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1.

发明授权
半导体器件和半导体器件制造方法失效

公开(公告)号：CN102280470B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201110159141.4

申请日：2011-06-01

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 福田恭平 , 望月英司 , 泽野光利 , 须泽孝昭

IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/336 , H01L21/28

CPC分类号： H01L21/761 , H01L21/6836 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/32 , H01L29/0619 , H01L29/0646 , H01L29/0657 , H01L29/0661 , H01L29/0692 , H01L29/0834 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/7395 , H01L2221/68327 , H01L2224/04026 , H01L2224/05008 , H01L2224/05012 , H01L2224/05124 , H01L2224/05548 , H01L2224/05562 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/26145 , H01L2224/29023 , H01L2224/29024 , H01L2224/291 , H01L2224/32227 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01327 , H01L2924/10156 , H01L2924/10158 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/351 , H01L2924/3651 , H01L2924/3656 , H01L2924/014 , H01L2224/03 , H01L2924/00 , H01L2224/05552

摘要： 本发明提供一种能够防止半导体芯片的破裂和碎裂并提高器件特性的半导体器件和半导体器件制造方法。在半导体芯片的元件端部的侧面设置分离层。而且，在半导体芯片的元件端部，通过凹部形成帽檐部。集电层设置在半导体芯片的背面上，延伸到凹部的侧壁和底面，并与分离层连接。在集电层的整个表面上设置集电电极。凹部的侧壁上的集电电极成为，最外层电极膜的厚度为0.05μm或更小。设置在半导体芯片的背面上的集电电极经由焊料层接合于绝缘衬底上。将焊料层设置成覆盖设置在半导体芯片的背面的平坦部上的集电电极。

2.

发明授权
封装集成电路的连接件设计有权

公开(公告)号：CN102820290B

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201210159141.9

申请日：2012-05-21

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 , 郑心圃 , 侯上勇 , 谢政杰 , 许国经 , 施应庆 , 蔡柏豪 , 高金福 , 黄震麟 , 林俊成

IPC分类号： H01L27/02 , H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 , H01L23/147 , H01L23/49827 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/04 , H01L25/50 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05073 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05184 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/05686 , H01L2224/10145 , H01L2224/10156 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/1182 , H01L2224/11831 , H01L2224/13017 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13565 , H01L2224/13578 , H01L2224/13686 , H01L2224/16058 , H01L2224/16145 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/3651 , H01L2924/3841 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/01047 , H01L2924/049 , H01L2924/053 , H01L2924/00

摘要： 本发明涉及封装集成电路的连接件设计，其中涉及一种器件，该器件包括具有顶面的顶部介电层。金属柱具有位于顶部介电层的顶面上方的部分。非润湿的层形成在金属柱的侧壁上，其中，非润湿的层不可被熔化的焊料湿润。焊料区域被设置在金属柱上方并且与其电连接。

3.

发明公开
凸块电极、凸块电极基板以及其制造方法有权

公开(公告)号：CN104425389A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410446263.5

申请日：2014-09-03

申请人： 千住金属工业株式会社

发明人： 服部贵洋 , 相马大辅 , 佐藤勇

IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/498 , H01L21/60 , H01L23/488

CPC分类号： B23K1/203 , B23K1/0016 , B23K1/20 , H01L21/4853 , H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/03828 , H01L2224/1112 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13117 , H01L2224/13118 , H01L2224/1312 , H01L2224/13123 , H01L2224/13124 , H01L2224/13138 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13149 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/1316 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/1317 , H01L2224/13171 , H01L2224/13179 , H01L2224/1318 , H01L2224/1319 , H01L2224/13582 , H01L2224/136 , H01L2224/13605 , H01L2224/13609 , H01L2224/13611 , H01L2224/13613 , H01L2224/13616 , H01L2224/13617 , H01L2224/13618 , H01L2224/1362 , H01L2224/13624 , H01L2224/13638 , H01L2224/13639 , H01L2224/13647 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/1366 , H01L2224/13671 , H01L2924/3651 , H01L2924/384 , H05K3/3436 , H05K2201/10234 , H05K2201/10621 , H05K2201/10734 , H05K2203/041 , Y02P70/613 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01032 , H01L2924/01014 , H01L2924/01057 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01015

