公开(公告)号：CN101821867B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200880111467.6

申请日：2008-09-17

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 龟井英德

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/16 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/20 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05618 ,  H01L2224/05623 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05673 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013

摘要： 本发明公开了一种半导体发光器件及使用它的半导体发光装置以及该半导体发光装置的制造方法。在将化合物半导体层(3)层叠在单晶基板上，再将单晶基板切割成呈长方形的一个个芯片而形成的半导体发光器件(1)中，已切割的单晶基板即个别芯片状基板(2)的长边侧面(21)和(23)形成为与解理面成规定的角度，使得长边侧面(21)和(23)为与单晶基板的结晶结构的解理面不同的面。因此，能够在不增加制造工序的状态下提供能够谋求提高取光效率的半导体发光器件及使用该半导体发光器件的半导体发光装置。

公开(公告)号：CN105655313A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201510849708.9

申请日：2015-11-27

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： J·希尔森贝克 ,  T·弗兰克 ,  J·P·康拉斯 ,  R·拉普

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/417 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/43 ,  H01L29/7392 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/74 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/8083 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05623 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12031 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/141 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/143 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1435 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/3512 ,  H01L23/488

摘要： 本发明涉及一种半导体器件。根据各个实施例，一种半导体器件可包括形成在半导体器件的表面处的层堆叠，层堆叠包括具有第一金属或金属合金的金属化层以及覆盖金属化层的保护层，保护层包括第二金属或金属合金，其中第二金属或金属合金比第一金属或金属合金的贵金属性更低。

公开(公告)号：CN1636271A

公开(公告)日：2005-07-06

申请号：CN02823683.1

申请日：2002-11-13

申请人： 自由度半导体公司

发明人： 雷·L·莫尔卡多 ,  维杰·萨瑞翰 ,  郑勇先生 ,  詹姆斯·J·王 ,  爱德华·普莱克

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/12 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05618 ,  H01L2224/05623 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0566 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0567 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05679 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

摘要： 按照一种实施方式，应力缓冲层(40)被形成在功率金属结构(90)与钝化层(30)之间。应力缓冲层(40)通过功率金属结构(90)减小施加于钝化层(30)上的应力的作用。按照另一实施方式，功率金属结构(130A)被分为多段(1091)，从而通过籽层(1052)和粘附/阻挡层(1050)的剩余部分在各段(1090)之间保持电连续性。独立的多段(1090)施加比相当尺寸的连续功率金属结构(9)更低的峰值应力。

公开(公告)号：CN1326221C

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN02823683.1

申请日：2002-11-13

申请人： 自由度半导体公司

发明人： 雷·L·莫尔卡多 ,  维杰·萨瑞翰 ,  郑勇先生 ,  詹姆斯·J.·王 ,  爱德华·普莱克

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/12 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05618 ,  H01L2224/05623 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0566 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0567 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05679 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

摘要： 按照一种实施方式，应力缓冲层(40)被形成在功率金属结构(90)与钝化层(30)之间。应力缓冲层(40)通过功率金属结构(90)减小施加于钝化层(30)上的应力的作用。按照另一实施方式，功率金属结构(130A)被分为多段(1091)，从而通过籽层(1052)和粘附/阻挡层(1050)的剩余部分在各段(1090)之间保持电连续性。独立的多段(1090)施加比相当尺寸的连续功率金属结构(9)更低的峰值应力。

公开(公告)号：CN1645636A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200410081933.4

申请日：2000-01-28

申请人： 丰田合成株式会社 ,  株式会社光波

发明人： 平野敦雄 ,  吉川幸雄 ,  手岛圣贵 ,  安川武正

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/385 ,  H01L23/62 ,  H01L25/167 ,  H01L33/48 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05673 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/013 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05623 ,  H01L2224/05672 ,  H01L2224/05613 ,  H01L2224/05683 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05123 ,  H01L2224/05172 ,  H01L2224/05149 ,  H01L2224/05649 ,  H01L2224/05113 ,  H01L2224/05183 ,  H01L2224/05118 ,  H01L2224/05618 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/05679 ,  H01L2224/05179 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155

摘要： 一种具有倒装芯片式的半导体发光元件的发光二极管，包括：一倒装芯片；和一由半导体基片制成的子座，在所述半导体基片内形成一过电压保护的二极管，并且在所述半导体基片上放置所述倒装芯片，其中电接触所述倒装芯片的一正电极和一负电极形成于所述子座上，所述正电极和所述负电极的至少一个具有引线焊接的焊盘，并且所述过电压保护的二极管形成于既不被所述倒装芯片覆盖也不被所述焊盘的任何一个部分覆盖的区域。本发明可将倒装芯片放置在一个引线框架上，使倒装芯片的中心轴线，与引线框架的抛物面的中心轴线重合。

公开(公告)号：CN1264181A

公开(公告)日：2000-08-23

申请号：CN00101674.1

申请日：2000-01-28

申请人： 丰田合成株式会社 ,  株式会社光波

发明人： 平野敦雄 ,  吉川幸雄 ,  手岛圣贵

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/385 ,  H01L23/62 ,  H01L25/167 ,  H01L33/48 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05673 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/013 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05623 ,  H01L2224/05672 ,  H01L2224/05613 ,  H01L2224/05683 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05123 ,  H01L2224/05172 ,  H01L2224/05149 ,  H01L2224/05649 ,  H01L2224/05113 ,  H01L2224/05183 ,  H01L2224/05118 ,  H01L2224/05618 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/05679 ,  H01L2224/05179 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155

