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公开(公告)号：CN1819295A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200510097480.9
申请日：2005-12-28
申请人： 旺宏电子股份有限公司
发明人： 龙翔澜
CPC分类号： H01L45/06 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/141 , H01L45/16
摘要： 一种相变记忆胞的制作方法。相变内存单元的一个接触的剖面面积会受下电极的宽度与暴露的长度影响，本方法可以制作非常小的相变记忆胞。
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公开(公告)号：CN1808736A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510129743.X
申请日：2005-12-06
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L45/00 , H01L27/24 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L45/1233 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/1273 , H01L45/144 , H01L45/1675
摘要： 本发明公开了一种相变存储单元及其制造方法。所述相变存储单元包括形成于半导体衬底上的下层间介电层和穿过下层间介电层的下导电栓。下导电栓与设置于下层间介电层上的相变材料图案接触。相变材料图案和下层间介电层用上层间介电层覆盖。相变材料图案与导电层直接接触，导电层图案设置于穿过上层间介电层的板线接触孔中。
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公开(公告)号：CN1763986A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510096679.X
申请日：2005-08-31
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 高宽协
IPC分类号： H01L45/00 , H01L21/768
CPC分类号： H01L45/06 , H01L45/124 , H01L45/1273 , H01L45/144 , H01L45/1691
摘要： 提供制造具有小接触面积的相变存储器件的方法。该方法包括在半导体衬底上形成下层间绝缘层，以及在下层间绝缘层内形成下导体图形。在具有下导体图形的半导体衬底上形成第一绝缘层图形，第一绝缘层图形横穿下导体图形的顶表面。在第一绝缘层图形的侧壁上形成电连接到下导体图形的导电隔片图形。在具有导电隔片图形的半导体衬底上形成第一层间绝缘层。第一层间绝缘层和导电隔片图形被平整，以形成底电极。在具有底电极的半导体衬底上形成第二绝缘层图形，第二绝缘层图形横穿底电极的顶表面并露出部分底电极。在第二绝缘层图形的侧壁上形成电连接到底电极的相变材料隔片。在具有相变材料隔片的半导体衬底上形成第二层间绝缘层。第二层间绝缘层和相变材料隔片被平整，以形成相变材料图形。
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公开(公告)号：CN1627547A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200410094745.5
申请日：2004-11-17
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L45/06 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/144 , H01L45/1691
摘要： 一种存储单元、具有可能位于存储单元阵列中的一个或多个存储单元的集成电路(IC)、以及制作存储单元和IC的方法。各个存储单元包括其尖端是相变材料的触针。相变尖端可以被夹在电极与导电材料例如氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)、或n型半导体之间。相变层可以是硫族化物，确切地说是锗(Ge)、锑(Sb)、碲(Te)(GST)层。
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公开(公告)号：CN104103308B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201310388497.4
申请日：2013-08-30
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 朴南均
IPC分类号： G11C13/04
CPC分类号： H01L27/2481 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C13/0002 , G11C13/003 , G11C2213/71 , G11C2213/74 , G11C2213/75 , G11C2213/79 , H01L23/528 , H01L27/228 , H01L27/2454 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1206 , H01L45/1273 , H01L45/14 , H01L45/141 , H01L45/147 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 提供了一种具有结型FET的3D可变电阻存储器件及其驱动方法。所述可变电阻存储器件包括半导体衬底和形成在半导体衬底上的存储串选择开关。沟道层形成在列存储串选择开关上。多个栅极沿着沟道层的长度层叠，并且每个栅极与沟道层的外侧接触。可变电阻层形成在沟道层的内侧上，并且与沟道层接触。
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公开(公告)号：CN105027309B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201480011221.7
申请日：2014-03-03
申请人： 密克罗奇普技术公司
发明人： 贾斯丁·希罗奇·萨托 , 博米·陈 , 索努·达里亚纳尼
