公开(公告)号：CN104505342A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201410714798.6

申请日：2014-11-28

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 鲍宇

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/2225

摘要： 本发明涉及半导体器件优化领域，尤其涉及一种金属硅化物改善的方法，在一硅衬底的栅极结构形成后，沉积一层掺氟的氧化硅(FSG)，然后沉积氮化硅层，选择性的去掉PMOS上的氮化硅，进行高温退火后，去除掉所有的氮化硅层和掺氟氧化硅层。器件形成后，沉积氮化硅作为SAB掩膜，需要形成金属硅化物的地方，经过曝光显影刻蚀选择性的去掉覆盖其上的氮化硅，沉积金属层和保护层氮化硅，进行二次退火形成镍硅化物。掺氟氮化硅中氟通过后续的退火向基底硅中扩散，增加基底硅中的氟含量，降低Ni piping和spiking发生的可能。

公开(公告)号：CN104465862A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201310694563.0

申请日：2013-12-13

申请人： 台积太阳能股份有限公司

发明人： 严文材 ,  吴志力 ,  徐伟伦 ,  吴忠宪

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L31/0322 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/225 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67115 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供了一种用于制造太阳能电池的方法，通常包括将太阳能电池子结构传输至腔室。使用连接至腔室的波生成装置产生电磁辐射，从而使波生成装置被设置为邻近太阳能电池子结构。将电磁辐射于应用于太阳能电池子结构的至少一部分上以帮助至少一种金属元素扩散穿过太阳能电池子结构的至少一部分，从而在太阳能电池子结构的至少两种不同类型的半导体材料之间形成半导体界面。本发明还提供了一种制造太阳能电池的装置。

公开(公告)号：CN104137227A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201380010626.4

申请日：2013-01-10

申请人： 日立化成株式会社

发明人： 佐藤铁也 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  芦泽寅之助 ,  仓田靖 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  织田明博 ,  清水麻理

IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  C03C8/16 ,  C08L101/00 ,  C09D201/00

CPC分类号： H01L21/2255 ,  C03C3/097 ,  C03C8/08 ,  C03C8/16 ,  C08L1/28 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/324 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供含有包含施主元素的化合物、分散介质和有机填料的n型扩散层形成用组合物、具有n型扩散层的半导体基板的制造方法、以及太阳能电池元件的制造方法。

公开(公告)号：CN103998387A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201280041653.3

申请日：2012-08-16

申请人： 赫劳斯贵金属北美康舍霍肯有限责任公司

发明人： D·张 ,  A·沙科赫 ,  S·斯里德哈兰 ,  H·翰特里 ,  H·蒋 ,  G·E·格雷迪

IPC分类号： C03C8/08 ,  C03C8/22 ,  C03C8/16 ,  C03C8/18 ,  H01L31/0224

CPC分类号： H01B1/22 ,  C03C8/08 ,  C03C8/10 ,  C03C8/16 ,  C03C8/18 ,  C03C8/22 ,  C07F9/11 ,  H01L21/2225 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明公开膏组合物、制备膏组合物的方法、光电池、以及制备光电池触点的方法。膏组合物可包括导电金属组分(例如铝)、磷酸盐玻璃、磷化合物(例如磷酸烷基酯)以及媒介物。通过钝化层上施加膏和烧成膏可在硅片上的钝化层上形成触点。在烧成期间，金属组分可烧透钝化层，从而电接触硅基板。

公开(公告)号：CN103887153A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201210554051.X

申请日：2012-12-19

申请人： 湖北台基半导体股份有限公司

发明人： 杨宁 ,  张桥 ,  周霖 ,  楚奇

IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L21/228

CPC分类号： H01L21/2225

摘要： 本发明的名称为一种Al-Ga复合扩散掺杂方法。属于电力半导体功率器件制造工艺技术领域。它主要是解决现有Al-Ga杂质同步扩散时互相干扰、影响均匀性的问题。它的主要特征是：⑴在第一源盒中装入铝杂质源，在第二源盒中装入镓杂质源，再装入源盒、档片、硅片、陪片，最后将封管放入真空扩散炉中；⑵将真空扩散炉抽真空，再升温至铝杂质源预沉积扩散温度范围进行铝杂质源预沉积恒温扩散；⑶再将真空扩散炉升温至镓杂质源扩散温度范围进行镓杂质源、预沉积铝杂质再分布双杂质恒温扩散；⑷最后降温出炉。本发明具有可显著改善P型扩散掺杂的均匀性、重复性、降低成本、提高工效的特点，用于电力半导体功率器件制造中铝镓杂质复合扩散掺杂工艺。