摘要： 一种发光二极管具有基本上为方形的倒装晶片,按照下述位置和姿势放置在方形的子座上。该位置和姿势通过将该倒装晶片的中心点和中心轴线重叠在子座的中心点和中心轴线上,接着再使该倒装晶片,围绕其中心点转动大约45°而得到。因此,在子座上形成多个三角形的暴露区域,倒装晶片的二个引线电极可作在该区域中。结果,可将倒装晶片放置在一个引线框架上,使倒装晶片的中心轴线,与引线框架的抛物面的中心轴线重合。

公开(公告)号：CN102810623B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201210083699.3

申请日：2012-03-27

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 元圣喜 ,  千英洙

IPC分类号： H01L33/62 ,  H01L23/49

CPC分类号： H01L33/62 ,  F21K9/27 ,  F21Y2113/13 ,  F21Y2115/10 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/0753 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05623 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05676 ,  H01L2224/05679 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4848 ,  H01L2224/48499 ,  H01L2224/48997 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48455

摘要： 公开了一种发光器件封装和照明系统。该发光器件封装包括：布置在第一引线框架上的发光器件，在该发光器件的上表面上具有电极焊盘；用于将电极焊盘和与第一引线框架间隔开的第二引线框架相互电连接的第一金属线；和布置在第二引线框架上的第一焊接球，该第一焊接球从与第一金属线和第二引线框架接触的第一接触点间隔开，其中第一焊接球布置在第一金属线和第二引线框架之间以将第一金属线和第二引线框架相互电连接。在该发光器件封装中，在金属线焊接时使用焊接球固定金属线，由此防止金属线在与引线框架间的焊接部分处从引线框架分离。而且，金属线经由焊接球而被电连接到引线框架，由此改善金属线焊接的可靠性。

公开(公告)号：CN104347593A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410168415.X

申请日：2014-04-24

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 金锺薰 ,  裵汉儁

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05605 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05613 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05618 ,  H01L2224/05623 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81898 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/81

摘要： 提供了层叠封装体。所述层叠封装体包括第一芯片和第二芯片。第一芯片包括：第一芯片本体、穿过第一芯片本体的第一穿通电极、以及设置在第一芯片本体的底表面上的绝缘层。第二芯片包括：第二芯片本体和设置在第二芯片本体的顶表面上的凸块。第一芯片和第二芯片垂直地层叠，使得凸块穿过绝缘层以穿入第一穿通电极，并且第二芯片本体的顶表面直接接触绝缘层。还提供了相关的制造方法、电子系统和存储卡。

公开(公告)号：CN1194423C

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN00101674.1

申请日：2000-01-28

申请人： 丰田合成株式会社 ,  株式会社光波

发明人： 平野敦雄 ,  吉川幸雄 ,  手岛圣贵 ,  安川武正

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/385 ,  H01L23/62 ,  H01L25/167 ,  H01L33/48 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05673 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/013 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05623 ,  H01L2224/05672 ,  H01L2224/05613 ,  H01L2224/05683 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05123 ,  H01L2224/05172 ,  H01L2224/05149 ,  H01L2224/05649 ,  H01L2224/05113 ,  H01L2224/05183 ,  H01L2224/05118 ,  H01L2224/05618 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/05679 ,  H01L2224/05179 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155

摘要： 一种具有倒装芯片式半导体发光组件的发光二极管，包括：一倒装芯片；和由一半导体基片制成的一子座，其中形成有一过电压保护二极管，并且在其上放置所述倒装芯片，其中，与所述倒装芯片电连接的一正电极和一负电极形成于所述子座上，所述正、负电极中至少一个具有一用于引线焊接的焊接区，并且所述过电压保护的二极管形成于一既不被所述倒装芯片覆盖也不被所述焊接区的任何一个部分覆盖的区域。本发明可将倒装晶片放置在一个引线框架上，使倒装晶片的中心轴线，与引线框架的抛物面的中心轴线重合。

公开(公告)号：CN104617067A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201410613709.9

申请日：2014-11-04

申请人： 开益禧株式会社

发明人： 黄圭孝 ,  李锺洪 ,  崔甲秀 ,  田且秀 ,  朴进相 ,  裵相甫 ,  朴用鈱 ,  安星桭

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/49 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/49531 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05172 ,  H01L2224/05617 ,  H01L2224/0562 ,  H01L2224/05623 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05672 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/2912 ,  H01L2224/29123 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29157 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

摘要： 提供了一种半导体器件及其接合结构，其中不与半导体裸片或引线框架形成金属间化合物，从而改善电特性和机械特性以及可润湿性，且抑制裸片接合材料的聚集。所述半导体器件包括：半导体裸片、形成在半导体裸片的表面上的阻挡层、形成在阻挡层上的第一金属层、形成在第一金属层上的中间金属层，以及形成在中间金属层上的第二金属层。这里，第一金属层和第二金属层具有第一熔化温度，中间金属层具有低于第一熔化温度的第二熔化温度。