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1226 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1253 , H01L45/1273 , H01L45/1675
摘要： 本发明揭示一种侧壁式存储器单元(例如，CBRAM、ReRAM或PCM单元)，其可包含底电极(120)、界定侧壁的顶电极(132)层及布置于所述底电极层与所述顶电极层之间的电解质层(130)，使得经由所述电解质层在所述底电极与所述顶电极侧壁之间界定导电路径，其中所述底电极层相对于水平衬底大致水平延伸，且所述顶电极侧壁相对于所述水平衬底非水平延伸，使得当正偏置电压施加到所述单元时，导电路径在所述底电极与所述顶电极侧壁之间的非垂直方向(例如，大致水平方向或其它非垂直方向)中增长。
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公开(公告)号：CN105027312B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201480011450.9
申请日：2014-03-08
申请人： 密克罗奇普技术公司
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1253 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/1246 , H01L45/1273 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16
摘要： 一种CBRAM或ReRAM类型的电阻式存储器单元包含：顶部电极(222)；及沟槽形底部电极结构，其界定底部电极连接(200)及从邻近所述底部电极连接的第一侧壁区(214)延伸到尖端区(212)的侧壁(210)，其中背对所述底部电极连接的尖端表面(216)具有小于邻近所述底部电极连接的所述第一侧壁区的厚度的厚度。电解质切换区(220)布置于所述顶部电极与所述底部电极尖端区之间以提供用于在将电压偏置施加到所述电阻式存储器单元时形成从所述底部电极尖端表面(216)经由所述电解质切换区到所述顶部电极的导电细丝或空位链(226)的路径。
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公开(公告)号：CN107004766A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580062671.3
申请日：2015-11-25
申请人： 密克罗奇普技术公司
发明人： 保罗·费斯特
CPC分类号： H01L45/1273 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/122 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1675
摘要： 本发明涉及一种形成优选地用于CBRAM或ReRAM阵列的电阻式存储器单元的方法，其包含：形成导电层；氧化暴露区域；及移除接近于所述氧化区域(110)的所述导电层的区域以形成具有尖头或边缘区域(114)的底部电极(102A)。电绝缘微型间隔物(118)形成于所述底部电极相邻处，且电解质区域(120A)及顶部电极(122A)形成于所述底部电极及微型间隔物上以界定存储器元件。所述存储器元件界定从所述底部电极尖头区域经由所述电解质区域而到所述顶部电极的导电细丝/空位链路径CP。所述微型间隔物减少所述导电细丝/空位链路径的有效区域或限制区。
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公开(公告)号：CN106537510A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201480078047.8
申请日：2014-04-30
申请人： 慧与发展有限责任合伙企业
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： H01L27/2463 , G11C13/0002 , G11C13/003 , G11C2213/52 , G11C2213/71 , G11C2213/73 , H01L27/2481 , H01L27/249 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1273 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1616 , H01L45/1675 , H01L45/1683
摘要： 一种电阻式存储器设备，其包括导体和与导体接触的电阻式存储器堆叠。该电阻式存储器堆叠包括多成分电极和切换区域。该多成分电极包括具有表面的基极和在该基极表面上、采用i）薄层，或者ii）不连续纳米岛的形式的惰性材料电极。当惰性材料电极采用薄层形式时，切换区域与导体并且与惰性材料电极接触；或者当惰性材料电极采用不连续纳米岛形式时，切换区域与导体、与惰性材料电极并且与基极的氧化部分接触。
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公开(公告)号：CN103733339B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201280039517.0
申请日：2012-06-28
申请人： 美光科技公司
发明人： 斯科特·E·西里斯
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L45/1273 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/04 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1266 , H01L45/141 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1616
摘要： 本发明包含存储器单元结构及其形成方法。一个此存储器单元包含：第一电极，其具有相对于所述第一电极的底面成小于90度角的侧壁；第二电极，其包含所述第二电极的电极接触部分，所述电极接触部分具有相对于所述第一电极的所述底面成小于90度角的侧壁，其中所述第二电极在所述第一电极上方；及存储元件，其介于所述第一电极与所述第二电极的所述电极接触部分之间。
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