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公开(公告)号：CN102386083B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201010275191.4
申请日：2010-09-02
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Inventor： 三重野文健
IPC: H01L21/283 , H01L21/336
Abstract: 一种MOS晶体管栅介电层的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有伪栅介电层与介电保护层，介电保护层中形成有栅极开口，栅极开口使得伪栅介电层露出；在所述介电保护层上与栅极开口内形成牺牲层，所述牺牲层保形覆盖栅极开口；各向异性刻蚀所述牺牲层，仅保留栅极开口垂直侧壁上的牺牲层；在所述介电保护层上与栅极开口内形成高K介电材料，所述高K介电材料保形覆盖所述栅极开口；对所述半导体衬底进行退火处理，使得栅极开口垂直侧壁上的牺牲层与高K介电材料反应形成混合介电层，所述混合介电层具有小于高K介电材料的介电常数。本发明的制作方法在不破坏金属栅极底部高K栅介电层的同时，降低了栅极寄生电容。
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公开(公告)号：CN101958282B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN200910054975.1
申请日：2009-07-16
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Inventor： 三重野文健
IPC: H01L21/82 , H01L21/336
Abstract: 一种LDMOS的制造方法，包括：在已形成有隔离结构的半导体衬底中形成栅极结构；在所述栅极结构一侧与隔离结构间的半导体衬底中形成源极/漏极区；在所述栅极结构另一侧与隔离结构间的半导体衬底中形成孔洞；采用选择性外延的方法在所述孔洞中填充导电材料形成漏极/源极区。通过上述LDMOS的制造方法获得的LDMOS，其导通电阻及击穿电压可通过所形成的漏极/源极区的深度进行控制。从而在源极和漏极间的横向距离缩小时，仍可通过调整漏极/源极区的深度来获得具有低导通电阻和/或高击穿电压的器件。并且，所述LDMOS的制造方法具有较少的工艺步骤，也提高了制造LDMOS的效率。
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公开(公告)号：CN102386079B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201010275175.5
申请日：2010-09-02
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Inventor： 三重野文健
IPC: H01L21/28 , H01L21/265 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及高K栅介电层的制作方法及形成MOS晶体管的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介电保护层，所述介电保护层中形成有栅极开口，所述栅极开口使得半导体衬底露出；在所述栅极开口中依次形成初始介电层与牺牲层，所述初始介电层与牺牲层保形覆盖栅极开口；在所述栅极开口中垂直注入金属离子，将栅极开口底部的初始介电层与牺牲层分别转变为高K介电层与合金层。本发明通过在向栅极开口内的初始介电层注入金属离子形成高K栅介电层，且所述金属离子的注入方向垂直于栅极开口底面，这使得栅极开口垂直侧壁的初始介电层不会形成具有较高介电系数的高K栅介电层，也就避免了在金属栅极两侧形成较大的寄生电容而影响器件性能。
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公开(公告)号：CN102222754B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201010154758.2
申请日：2010-04-14
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 一种LED芯片封装结构及其封装方法，其中LED芯片封装方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；在所述半导体衬底的第一表面形成导电薄膜；在所述导电薄膜的表面形成散热元件，所述散热元件包括p型热电结构、n型热电结构、与p型热电结构和n型热电结构相邻并介于p型热电结构和n型热电结构之间的隔离层；沿所述半导体衬底的第二表面在所述半导体衬底内形成暴露出导电薄膜的开口，所述开口用于容纳LED单元。本发明的LED芯片封装方法与半导体工艺兼容。
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公开(公告)号：CN105336587B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201410268654.2
申请日：2014-06-17
Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 三重野文健
IPC: H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/4925 , H01L21/28105 , H01L21/76224 , H01L21/823431 , H01L27/14692 , H01L29/4908 , H01L29/6675 , H01L29/66795 , H01L29/7846 , H01L29/785 , H01L29/78663 , H01L31/1055
