膜的两个栅电极。
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公开(公告)号：CN117616875A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202280047767.2
申请日：2022-06-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/26 , H05B33/22 , H05B33/12 , H10K59/121 , H10K59/123 , H10K59/124 , H10K59/131 , G09F9/30
Abstract: 本发明的一个方式提供一种摄像功能的检测灵敏度高且显示品质高的显示装置。该显示装置包括：受光器件；包括其端部具有第一锥形状的第一下部电极及具有沿着第一锥形状的形状的第一有机化合物层的第一发光器件；包括其端部具有第二锥形状的第二下部电极及具有沿着第二锥形状的形状的第二有机化合物层的第二发光器件；第一发光器件和第二发光器件所包括的公共电极；位于第一发光器件与第二发光器件之间以及第二发光器件与受光器件之间的绝缘层；以及与公共电极电连接的辅助布线，其中，辅助布线位于公共电极上且具有与绝缘层重叠的区域。
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公开(公告)号：CN117476700A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310915208.5
申请日：2023-07-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种占有面积小的半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括依次层叠的第一导电层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层、第五绝缘层及第二导电层，还包括半导体层、第三导电层及第六绝缘层。半导体层与第一导电层的顶面、第一至第五绝缘层的侧面及第二导电层接触，第六绝缘层位于半导体层上，第三导电层位于第六绝缘层上且隔着第三导电层与半导体层之间的第六绝缘层与半导体层重叠，第一绝缘层具有其氢含量比第二绝缘高多的区域，第五绝缘层具有其氢含量比第四绝缘层高的区域，第三绝缘层包含氧。
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公开(公告)号：CN110226219B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN201880008351.3
申请日：2018-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , G09F9/30 , H01L29/786 , H10K50/00 , H05B33/10 , H05B33/14
Abstract: 且在比第一温度低的第二温度下进行等离子体提供一种电特性良好的半导体装置。提供一 处理的第六工序；以及在第二绝缘层上形成包含种生产率高的半导体装置的制造方法。提供一种 硅和氮的第三绝缘层的第七工序。成品率高的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括：形成包含硅和氮的第一绝缘层的第一工序；对第一绝缘层的表面附近添加氧的第二工序；在第一绝缘层上并与其接触地形成包含金属氧化物的半导体层的第三工序；在半导体层上并与其接触地形成包含氧的第二绝缘层的(56)对比文件US 2011003418 A1,2011.01.06US 2011263091 A1,2011.10.27US 2013137255 A1,2013.05.30US 2014206133 A1,2014.07.24US 2015340505 A1,2015.11.26US 2016225795 A1,2016.08.04US 2016284859 A1,2016.09.29
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