公开(公告)号：CN101128516B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200680005683.3

申请日：2006-02-23

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 加藤波奈子 ,  森宽 ,  小林博 ,  外村翼

IPC: C08G77/08 ,  C08L83/04 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/56 ,  C08G77/04 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体发光器件用部件及其制造方法以及使用了该部件的半导体发光器件，本发明所提供的半导体发光器件用部件的透明性、耐光性、耐热性优异，能够密封半导体发光器件，即使长期使用也不会产生裂纹和剥离。为此，本发明中使用具有下述特征的半导体发光器件用部件：(1)该部件的固体Si-核磁共振谱中具有至少一个选自由(i)和(ii)组成的组中的峰，所述(i)是峰顶的位置位于化学位移为-40ppm～0ppm的区域、半峰宽为0.3ppm～3.0ppm的峰，所述(ii)是峰顶的位置位于化学位移为-80ppm以上且小于-40ppm的区域、半峰宽为0.3ppm～5.0ppm的峰；并且，(2)该部件的硅含量为20重量％以上；(3)该部件的硅烷醇含量为0.1重量％～10重量％。

公开(公告)号：CN117157780A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202280026329.8

申请日：2022-03-29

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 长谷川辰弥 ,  志藤庆治 ,  加藤波奈子 ,  椋木一词 ,  畠山宏毅 ,  关敬一

IPC: H01M4/587

Abstract: 本发明是鉴于相关的背景技术而完成的，其课题在于提供能够得到与现有技术相比在保持容量的同时初始效率优异的二次电池的包覆碳材料，作为其结果，提供高性能的二次电池。本发明的包覆碳材料是被膜包覆于碳材料而成的，其中，上述被膜包含选自下述(X)的化合物及下述(Y)的化合物组的交联物中的至少一种：(X)含乙酰乙酰基的树脂；(Y)聚乙烯醇类树脂及含硅元素化合物。

公开(公告)号：CN1227157C

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN02143330.5

申请日：2002-09-25

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 森宽 ,  加藤波奈子 ,  船山胜矢

IPC: C01B33/16

CPC classification number: C01B33/152 ,  C01B33/1585

Abstract: 提供细孔容积和比表面积大、细孔分布尖锐、不需要的金属杂质的含量少、并且耐热性和耐水性等也优良的硅石。该硅石的细孔的众数直径(Dmax)在20nm以下，是非晶态，并且以固体Si-NMR中Q4峰的化学位移为δ(ppm)时，δ满足下式(I)：-0.0705×(Dmax)-110.36＞δ(I)，具有这种特性的硅石适用于要求尤其优良的耐热性和耐水热性，同时要求控制的细孔特性和在长期使用中物性变化少的领域。

公开(公告)号：CN101268120A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200680034941.0

申请日：2006-09-22

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 加藤波奈子 ,  森宽 ,  小林博 ,  外村翼 ,  山崎正典 ,  阿部麻理

IPC: C08G77/18 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L33/00

CPC classification number: C09D183/04 ,  H01L24/45 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明提供半导体发光器件用部件及其制造方法、以及使用该部件的半导体发光器件，所述新颖的半导体发光器件用部件具有优异的透明性、耐光性、耐热性，能够密封半导体发光器件并保持荧光体，即使长期使用也不产生裂纹和剥离。所述半导体发光器件用部件具有如下特征：(1)具有存在于陶瓷或金属表面的羟基或能够与金属氧烷键中的氧形成氢键的官能团；(2)在200℃放置500小时，放置前后，波长400nm的光的透过率的维持率为80％～110％；(3)以中心波长为400nm～450nm且波长大于385nm小于等于500nm的光进行24小时的照射以使波长436nm的照度为4500W/m2后，目视确认没有发生变化；(4)波长550nm的光的折射率为1.45以上。

公开(公告)号：CN101128516A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200680005683.3

申请日：2006-02-23

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 加藤波奈子 ,  森宽 ,  小林博 ,  外村翼

IPC: C08G77/08 ,  C08L83/04 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/56 ,  C08G77/04 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体发光器件用部件及其制造方法以及使用了该部件的半导体发光器件，本发明所提供的半导体发光器件用部件的透明性、耐光性、耐热性优异，能够密封半导体发光器件，即使长期使用也不会产生裂纹和剥离。为此，本发明中使用具有下述特征的半导体发光器件用部件：(1)该部件的固体Si－核磁共振谱中具有至少一个选自由(i)和(ii)组成的组中的峰，所述(i)是峰顶的位置位于化学位移为－40ppm～0ppm的区域、半峰宽为0.3ppm～3.0ppm的峰，所述(ii)是峰顶的位置位于化学位移为－80ppm以上且小于－40ppm的区域、半峰宽为0.3ppm～5.0ppm的峰；并且，(2)该部件的硅含量为20重量％以上；(3)该部件的硅烷醇含量为0.1重量％～10重量％。