Abstract: 公开了一种半导体器件及其制造方法。根据本发明的实施例，利用包括由交替的第一材料层和第二材料层构成的叠层的半导体鳍，在半导体器件的沟道中诱发应力，从而能够有效地实施应变finFET。此外，可选地，利用设置于第二材料层的横向凹进的空间中的绝缘体，可以形成隔离的finFET结构，从而能够更加有效地在半导体器件的沟道中诱发应力，进一步提高半导体器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101840994B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN200910047644.5
申请日：2009-03-16
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Inventor： 三重野文健
Abstract: 一种相变随机存取存储器及制造方法。所述相变随机存取存储器包括开关器件及连接所述开关器件的数据存储器，所述数据存储器包括底部电极、底部电极上的硫族元素化物相变层、硫族元素化物相变层上的顶部电极，所述底部电极、相变层以及顶部电极两侧还具有侧墙，其中，所述侧墙材料采用电负性数值小于硫族元素化物的电负性数值，且相应差值大于或等于0.3的元素的氧化物。所述侧墙材料具有较好的抗氧化性，能够保护相变层不因加热而被氧化，从而避免所述相变层因被氧化，其电阻值改变情况与设计要求有较大偏差。
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公开(公告)号：CN102468151B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201010553697.7
申请日：2010-11-19
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/205 , H01L21/283
Abstract: 本发明提供了一种金属栅电极的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成介电层，在所述介电层的表面形成伪栅；采用选择性外延工艺在伪栅表面形成外延层；所述外延层在伪栅顶部边缘处形成外延突起，并具有外倾的侧表面；在所述外延层的侧表面形成绝缘侧壁；在伪栅两侧的半导体衬底内进行离子注入形成源、漏极；在上述半导体结构的表面形成层间介质层，并平坦化所述层间介质层的表面，直至露出伪栅顶部的外延层；去除所述伪栅及其表面的外延层，形成栅极开口；填充所述栅极开口形成金属栅电极。本发明有效避免了填充形成金属栅电极产生空洞的问题。
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公开(公告)号：CN102044569B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN200910197614.2
申请日：2009-10-23
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Inventor： 三重野文健
IPC: H01L29/92 , H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L27/10852 , H01L28/84
Abstract: 一种电容器及其制造方法，所述电容器包括：第一电极，位于所述第一电极上的第一电介质层，位于所述第一电介质层上的硅纳米晶，位于所述硅纳米晶和未被硅纳米晶覆盖的第一电介质层上的第二电介质层，位于所述第二电介质层上的第二电极。所述电容器的制造过程基于传统技术，工艺简单；本发明通过硅纳米晶提高了电容器的电容。
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公开(公告)号：CN102420137B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201010299338.3
申请日：2010-09-25
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Inventor： 三重野文健
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 一种MOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上形成有介质层，所述介质层中形成有开口，所述开口两侧的半导体基底内形成有源区和漏区；在所述开口的侧壁上形成阻挡层，所述阻挡层的材料为碳；形成栅介质层，覆盖所述介质层的表面和所述开口的底部，暴露出所述阻挡层；去除所述阻挡层；在所述开口中形成栅电极，所述栅电极填满所述开口。本发明减小了栅电极与源区和漏区之间的寄生电容，提高了响应速度，降低了功耗。
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公开(公告)号：CN101958335B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200910054947.X
申请日：2009-07-16
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Abstract: 一种相变随机存取存储器及制造方法、编程方法。所述相变随机存取存储器包括：开关器件及连接所述开关器件的数据存储器，所述数据存储器包括下电极、下电极上的电阻层、电阻层上的上电极，其中，所述电阻层的材料至少包括第一相变金属的氧化物和第二相变金属的氧化物，所述第二相变金属的电负性数值小于所述第一相变金属，所述上电极和下电极采用电负性数值小于所述第一相变金属的金属，或者采用贵金属。对所形成的相变随机存取存储器进行编程时，只需改变电阻层中一种相变金属氧化物就可实现复位或置位。
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