摘要： 本发明涉及凸块电极、凸块电极基板以及其制造方法，研究焊料镀层的熔融工序，以便在电极焊盘上可以将成为凸块电极的核层的Cu球的中心在其水平截面上再现性良好地配置于所包覆的焊料的外壳的中心。具备接合于电极焊盘(12)上、施加焊料(14)到成为核层的Cu球(13)上的凸块电极(30)，在凸块电极(30)涂布助焊剂(16)之后，搭载于电极焊盘(12)上，加热电极焊盘(12)以及Cu核球而将焊料镀层(24)熔融的熔融工序中，将搭载有电极焊盘(12)以及Cu核球的基板(11)的加热率设定为0.01[℃/sec]以上～不足0.3[℃/sec]的范围。

4.

发明公开
用于减缓金属间化合物成长的方法有权

公开(公告)号：CN102931107A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210061784.X

申请日：2012-03-09

申请人： 财团法人交大思源基金会

发明人： 陈智 , 杜经宁 , 萧翔耀

IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488 , C25D5/10 , C25D7/12

CPC分类号： C23C28/021 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/03849 , H01L2224/0401 , H01L2224/05147 , H01L2224/05611 , H01L2224/08503 , H01L2224/11849 , H01L2224/131 , H01L2924/01029 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/10253 , H01L2924/3651 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/014

摘要： 本发明是有关于一种用于减缓金属间化合物成长的方法。该方法的步骤包括：(i)制备一衬底元件，包括在一衬底上电镀至少一金属垫层，接着在该金属垫层上电镀至少一很薄的一薄焊料，进行适当的热处理工艺；(ii)在该衬底元件上再镀上适当厚度的焊料；其中，该薄焊料经过适当的热处理后，会与金属垫的金属反应形成一薄的金属间化合物，因此可以在之后的回焊工艺抑制金属间化合物的生成速率的效果，借以减缓微小接点焊料与金属垫上的金属反应变成金属间化合物。一旦金属间化合物成长速率能被减缓，锡晶须(Sn whisker)的成长也可以被抑制。

5.

发明授权
使用引线框和夹片的半导体管芯封装及制造方法失效

公开(公告)号：CN101495014B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN200680043074.7

申请日：2006-10-24

申请人： 费查尔德半导体有限公司

发明人： E·V·R·克鲁兹 , E·卡巴霍格 , T·C·塞 , V·艾耶

IPC分类号： A47G1/10

CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/49548 , H01L23/49551 , H01L23/49562 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/39 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L2224/16245 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29116 , H01L2224/2919 , H01L2224/32057 , H01L2224/32245 , H01L2224/37147 , H01L2224/73253 , H01L2224/83385 , H01L2224/83801 , H01L2224/8485 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/12032 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/3651 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012

摘要： 公开了一种用于半导体封装的夹片结构。该夹片结构包括主要部分、至少一个从该主要部分延伸出来的基座、下移设置部分、以及引线部分。该下移设置部分在引线部分与主要部分之间。该夹片结构可用于MLP(微引线框封装)。

6.

发明公开
微细间距倒装焊凸点电镀制备技术有权

公开(公告)号：CN1552951A

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN03140656.4

申请日：2003-05-31

申请人： 香港科技大学

发明人： 陈正豪 , 肖国伟

IPC分类号： C25D7/12 , H01L23/02

CPC分类号： H01L24/03 , H01L24/11 , H01L2224/0347 , H01L2224/03912 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/05147 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/11901 , H01L2224/131 , H01L2224/29111 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/30107 , H01L2924/3651 , H01L2224/13099

摘要： 本发明提供了一系列新工艺用以通过电镀方法，制备可用于半导体封装，具有微细间距、良好可靠性的焊球。本发明所采用的新工艺技术可适用于不同组分的电镀铅－锡合金焊料、无铅的锡基焊料(如：铜－锡、锡－铜－银、锡－银、锡－铋合金)等。其工艺能够满足焊球边间距50微米以上，焊球直径在50至300微米的需求。在本发明中，通过采用凸点回流控制层，避免了工艺过程中焊料的损失，从而能够制备微细间距和高可靠性焊球。通过对关键工艺和电镀金属层的控制，以调整电镀层微观结构，本发明能够制备用于倒装焊封装的高可靠性焊球。本发明同时应用特殊设计涂覆光胶构件和光刻工艺，以满足微细间距电镀凸点的工艺制备要求。

7.

