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公开(公告)号：CN111693589A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010491407.4
申请日：2020-06-02
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开一种生物传感器的制造方法、生物传感器及生物传感器的应用，涉及生物传感器技术领域。通过对高K材料层表面进行羟基化工艺处理，增加高K材料层表面羟基的数量，进而增加固定探针分子的官能团，实现对待测物的高灵敏度、高特异性检测。所述生物传感器的制造方法包括：提供一具有高K材料层的生物敏感器件，利用羟基化工艺在高K材料层表面进行羟基化处理。所述生物传感器的制造方法应用于制造生物传感器，所述生物传感器应用于生物活性物质的检测。
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公开(公告)号：CN106252800A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610605340.6
申请日：2016-07-27
申请人： 中国科学院微电子研究所
CPC分类号： H01P1/207 , H01P1/2088 , H01P11/007
摘要： 本发明提出一种中心频率可调的基片集成波导滤波器及其制作方法。本发明根据波导谐振频率的电调节的方法，利用在滤波器谐振腔内加载调谐导电柱，实现对谐振腔的谐振频率的扰动，并通过在顶部金属层上形成由导电膜桥形成的开关对多个调谐导电柱进行选通，从而实现了基片集成波导滤波器中心频率的调节。本发明可以大大的增加了滤波器的应用范围和可校准性。
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公开(公告)号：CN102569227A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010606627.3
申请日：2010-12-24
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L23/473 , H01L23/367 , H01L23/522 , H01L21/48 , H01L21/768 , H01L21/50
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 公开了一种集成电路散热系统，包括至少三层基板：上层基板、夹层基板及下层基板，相邻基板间形成微通道；所述三层基板均内设导电通路，其中上层基板通过所述导电通路与集成电路芯片电连接，相邻基板间通过所述导电通路穿过微通道电连接，下层基板通过所述导电通路与外部电连接。本发明解决了三维集成封装模型中的热量无法带出的问题，而且极大的提高了芯片的散热性能，提高了芯片的可靠性和寿命，具有工艺简单，成本低等特点。
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公开(公告)号：CN114327045B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202111448595.3
申请日：2021-11-30
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G06F3/01 , G06F18/2415 , G06F18/213 , G06F18/21 , G06N3/0464 , G06N3/084
摘要： 本发明涉及一种基于类别不平衡信号的跌倒检测方法及系统，属于行为识别技术领域，解决了现有技术因跌倒检测类别不平衡，很难从大量的日常活动中准确地识别出跌倒事件信号的问题。该方法包括：实时获取智能可穿戴设备采集的使用者的动作测试数据；所述动作测试数据，包括：加速度数据和角速度值；将所述动作测试数据输入最优深度学习模型，进行所述动作测试数据的动作类别识别，获取各动作类别概率值；将所述各动作类别概率值与最佳阈值进行比较，预测所述动作测试数据对应的动作类别；其中，所述最佳阈值用于根据深度学习模型训练时使用的样本数据集的不平衡率使预测结果向发生概率低的动作类别偏移。实现了基于类别不平衡数据的跌倒检测。
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公开(公告)号：CN113173557A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110270115.2
申请日：2021-03-12
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明涉及一种垂直纳米线阵列的制备方法，采用两次自对准的侧墙转移技术工艺形成纳米尺度两层侧墙交叉阵列，利用氧化硅与氮化硅的选择比及二次侧墙阵列交叉位置的高度差的反应离子刻蚀(RIE)刻蚀，形成氮化硅纳米点阵列，再以氮化硅点阵列为掩膜刻蚀衬底硅，形成垂直纳米线阵列，最后通过酸性溶液腐蚀残留的氮化硅和氧化硅，制备出高纯度、无损伤、有序垂直排列的硅纳米线。
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公开(公告)号：CN111704101A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010403586.1
申请日：2020-05-13
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00 , A61B5/00 , A61B5/0205 , A61B5/0402 , B82Y15/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开一种柔性传感器及其制备方法，涉及柔性传感器领域，以解决柔性传感器形变不够、灵敏度低和一致性低的问题。所述柔性传感器包括：柔性基底以及形成在所述柔性基底上的纳米线阵列；所述纳米线阵列为聚二甲基硅氧烷转移法转移的纳米线阵列。所述柔性传感器制备方法包括上述技术方案所提的。本发明提供的柔性传感器用于检测信号。
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公开(公告)号：CN106252800B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201610605340.6
申请日：2016-07-27
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明提出一种中心频率可调的基片集成波导滤波器及其制作方法。本发明根据波导谐振频率的电调节的方法，利用在滤波器谐振腔内加载调谐导电柱，实现对谐振腔的谐振频率的扰动，并通过在顶部金属层上形成由导电膜桥形成的开关对多个调谐导电柱进行选通，从而实现了基片集成波导滤波器中心频率的调节。本发明可以大大的增加了滤波器的应用范围和可校准性。
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公开(公告)号：CN113540246A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110647763.5
申请日：2021-06-10
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明涉及一种堆叠纳米线/片器件及其制备方法、一种半导体器件，所述堆叠纳米线/片器件，其特征在于：包括：衬底；纳米线/片堆栈部，其设置在所述衬底上，由半导体材料形成的多个纳米线/片的叠层形成多个导电沟道；环绕式栅极，其环绕于多个纳米线/片周围；所述环绕式栅极包括界面钝化层。界面钝化层可以显著改善堆栈纳米线/片器件的界面特性，减少器件的沟道界面态，从而改善亚阈值器件亚阈值摆幅(SS)特性和漏致势垒降低(DIBL)，并可以有效减小器件的关态漏电特性。
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公开(公告)号：CN113173553A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110270117.1
申请日：2021-03-12
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明涉及一种垂直纳米网的制备方法，采用两次自对准的侧墙转移技术工艺形成纳米尺度两层侧墙交叉阵列，利用反应离子刻蚀(RIE)刻蚀氧化硅与氮化硅，形成氮化硅纳米网阵列，再以SiNx纳米网阵列为掩膜刻蚀衬底硅，形成垂直纳米纳米网阵列，最后通过酸性溶液腐蚀残留的氮化硅和氧化硅，制备出高纯度、无损伤、有序垂直排列的硅纳米网阵列。
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公开(公告)号：CN102683302A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110055382.4
申请日：2011-03-08
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/467 , H05K7/20 , G06F1/20
CPC分类号： H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/49433 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , Y02D10/16 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本发明公开了一种用于单芯片封装和系统级封装的散热结构，包括：位于基板与芯片之间的散热片，用于吸收芯片散发的热量，该散热片的上表面与芯片的下表面直接接触，下表面与基板的上表面直接接触；位于散热片四个端点的支撑结构，该支撑结构一端与散热片的上表面直接接触，另一端与散热器的下表面直接接触，用于将吸收自芯片的热量从散热片传导至散热器；以及位于芯片上方的散热器，用于散发经由散热片和支撑结构传导过来的热量。本发明提供的用于单芯片封装和系统级封装的散热结构，结构简单易实现，并能方便与其它散热方法相结合，在单芯片封装和系统级封装散热问题上，特别是大功耗芯片或系统封装有很好的应用前景。
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