公开(公告)号：CN103839787A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201410048996.3

申请日：2012-07-03

申请人： 日立化成株式会社

发明人： 佐藤铁也 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  木泽桂子 ,  织田明博 ,  足立修一郎

IPC分类号： H01L21/225 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L21/2225 ,  C03C3/097 ,  C03C8/08 ,  C03C8/16 ,  C03C15/00 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有施主元素且软化温度为500℃以上且900℃以下，平均粒径为5μm以下的玻璃粉末；以及分散介质。

公开(公告)号：CN103794478A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201410050927.6

申请日：2012-07-17

申请人： 日立化成株式会社

发明人： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  岩室光则 ,  织田明博 ,  足立修一郎 ,  佐藤铁也

IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L21/2255 ,  H01L21/2225 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有P2O5、SiO2及CaO的玻璃粉末，以及分散介质。通过将该n型扩散层形成用组合物涂布于半导体基板上并实施热扩散处理，从而制造n型扩散层、及具有n型扩散层的太阳能电池元件。

公开(公告)号：CN103618023A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201310491156.X

申请日：2013-10-18

申请人： 浙江晶科能源有限公司 ,  晶科能源有限公司

发明人： 金井升 ,  陈康平 ,  金浩 ,  蒋方丹

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/223

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L21/2225 ,  H01L31/068

摘要： 本发明公开了一种高方阻扩散工艺，包括低温进舟、低温稳定、边升温边沉积、高温沉积、高温推进、边降温边推进、低温沉积和低温出舟步骤，其中：边升温边沉积步骤：通入氮气10L/min、氧气400ml/min、携带三氯氧磷的氮气900ml/min，控制炉管温度≤830℃，升温速率≤1℃/min；边降温边推进步骤：通入氮气10L/min，控制炉管温度≤810℃，升温速率≥10℃/min。采用四探针测试扩散后硅片的方块电阻，平均值为95Ω/sq。本发明兼容了传统结构电池扩散工艺接触电阻低和SE结构电池扩散工艺短波响应好的优势，不仅提高了电池转换效率，且制造成本低。

公开(公告)号：CN103579325A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310349620.1

申请日：2013-08-12

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： 安东·毛德 ,  赖因哈德·普洛斯 ,  汉斯-约阿希姆·舒尔茨

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2251 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/743 ,  H01L23/36 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/167 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05078 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L29/063

摘要： 本发明公开了半导体衬底中包含沟槽的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体衬底。第一沟槽从第一侧延伸入或穿过该半导体衬底。半导体层在该第一侧邻接该半导体衬底。该半导体层在该第一侧覆盖该第一沟槽。该半导体器件进一步包括在该半导体衬底的与该第一侧相反的第二侧处的接触体。

公开(公告)号：CN103492607A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280019083.8

申请日：2012-03-16

申请人： 第三专利投资有限两合公司

发明人： 马丁·斯图兹曼 ,  托拜厄斯·安特斯伯格

IPC分类号： C23C14/14 ,  C23C14/58

CPC分类号： H01L21/0262 ,  C23C14/14 ,  C23C14/5806 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2225 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种方法，该方法用于生产一种多晶层。该方法包括以下步骤，这些步骤是：向一个衬底施加一种层序列，该层序列包括至少一个具有杂质的无定形起始层，一个金属活化剂层，和一个基于钛或氧化钛、被安排在该起始层与该活化剂层之间用于从该起始层回收这些杂质的清洁层；并且在施加该层序列后进行热处理来形成一种多晶最终层。