公开(公告)号：CN101268120B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200680034941.0

申请日：2006-09-22

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 加藤波奈子 ,  森宽 ,  小林博 ,  外村翼 ,  山崎正典 ,  阿部麻理

IPC: C08G77/18 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L33/00

CPC classification number: C09D183/04 ,  H01L24/45 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明提供半导体发光器件用部件及其制造方法、以及使用该部件的半导体发光器件，所述新颖的半导体发光器件用部件具有优异的透明性、耐光性、耐热性，能够密封半导体发光器件并保持荧光体，即使长期使用也不产生裂纹和剥离。所述半导体发光器件用部件具有如下特征：(1)具有存在于陶瓷或金属表面的羟基或能够与金属氧烷键中的氧形成氢键的官能团；(2)在200℃放置500小时，放置前后，波长400nm的光的透过率的维持率为80％～110％；(3)以中心波长为400nm～450nm且波长大于385nm小于等于500nm的光进行24小时的照射以使波长436nm的照度为4500W/m2后，目视确认没有发生变化；(4)波长550nm的光的折射率为1.45以上。

公开(公告)号：CN101506969B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200780030841.5

申请日：2007-08-22

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 加藤波奈子 ,  森宽 ,  小林博 ,  外村翼

IPC: H01L23/29 ,  C09K11/73 ,  C09K11/80 ,  G01N19/04 ,  G01N25/20 ,  H01L23/31 ,  H01L33/00

CPC classification number: C09K11/7774 ,  C09K11/7721 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7735 ,  C09K11/7738 ,  C09K11/774 ,  C09K11/7775 ,  C09K11/7781 ,  C09K11/7789 ,  C09K11/7794 ,  C09K11/7795 ,  H01L23/24 ,  H01L23/293 ,  H01L24/17 ,  H01L33/507 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体器件用部材，其耐热性、耐光性、成膜性、密合性优异，即使长期使用也能够不产生裂纹、剥离、着色地密封半导体器件，并能够保持荧光体。为此，对于半导体器件用部材，设定其用规定的热减重测定方法测定的热减重为50重量％以下，且利用规定的密合性评价方法测定的剥离率为30％以下。

公开(公告)号：CN101506969A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200780030841.5

申请日：2007-08-22

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 加藤波奈子 ,  森宽 ,  小林博 ,  外村翼

IPC: H01L23/29 ,  C09K11/73 ,  C09K11/80 ,  G01N19/04 ,  G01N25/20 ,  H01L23/31 ,  H01L33/00

CPC classification number: C09K11/7774 ,  C09K11/7721 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7735 ,  C09K11/7738 ,  C09K11/774 ,  C09K11/7775 ,  C09K11/7781 ,  C09K11/7789 ,  C09K11/7794 ,  C09K11/7795 ,  H01L23/24 ,  H01L23/293 ,  H01L24/17 ,  H01L33/507 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体器件用部材，其耐热性、耐光性、成膜性、密合性优异，即使长期使用也能够不产生裂纹、剥离、着色地密封半导体器件，并能够保持荧光体。为此，对于半导体器件用部材，设定其用规定的热减重测定方法测定的热减重为50重量％以下，且利用规定的密合性评价方法测定的剥离率为30％以下。

公开(公告)号：CN1408641A

公开(公告)日：2003-04-09

申请号：CN02143330.5

申请日：2002-09-25

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 森宽 ,  加藤波奈子 ,  船山胜矢

IPC: C01B33/16

CPC classification number: C01B33/152 ,  C01B33/1585

Abstract: 提供细孔容积和比表面积大、细孔分布尖锐、不需要的金属杂质的含量少、并且耐热性和耐水性等也优良的硅石。该硅石的细孔的众数直径(Dmax)在20nm以下，是非晶态，并且以固体Si－NMR中Q4峰的化学位移为δ(ppm)时，δ满足下式(I)：－0.0705×(Dmax)－110.36＞δ(I),具有这种特性的硅石适用于要求尤其优良的耐热性和耐水热性，同时要求控制的细孔特性和在长期使用中物性变化少的领域。