发明公开
用于凸块下金属结构的套环及相关联的系统及方法有权

公开(公告)号：CN108028229A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680053250.9

申请日：2016-08-03

申请人： 美光科技公司

发明人： G·马里奥蒂尼 , S·瓦德哈维卡 , W·黄 , A·查杜鲁 , M·博斯勒

IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L21/60

CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02126 , H01L2224/02135 , H01L2224/0219 , H01L2224/03013 , H01L2224/0346 , H01L2224/03472 , H01L2224/0361 , H01L2224/03906 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05082 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05184 , H01L2224/05547 , H01L2224/05553 , H01L2224/05555 , H01L2224/05565 , H01L2224/05568 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05684 , H01L2224/05686 , H01L2224/05687 , H01L2224/10145 , H01L2224/114 , H01L2224/11472 , H01L2224/13018 , H01L2224/13023 , H01L2224/13026 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/94 , H01L2924/014 , H01L2924/07025 , H01L2924/3651 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/053

摘要： 本发明涉及用于裸片间及/或封装间互连件的凸块下金属UBM结构环的制造及相关联的系统。一种半导体裸片包含：半导体材料，其具有固态组件；及互连件，其至少部分延伸穿过所述半导体材料。凸块下金属UBM结构形成于所述半导体材料上方且电耦合到对应互连件。套环包围所述UBM结构的侧表面的至少一部分，且焊接材料安置于所述UBM结构的顶面上方。

8.

发明授权
基板上的凸块结构与其形成方法有权复审申请

公开(公告)号：CN102347298B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201010569645.9

申请日：2010-11-24

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郑明达 , 吕文雄 , 林志伟 , 陈静雯 , 吴逸文 , 张家栋 , 何明哲 , 刘重希

IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/0345 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05027 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05186 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/10145 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/11827 , H01L2224/13006 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13647 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16507 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01073 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/3651 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/05 , H01L2924/00012 , H01L2924/01083 , H01L2924/00 , H01L2224/05552

摘要： 本发明公开了一种基板上的凸块结构与其形成方法，可解决基板上导电层与连接至导电层的金属凸块两者界面的分层问题。导电层可为金属垫或顶金属层。经由临场沉积导电保护层于导电层(或导电底层上)，金属凸块的凸块下冶金层与导电层之间具有良好粘着力，并可减少界面分层。在某些实施例中，可省略凸块下冶金层中的铜扩散阻挡层。在某些实施例中，若金属凸块结构的沉积方法为非电镀工艺且金属凸块的组成不是铜，则可省略凸块下金属层。

9.

发明授权
包括在优选方向生长的Cu6Sn5晶粒的电性连接结构及其制备方法有权

公开(公告)号：CN103390565B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201210154178.2

申请日：2012-05-18

申请人： 财团法人交大思源基金会

发明人： 陈智 , 林汉文

IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488 , B23K1/00

CPC分类号： H01R13/03 , B23K1/0016 , H01L21/4846 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05541 , H01L2224/05647 , H01L2224/13111 , H01L2224/16503 , H01L2224/81191 , H01L2224/81447 , H01L2224/8181 , H01L2224/81815 , H01L2924/01322 , H01L2924/3651 , H01R43/02 , Y10T29/49213 , Y10T428/12903 , H01L2924/00012 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种包括在优选方向生长的Cu6Sn5晶粒的电性连接结构及其制备方法。本发明的电性连接结构的制备方法包括步骤：A、提供一第一基板；B、在第一基板的部分表面形成一第一纳米双晶铜层；C、使用一焊料将第一基板与一第二基板连接，第二基板具有一第二电性垫，第二电性垫包括第二纳米双晶铜层，且焊料配置于第一及第二纳米双晶铜层之间；以及D、以200℃至300℃的温度进行回焊(reflow)使焊料部分转换为一介金属化合物(intermetallic compound，IMC)层，且介金属化合物层包括在优选方向(preferred orientation)生长的Cu6Sn5晶粒；其中，第一及第二纳米双晶铜层的50％以上的体积分别包括双晶铜晶粒。