导电膜形成方法与烧结助剂

    公开(公告)号:CN104303242B

    公开(公告)日:2016-11-30

    申请号:CN201380025632.7

    申请日:2013-02-28

    Abstract: 在使用光烧结的导电膜形成方法中,容易地形成具有低电阻的导电膜。公开的是其中使用光烧结形成导电膜的导电膜形成方法,其包括以下步骤:在基板1上形成由铜颗粒分散体制成的液体膜2,将该液体膜2干燥以形成铜颗粒层3,对该铜颗粒层3施以光烧结以形成导电膜4,将烧结助剂5粘接到该导电膜4上,并对粘接有烧结助剂5的导电膜4进一步施以光烧结。所述烧结助剂5是从金属铜中除去氧化铜的化合物。由此,该烧结助剂5除去了导电膜4中铜颗粒21的表面氧化物膜。

    铜墨水、导电膜形成方法和RF标签

    公开(公告)号:CN119278240A

    公开(公告)日:2025-01-07

    申请号:CN202280096531.8

    申请日:2022-08-23

    Abstract: 在本发明中,在纸基材上形成低电阻导电膜。根据本发明的铜墨水包括细铜颗粒、液体分散介质和将细铜颗粒分散在分散介质中的分散剂。细铜颗粒是中位直径为60‑110nm的铜颗粒。细铜颗粒的浓度相对于铜墨水整体为60wt%以上。分散介质包含具有多个羟基的醇。分散剂为具有磷酸基的聚合物化合物或其盐。分散剂的浓度相对于铜的重量为3‑6wt%。铜墨水经由光学烧制形成纸基材的导电膜。

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